半導體封裝
    4.
    发明专利
    半導體封裝 审中-公开
    半导体封装

    公开(公告)号:TW201839923A

    公开(公告)日:2018-11-01

    申请号:TW106124280

    申请日:2017-07-20

    Abstract: 本發明實施例提供一種半導體封裝、一種半導體封裝的製造方法及其所使用的印刷模組。所述半導體封裝具有重佈線層、位於重佈線層之上的至少一個晶粒、位於重佈線層上及晶粒的側邊的層間通孔、以及包封設置在重佈線層上的晶粒及層間通孔的模製化合物。半導體封裝具有連接到層間通孔的連接件、覆蓋模製化合物及晶粒的聚合物覆蓋膜以及設置在連接件的側邊的聚合物擋壩結構。聚合物覆蓋膜及聚合物擋壩結構是通過印刷形成的。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供一种半导体封装、一种半导体封装的制造方法及其所使用的印刷模块。所述半导体封装具有重布线层、位于重布线层之上的至少一个晶粒、位于重布线层上及晶粒的侧边的层间通孔、以及包封设置在重布线层上的晶粒及层间通孔的模制化合物。半导体封装具有连接到层间通孔的连接件、覆盖模制化合物及晶粒的聚合物覆盖膜以及设置在连接件的侧边的聚合物挡坝结构。聚合物覆盖膜及聚合物挡坝结构是通过印刷形成的。

    封裝結構
    6.
    发明专利
    封裝結構 审中-公开
    封装结构

    公开(公告)号:TW201830621A

    公开(公告)日:2018-08-16

    申请号:TW106118434

    申请日:2017-06-03

    Abstract: 一種封裝結構包含一半導體元件、一第一介電層、一重分佈線以及一導電凸塊。第一介電層在半導體元件上,且第一介電層具有一第一開口與一第二開口在第一介電層之相對表面上,其中第一開口與第二開口沿著實質上相反的方向漸縮。重分佈線部分地在第一介電層之第一開口中,且重分佈線電性連接半導體元件。導電凸塊部分嵌設在第二開口中,且導電凸塊電性連接重分佈線。

    Abstract in simplified Chinese: 一种封装结构包含一半导体组件、一第一介电层、一重分布线以及一导电凸块。第一介电层在半导体组件上,且第一介电层具有一第一开口与一第二开口在第一介电层之相对表面上,其中第一开口与第二开口沿着实质上相反的方向渐缩。重分布线部分地在第一介电层之第一开口中,且重分布线电性连接半导体组件。导电凸块部分嵌设在第二开口中,且导电凸块电性连接重分布线。

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