-
公开(公告)号：TW201830579A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106119613
申请日：2017-06-13
Inventor： 蕭錦濤 , SIO, KAM TOU , 曾健庭 , TZENG, JIANN TYNG , 楊 超源 , YOUNG, CHARLES CHEW-YUEN , 許義明 , SHEU, YI MING , 鄭存甫 , CHENG, CHUN FU , 王薏涵 , WANG, YI HAN
IPC: H01L21/768
Abstract: 本發明實施例提供半導體裝置結構與其形成方法。半導體裝置結構包含介電層。半導體裝置結構亦包含閘極堆疊結構於介電層中。半導體裝置結構更包含半導體線，且閘極堆疊結構圍繞部份的半導體線。此外，半導體裝置結構包含接點電極於介電層中，且接點電極電性連接至半導體線。接點電極與閘極堆疊結構自半導體線朝相反方向延伸。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供半导体设备结构与其形成方法。半导体设备结构包含介电层。半导体设备结构亦包含闸极堆栈结构于介电层中。半导体设备结构更包含半导体线，且闸极堆栈结构围绕部份的半导体线。此外，半导体设备结构包含接点电极于介电层中，且接点电极电性连接至半导体线。接点电极与闸极堆栈结构自半导体线朝相反方向延伸。
-
公开(公告)号：TW201807744A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW105139308
申请日：2016-11-29
Inventor： 周雷峻 , CHOU, LEI CHUN , 陳志良 , CHEN, CHIH LIANG , 賴志明 , LAI, CHIH MING , 楊超源 , YOUNG, CHARLES CHEW-YUEN , 曾晉沅 , TSENG, CHIN YUAN , 曾健庭 , TZENG, JIANN TYNG , 蕭錦濤 , SIO, KAM TOU , 劉如淦 , LIU, RU GUN , 林緯良 , LIN, WEI LIANG
IPC: H01L21/28 , H01L21/283
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/30604 , H01L21/3085 , H01L21/76224 , H01L29/6681
Abstract: 一種在基板上形成鰭片的方法被提出。此方法包括沉積第一鰭片間隔與第二鰭片間隔在具有一硬遮罩的基板的多個位置上，其中第一鰭片間隔包括所需第一鰭片間隔與虛設第一鰭片間隔，且第二鰭片間隔包括所需第二鰭片間隔與虛設第二鰭片間隔。此方法還包括在第一鰭片間隔與第二鰭片間隔之下的基板上形成鰭片。鰭片包括多個虛設鰭片與多個所需鰭片。此方法更包括個別地移除虛設第一鰭片間隔，而不移除虛設第二鰭片間隔，移除虛設第二鰭片間隔，以及移除虛設鰭片。
Abstract in simplified Chinese: 一种在基板上形成鳍片的方法被提出。此方法包括沉积第一鳍片间隔与第二鳍片间隔在具有一硬遮罩的基板的多个位置上，其中第一鳍片间隔包括所需第一鳍片间隔与虚设第一鳍片间隔，且第二鳍片间隔包括所需第二鳍片间隔与虚设第二鳍片间隔。此方法还包括在第一鳍片间隔与第二鳍片间隔之下的基板上形成鳍片。鳍片包括多个虚设鳍片与多个所需鳍片。此方法更包括个别地移除虚设第一鳍片间隔，而不移除虚设第二鳍片间隔，移除虚设第二鳍片间隔，以及移除虚设鳍片。
-
公开(公告)号：TW201742228A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105123610
申请日：2016-07-26
Inventor： 沈孟弘 , SHEN, MENG HUNG , 陳志良 , CHEN, CHIH LIANG , 楊超源 , YOUNG, CHARLES CHEW-YUEN , 曾健庭 , TZENG, JIANN TYNG , 蕭錦濤 , SIO, KAM TOU , 林威呈 , LIN, WEI CHENG
IPC: H01L23/535 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/528 , H01L21/762 , H01L21/76877 , H01L21/76895 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L27/0207 , H01L28/00 , H01L29/42356 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L2924/01029
Abstract: 一種半導體結構，其包含主動區、第一導電線、導電通孔、第一導電金屬段、第二導電金屬段以及局部導電段。第一導電金屬段經由導電通孔耦接第一導電線。第二導電金屬段配置於主動區上方。局部導電段用以耦接第一導電金屬段與第二導電金屬段。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体结构，其包含主动区、第一导电线、导电通孔、第一导电金属段、第二导电金属段以及局部导电段。第一导电金属段经由导电通孔耦接第一导电线。第二导电金属段配置于主动区上方。局部导电段用以耦接第一导电金属段与第二导电金属段。
-
公开(公告)号：TW202018867A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108137929
申请日：2019-10-21
Inventor： 蕭錦濤 , SIO, KAM TOU , 曾健庭 , TZENG, JIANN TYNG
Abstract: 一種產生積體電路佈局圖的方法，包括在第一列中佈置具有第一單元高度的第一單元及在鄰接第一列的第二列中佈置具有高度小於第一單元高度之第二單元高度的第二單元。第一列及第二列沿第一方向延伸及相對於佈線網格佈置，佈線網格包括沿第一方向的第一佈線軌跡及沿垂直於第一方向之第二方向的第二佈線軌跡。在沿第二佈線軌跡延伸的每個第一單元內放置第一單元引腳。在每個第二單元中的選定通孔佈局點上方放置第二單元引腳。至少一個第二單元引腳沿相應第二佈線軌跡延伸跨過相應第二單元的邊界且延伸至鄰接相應第二單元的相應第一單元中。
Abstract in simplified Chinese: 一种产生集成电路布局图的方法，包括在第一列中布置具有第一单元高度的第一单元及在邻接第一列的第二列中布置具有高度小于第一单元高度之第二单元高度的第二单元。第一列及第二列沿第一方向延伸及相对于布线网格布置，布线网格包括沿第一方向的第一布线轨迹及沿垂直于第一方向之第二方向的第二布线轨迹。在沿第二布线轨迹延伸的每个第一单元内放置第一单元引脚。在每个第二单元中的选定通孔布局点上方放置第二单元引脚。至少一个第二单元引脚沿相应第二布线轨迹延伸跨过相应第二单元的边界且延伸至邻接相应第二单元的相应第一单元中。
-
公开(公告)号：TWI691073B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW107142026
申请日：2018-11-26
Inventor： 蕭錦濤 , SIO, KAM-TOU , 楊 超源 , YOUNG, CHARLES CHEW-YUEN , 曾健庭 , TZENG, JIANN-TYNG , 黃星凱 , HUANG, SING-KAI , 劉 逸群 , LIU, JACK , 蔡逸群 , TSAI, YI-CHUIN , 方上維 , FANG, SHANG-WEI
IPC: H01L29/06
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI649782B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：TW106141619
申请日：2017-11-29
Inventor： 蕭錦濤 , SIO, KAM-TOU , 陳志良 , CHEN, CHIH-LIANG , 楊 超源 , YOUNG, CHARLES CHEW-YUEN , 莊惠中 , ZHUANG, HUI-ZHONG , 曾健庭 , TZENG, JIANN-TYNG , 邱奕勛 , CHIU, YI-HSUN
-
公开(公告)号：TWI640076B
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW105123610
申请日：2016-07-26
Inventor： 沈孟弘 , SHEN, MENG HUNG , 陳志良 , CHEN, CHIH LIANG , 楊超源 , YOUNG, CHARLES CHEW-YUEN , 曾健庭 , TZENG, JIANN TYNG , 蕭錦濤 , SIO, KAM TOU , 林威呈 , LIN, WEI CHENG
IPC: H01L23/535 , H01L21/60
-
公开(公告)号：TW201810670A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW105130322
申请日：2016-09-20
Inventor： 楊惠婷 , YANG, HUI TIN , 賴志明 , LAI, CHIH MING , 陳俊光 , CHEN, CHUN KUANG , 陳志良 , CHEN, CHIH LIANG , 楊超源 , YOUNG, CHARLES CHEW-YUEN , 曾健庭 , TZENG, JIANN TYNG , 蕭錦濤 , SIO, KAM TOU , 沈孟弘 , SHEN, MENG HUNG , 劉如淦 , LIU, RU GUN , 林威呈 , LIN, WEI CHENG
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/823437 , H01L21/823431 , H01L21/823475 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L27/0886 , H01L27/092 , H01L27/0924 , H01L29/4238 , H01L29/4916 , H01L29/6653 , H01L29/66545 , H01L29/785
Abstract: 在此提出有關於積體晶片的形成方法與相關的裝置，此積體晶片具有以不固定的節距設置的中間線結構。在一些實施例中，積體晶片具有井區，井區有多個源/汲極區。多個閘極結構是以固定的節距設置在井區上。多個中間線結構在井區上以不固定的節距水平地交錯在一些閘極結構之間，所述不固定的節距包括第一節距，第一節距大於固定的節距。由於中間線結構具有不固定的節距，其中的第一節距大於固定的節距，因此一或多個閘極結構與最靠近的閘極或中間線結構之間的間隔可減少寄生電容。
Abstract in simplified Chinese: 在此提出有关于积体芯片的形成方法与相关的设备，此积体芯片具有以不固定的节距设置的中间线结构。在一些实施例中，积体芯片具有井区，井区有多个源/汲极区。多个闸极结构是以固定的节距设置在井区上。多个中间线结构在井区上以不固定的节距水平地交错在一些闸极结构之间，所述不固定的节距包括第一节距，第一节距大于固定的节距。由于中间线结构具有不固定的节距，其中的第一节距大于固定的节距，因此一或多个闸极结构与最靠近的闸极或中间线结构之间的间隔可减少寄生电容。
-
公开(公告)号：TWI615937B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW105133837
申请日：2016-10-20
Inventor： 彭士瑋 , PENG, SHIH WEI , 曾健庭 , TZENG, JIANN TYNG , 陳志良 , CHEN, CHIH LIANG , 賴志明 , LAI, CHIH MING , 蕭錦濤 , SIO, KAM TOU , 嚴永松 , YEN, YUNG SUNG , 陳俊光 , CHEN, CHUN KUANG , 劉如淦 , LIU, RU GUN , 楊 超源 , YOUNG, CHARLES CHEW-YUEN
IPC: H01L23/52
CPC classification number: H01L23/5286 , H01L21/76816 , H01L21/76892 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L28/00
-
公开(公告)号：TWI642141B
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW105126270
申请日：2016-08-17
Inventor： 楊超源 , YOUNG, CHARLES CHEW-YUEN , 陳志良 , CHEN, CHIH LIANG , 賴志明 , LAI, CHIH MING , 曾健庭 , TZENG, JIANN TYNG , 陳順利 , CHEN, SHUN LI , 蕭錦濤 , SIO, KAM TOU , 彭士瑋 , PENG, SHIH WEI , 陳俊光 , CHEN, CHUN KUANG , 劉如淦 , LIU, RU GUN
IPC: H01L21/768 , G06F17/50
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
30
records
(took 0.034 seconds)
