公开(公告)号：TW201828377A

公开(公告)日：2018-08-01

申请号：TW106141440

申请日：2017-11-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 陸湘台 ,  LU, HSIANG-TAI ,  陳碩懋 ,  CHEN, SHUO-MAO ,  王敏哲 ,  WANG, MILL-JER ,  許峰誠 ,  HSU, FENG-CHENG ,  楊肇祥 ,  YANG, CHAO-HSIANG ,  鄭心圃 ,  JENG, SHIN-PUU ,  洪成佾 ,  HONG, CHENG-YI ,  林志賢 ,  LIN, CHIH-HSIEN ,  陳岱璋 ,  CHEN, DAI-JANG ,  林振華 ,  LIN, CHEN-HUA

IPC: H01L21/60

Abstract: 本發明實施例係關於一種製作一半導體結構之方法，該方法包含：形成一重佈層(RDL)；在該RDL上方形成一導電部件；透過該導電部件執行一第一電測試；在該RDL上方放置一第一晶粒；透過該導電部件執行一第二電測試；及在該第一晶粒及該導電部件上方放置一第二晶粒。

Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例系关于一种制作一半导体结构之方法，该方法包含：形成一重布层(RDL)；在该RDL上方形成一导电部件；透过该导电部件运行一第一电测试；在该RDL上方放置一第一晶粒；透过该导电部件运行一第二电测试；及在该第一晶粒及该导电部件上方放置一第二晶粒。

公开(公告)号：TW201813016A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106114718

申请日：2017-05-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 鄭心圃 ,  JENG, SHIN-PUU ,  許峰誠 ,  HSU, FENG-CHENG ,  陳碩懋 ,  CHEN, SHUO-MAO

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L25/0652 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/02 ,  H01L24/17 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/17104 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06582

Abstract: 本揭露實施例揭露一種半導體封裝結構，其包含一重佈層(RDL)、一第一晶片、至少一第二晶片、一囊封物及一第三晶片。該重佈層具有彼此對置之一第一表面及一第二表面。該第一晶片位於該重佈層之該第一表面上方且電連接至該重佈層。該第二晶片位於該重佈層之該第一表面上方。該第二晶片包含複數個貫穿通路結構。該囊封物位於該重佈層之該第一表面上方，其中該囊封物包圍該第一晶片及該第二晶片。該第三晶片位於該囊封物上方且透過該第二晶片之該等貫穿通路結構及該重佈層電連接至該第一晶片。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露实施例揭露一种半导体封装结构，其包含一重布层(RDL)、一第一芯片、至少一第二芯片、一囊封物及一第三芯片。该重布层具有彼此对置之一第一表面及一第二表面。该第一芯片位于该重布层之该第一表面上方且电连接至该重布层。该第二芯片位于该重布层之该第一表面上方。该第二芯片包含复数个贯穿通路结构。该囊封物位于该重布层之该第一表面上方，其中该囊封物包围该第一芯片及该第二芯片。该第三芯片位于该囊封物上方且透过该第二芯片之该等贯穿通路结构及该重布层电连接至该第一芯片。

公开(公告)号：TW201535639A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：TW103145151

申请日：2014-12-24

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 林俊成 ,  LIN, JING CHENG ,  許峰誠 ,  HSU, FENG CHENG

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L22/12 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/82365 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/35 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本申請案所揭示的半導體裝置係包含第一基板與第二基板，該第一基板含有位於該第一基板的第一表面上的複數個第一墊，該第二基板含有位於該基板的第二表面上的複數個第二墊，複數個傳導凸塊對應接合該複數個第一墊與該複數個第二墊，焊接支撐材料位於該第一表面上並且環繞該複數個傳導凸塊，底膠填充材料環繞該複數個傳導凸塊並且位於該焊接支撐材料與該第二表面之間，以及粗糙界面位於該焊接支撐材料與該底膠填充材料之間，其中該粗糙界面包含複數個突出部與複數個凹部。

Abstract in simplified Chinese: 本申请案所揭示的半导体设备系包含第一基板与第二基板，该第一基板含有位于该第一基板的第一表面上的复数个第一垫，该第二基板含有位于该基板的第二表面上的复数个第二垫，复数个传导凸块对应接合该复数个第一垫与该复数个第二垫，焊接支撑材料位于该第一表面上并且环绕该复数个传导凸块，底胶填充材料环绕该复数个传导凸块并且位于该焊接支撑材料与该第二表面之间，以及粗糙界面位于该焊接支撑材料与该底胶填充材料之间，其中该粗糙界面包含复数个突出部与复数个凹部。

公开(公告)号：TWI529874B

公开(公告)日：2016-04-11

申请号：TW103115923

申请日：2014-05-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 許峰誠 ,  HSU, FENG CHENG ,  盧思維 ,  LU, SZU WEI ,  林俊成 ,  LIN, JING CHENG

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/02 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L2224/02315 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI515768B

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW099126439

申请日：2010-08-09

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳俊光 ,  CHEN, CHUN KUANG ,  葉孝蔚 ,  YEH, HSIAO WEI ,  林致安 ,  LIN, CHIH AN ,  王建惟 ,  WANG, CHIEN WEI ,  許峰誠 ,  HSU, FENG CHENG

IPC: H01L21/027

公开(公告)号：TW201128683A

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：TW099126439

申请日：2010-08-09

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 陳俊光 ,  葉孝蔚 ,  林致安 ,  王建惟 ,  許峰誠

IPC: H01L

Abstract: 本發明揭示一種微影圖案化方法，包括：在一基底上形成一第一阻劑圖案，其中第一阻劑圖案內包括複數個開口。在基底上且位於第一阻劑圖案的開口內形成一第二阻劑圖案，其中第二阻劑圖案內包括至少一開口位於基底上。去除第一阻劑圖案，以露出位於第一阻劑圖案下方的基底。本發明也揭示一種雙重圖案化的方法。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种微影图案化方法，包括：在一基底上形成一第一阻剂图案，其中第一阻剂图案内包括复数个开口。在基底上且位于第一阻剂图案的开口内形成一第二阻剂图案，其中第二阻剂图案内包括至少一开口位于基底上。去除第一阻剂图案，以露出位于第一阻剂图案下方的基底。本发明也揭示一种双重图案化的方法。

公开(公告)号：TW201523806A

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：TW103115923

申请日：2014-05-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 許峰誠 ,  HSU, FENG CHENG ,  盧思維 ,  LU, SZU WEI ,  林俊成 ,  LIN, JING CHENG

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/02 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L2224/02315 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明揭露一種封裝結構及其形成方法。在一實施例中，封裝結構可包括一晶粒，包括一主動層側上之一電性焊墊，以及一封膠體，側向圍繞晶粒且延伸於晶粒之主動層側正上方。一導電圖案位於封膠體上，包括位於一開口內之一介層連接窗，其貫穿封膠體到達並接觸電性焊墊。在一些實施例中，一介電層可位於封膠體上，導電圖案可位於介電層上。在其它實施例中，封膠體可為一介電封膠體，導電圖案可鄰接介電封膠體。在一些實施例中，封膠體可為一可光學圖案化材料、一模製化合物或一ABF絕緣膜。上述結構可包括額外介電層及導電圖案。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种封装结构及其形成方法。在一实施例中，封装结构可包括一晶粒，包括一主动层侧上之一电性焊垫，以及一封胶体，侧向围绕晶粒且延伸于晶粒之主动层侧正上方。一导电图案位于封胶体上，包括位于一开口内之一介层连接窗，其贯穿封胶体到达并接触电性焊垫。在一些实施例中，一介电层可位于封胶体上，导电图案可位于介电层上。在其它实施例中，封胶体可为一介电封胶体，导电图案可邻接介电封胶体。在一些实施例中，封胶体可为一可光学图案化材料、一模制化合物或一ABF绝缘膜。上述结构可包括额外介电层及导电图案。