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公开(公告)号：TW201810555A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106111593
申请日：2017-04-06
发明人： 洪瑞斌 , HUNG, JUI-PIN , 許峰誠 , HSU, FENG-CHENG , 陳碩懋 , CHEN, SHUO-MAO , 鄭心圃 , JENG, SHIN-PUU
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/538 , H01L25/10
CPC分类号： H01L25/105 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/565 , H01L23/3114 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L25/50 , H01L2224/81191 , H01L2224/97 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2225/1088 , H01L2224/81
摘要： 本揭露提供一種半導體封裝，其包含一第一層、一第二層及一導電陣列。該第一層包含具有一載體表面及一模製表面之一封裝晶粒，及接近於該載體表面之一第一晶粒結構。該第一晶粒結構之一主動區透過一焊料電耦合至該封裝晶粒。該第二層包含一第二晶粒結構，該第二晶粒結構藉由一第一重佈層(RDL)連接至該第一晶粒結構之該主動區。該導電陣列藉由一第二RDL連接至該第二晶粒結構之一主動區。本揭露亦提供一種用於製造該前述半導體封裝之方法。
简体摘要： 本揭露提供一种半导体封装，其包含一第一层、一第二层及一导电数组。该第一层包含具有一载体表面及一模制表面之一封装晶粒，及接近于该载体表面之一第一晶粒结构。该第一晶粒结构之一主动区透过一焊料电耦合至该封装晶粒。该第二层包含一第二晶粒结构，该第二晶粒结构借由一第一重布层(RDL)连接至该第一晶粒结构之该主动区。该导电数组借由一第二RDL连接至该第二晶粒结构之一主动区。本揭露亦提供一种用于制造该前述半导体封装之方法。
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公开(公告)号：TW201801272A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106121029
申请日：2017-06-23
发明人： 許峰誠 , HSU, FENG-CHENG , 洪瑞斌 , HUNG, JUI-PIN , 鄭心圃 , JENG, SHIN-PUU
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/98
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L23/5226 , H01L24/09 , H01L24/13 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L27/108 , H01L2224/02372 , H01L2224/48091 , H01L2225/0651 , H01L2225/06548 , H01L2225/06568 , H01L2225/1058
摘要： 本揭露提供一種半導體封裝，該半導體封裝包含：一第一半導體晶粒層，其具有一主動表面；一導電接點，其電耦合至該主動表面，該導電接點之一側壁由一絕緣層環繞；及一焊料凸塊，其連接至該導電接點。一晶種層介於該導電接點之該側壁與該絕緣層之間。本揭露提供一種用於製造一半導體封裝之方法，該方法包含：提供一載體；在該載體上方形成一絕緣層；自該絕緣層將該載體解除接合；及藉由一蝕刻操作而使該導電接點自該絕緣層暴露。
简体摘要： 本揭露提供一种半导体封装，该半导体封装包含：一第一半导体晶粒层，其具有一主动表面；一导电接点，其电耦合至该主动表面，该导电接点之一侧壁由一绝缘层环绕；及一焊料凸块，其连接至该导电接点。一晶种层介于该导电接点之该侧壁与该绝缘层之间。本揭露提供一种用于制造一半导体封装之方法，该方法包含：提供一载体；在该载体上方形成一绝缘层；自该绝缘层将该载体解除接合；及借由一蚀刻操作而使该导电接点自该绝缘层暴露。
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公开(公告)号：TWI634626B
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW105141651
申请日：2016-12-15
发明人： 許峰誠 , HSU, FENG-CHENG , 陳碩懋 , CHEN, SHUO-MAO , 洪瑞斌 , HUNG, JUI-PIN , 鄭心圃 , JENG, SHIN-PUU
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公开(公告)号：TWI670818B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW106121029
申请日：2017-06-23
发明人： 許峰誠 , HSU, FENG-CHENG , 洪瑞斌 , HUNG, JUI-PIN , 鄭心圃 , JENG, SHIN-PUU
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/98
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公开(公告)号：TWI646609B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW106107437
申请日：2017-03-07
发明人： 洪瑞斌 , HUNG, JUI-PIN , 許峰誠 , HSU, FENG-CHENG , 鄭心圃 , JENG, SHIN-PUU
IPC分类号： H01L21/60
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公开(公告)号：TW201801259A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105141651
申请日：2016-12-15
发明人： 許峰誠 , HSU, FENG-CHENG , 陳碩懋 , CHEN, SHUO-MAO , 洪瑞斌 , HUNG, JUI-PIN , 鄭心圃 , JENG, SHIN-PUU
CPC分类号： H01L21/568 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L23/3121 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/02 , H01L24/19 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L2224/02372 , H01L2224/02373 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/81005 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/15311 , H01L2224/81 , H01L2224/83
摘要： 本發明實施例揭示一種裝置封裝，其包含一第一晶粒、一第二晶粒以及沿該第一晶粒及該第二晶粒之側壁延伸之一模塑料。該封裝進一步包含橫向延伸通過該第一晶粒及該第二晶粒之邊緣之重佈層(RDL)。該等RDL包含電連接至該第一晶粒及該第二晶粒之一輸入/輸出(I/O)接點，且該I/O接點暴露於實質上垂直於與該等RDL相對之該模塑料之一表面的該裝置封裝之一側壁處。
简体摘要： 本发明实施例揭示一种设备封装，其包含一第一晶粒、一第二晶粒以及沿该第一晶粒及该第二晶粒之侧壁延伸之一模塑料。该封装进一步包含横向延伸通过该第一晶粒及该第二晶粒之边缘之重布层(RDL)。该等RDL包含电连接至该第一晶粒及该第二晶粒之一输入/输出(I/O)接点，且该I/O接点暴露于实质上垂直于与该等RDL相对之该模塑料之一表面的该设备封装之一侧壁处。
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公开(公告)号：TW201743422A
公开(公告)日：2017-12-16
申请号：TW106111903
申请日：2017-04-10
发明人： 鄭心圃 , JENG, SHIN-PUU , 洪瑞斌 , HUNG, JUI-PIN , 許峰誠 , HSU, FENG-CHENG
IPC分类号： H01L23/488
CPC分类号： H01L25/105 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L22/14 , H01L22/32 , H01L23/3114 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/81005 , H01L2224/97 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/19105 , H01L2924/19106 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/81
摘要： 本揭露提供一種製造一結構之方法。該方法包括：提供一基板；在該基板上方形成一互連層；在該互連層上方形成複數個導電墊；在該互連層上方形成導電柱；將一第一半導體晶粒放置於該等導電墊上方，該半導體晶粒與該等導電柱間隔開；及將一第二半導體晶粒與該等導電柱接合。
简体摘要： 本揭露提供一种制造一结构之方法。该方法包括：提供一基板；在该基板上方形成一互连层；在该互连层上方形成复数个导电垫；在该互连层上方形成导电柱；将一第一半导体晶粒放置于该等导电垫上方，该半导体晶粒与该等导电柱间隔开；及将一第二半导体晶粒与该等导电柱接合。
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公开(公告)号：TW201813023A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106111706
申请日：2017-04-07
发明人： 洪瑞斌 , HUNG, JUI-PIN , 許峰誠 , HSU, FENG-CHENG , 陳碩懋 , CHEN, SHUO-MAO , 鄭心圃 , JENG, SHIN-PUU , 廖德堆 , LIAO, DE-DUI MARVIN
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/498 , H01L25/10
CPC分类号： H01L23/562 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/16 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81005 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1088 , H01L2924/1434 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/19106 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2224/81
摘要： 一種半導體封裝結構包含一重佈層(RDL)、一晶片、複數個互連凸塊及一囊封物。該重佈層具有彼此相對之一第一表面及一第二表面。該晶片在複數個接點墊面對該第一表面之情況下放置在該重佈層上方且電連接至該重佈層。該等互連凸塊放置在該第一表面上方且電連接至該重佈層。該囊封物放置在該重佈層之該第一表面上方，且該囊封物封圍該晶片並環繞該等互連凸塊之側向壁。
简体摘要： 一种半导体封装结构包含一重布层(RDL)、一芯片、复数个互连凸块及一囊封物。该重布层具有彼此相对之一第一表面及一第二表面。该芯片在复数个接点垫面对该第一表面之情况下放置在该重布层上方且电连接至该重布层。该等互连凸块放置在该第一表面上方且电连接至该重布层。该囊封物放置在该重布层之该第一表面上方，且该囊封物封围该芯片并环绕该等互连凸块之侧向壁。
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公开(公告)号：TW201806047A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106107437
申请日：2017-03-07
发明人： 洪瑞斌 , HUNG, JUI-PIN , 許峰誠 , HSU, FENG-CHENG , 鄭心圃 , JENG, SHIN-PUU
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L25/0652 , H01L21/31053 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/76885 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/02311 , H01L2224/0237 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/81005 , H01L2224/81815 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/0652 , H01L2225/06548 , H01L2225/06568 , H01L2225/06572 , H01L2225/1023 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/01029 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1436 , H01L2924/1438 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/3511 , H01L2924/37001 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/83
摘要： 一種方法包含形成第一複數個重佈線，形成第一金屬柱於該第一複數個重佈線上方並且電連接至該第一複數個重佈線，以及接合第一裝置晶粒至該第一複數個重佈線。該第一金屬柱與該第一裝置晶粒被囊封於第一囊封材料中。而後，平坦化該第一囊封材料。該方法另包含形成第二金屬柱於該第一金屬柱上方並且電連接至該第一金屬柱，經由黏著膜而附接第二裝置晶粒至該第一囊封材料，囊封該第二金屬柱與該第二裝置晶粒於第二囊封材料中，平坦化該第二囊封材料，以及形成第二複數個重佈線於該第二金屬柱與該第二裝置晶粒上方並且電耦合至該第二金屬柱與該第二裝置晶粒。
简体摘要： 一种方法包含形成第一复数个重布线，形成第一金属柱于该第一复数个重布在线方并且电连接至该第一复数个重布线，以及接合第一设备晶粒至该第一复数个重布线。该第一金属柱与该第一设备晶粒被囊封于第一囊封材料中。而后，平坦化该第一囊封材料。该方法另包含形成第二金属柱于该第一金属柱上方并且电连接至该第一金属柱，经由黏着膜而附接第二设备晶粒至该第一囊封材料，囊封该第二金属柱与该第二设备晶粒于第二囊封材料中，平坦化该第二囊封材料，以及形成第二复数个重布线于该第二金属柱与该第二设备晶粒上方并且电耦合至该第二金属柱与该第二设备晶粒。
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公开(公告)号：TWI546922B
公开(公告)日：2016-08-21
申请号：TW103145151
申请日：2014-12-24
发明人： 林俊成 , LIN, JING CHENG , 許峰誠 , HSU, FENG CHENG
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/14 , H01L22/12 , H01L23/3171 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L2224/0401 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05684 , H01L2224/10125 , H01L2224/10126 , H01L2224/11019 , H01L2224/1132 , H01L2224/11462 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13118 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16238 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2224/82365 , H01L2224/92125 , H01L2924/181 , H01L2924/35 , H01L2924/37001 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/16225 , H01L2924/00012
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