公开(公告)号：TW200742072A

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：TW095141517

申请日：2006-11-09

Applicant: 住友電氣工業股份有限公司 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.

Inventor： 增田健良 MASUDA, TAKEYOSHI ,  松川真治 MATSUKAWA, SHINJI

IPC: H01L

CPC classification number: C23C16/325 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/046 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78

Abstract: 本發明之MOSFET(30)具有SiC膜(11)。SiC膜(11)於其表面上具有晶面,晶面之一週期長度為100 nm以上,且將晶面作為通道(16)。又,MOSFET(30)之製造方法包括:形成SiC膜(11)之步驟;於將Si供給至SiC膜(11)之表面之狀態下,對SiC膜(11)進行熱處理之熱處理步驟;及將藉由熱處理步驟而於SiC膜(11)之表面獲得之晶面製成通道(16)之步驟。藉此,可充分提高特性。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之MOSFET(30)具有SiC膜(11)。SiC膜(11)于其表面上具有晶面,晶面之一周期长度为100 nm以上,且将晶面作为信道(16)。又,MOSFET(30)之制造方法包括:形成SiC膜(11)之步骤;于将Si供给至SiC膜(11)之表面之状态下,对SiC膜(11)进行热处理之热处理步骤;及将借由热处理步骤而于SiC膜(11)之表面获得之晶面制成信道(16)之步骤。借此,可充分提高特性。

公开(公告)号：TW200735227A

公开(公告)日：2007-09-16

申请号：TW095122462

申请日：2006-06-22

Applicant: ST麥克電子股份有限公司 STMICROELECTRONICS S.R.L.

Inventor： 費路奇歐 弗利席那 FRISINA, FERRUCCIO ,  馬力歐 吉烏塞佩 薩吉歐 SAGGIO, MARIO GIUSEPPE ,  安傑羅 馬格利 ANGELO MAGRI

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/046 ,  H01L21/047 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/7835

Abstract: 製造在半導體基板(1,1a;10,11)上的電子裝置具有禁止寬頻帶的方法,包括:形成一遮蔽結構(3a,20)於該半導體基板(1,1a;10,11)上,包括:移除至少一介電層(2,20)的複數個區域,露出該半導體基板(1,1a;10,11);進行至少一離子植入,在該半導體基板(1,1a;10,11)中植入一第一型的摻雜物,形成至少一第一植入區域(4,40);進行至少一離子植入,在該半導體基板(1,1a;10,11)中植入一第二型的摻雜物,在該第一植入區域(4,40)中形成至少一第二植入區域(6,6c;60,61),該方法之特徵在於,包括該第一型及第二型摻雜物之至少一熱活化程序,以低熱預算以完成該至少第一及第二植入區域(4,40;6,60)的結構。

Abstract in simplified Chinese: 制造在半导体基板(1,1a;10,11)上的电子设备具有禁止宽带带的方法,包括:形成一屏蔽结构(3a,20)于该半导体基板(1,1a;10,11)上,包括:移除至少一介电层(2,20)的复数个区域,露出该半导体基板(1,1a;10,11);进行至少一离子植入,在该半导体基板(1,1a;10,11)中植入一第一型的掺杂物,形成至少一第一植入区域(4,40);进行至少一离子植入,在该半导体基板(1,1a;10,11)中植入一第二型的掺杂物,在该第一植入区域(4,40)中形成至少一第二植入区域(6,6c;60,61),该方法之特征在于,包括该第一型及第二型掺杂物之至少一热活化进程,以低热预算以完成该至少第一及第二植入区域(4,40;6,60)的结构。

公开(公告)号：TW201711106A

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：TW105107655

申请日：2016-03-11

Applicant: 東芝股份有限公司 ,  KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

Inventor： 上原準市 ,  UEHARA, JUNICHI

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/046 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3065

Abstract: 本發明之實施形態提供一種能夠實現高耐壓之半導體裝置之製造方法。 實施形態之半導體裝置之製造方法係於第1SiC層上藉由磊晶生長形成第1導電型之第2SiC層；於第2SiC層中選擇性地離子注入第2導電型之第1雜質，而形成第2導電型之第1區域；去除第1區域之一部分；於第2SiC層上藉由磊晶生長形成第1導電型之第3SiC層；於第3SiC層中選擇性地離子注入第2導電型之第2雜質，而於第1區域上形成第2導電型之第2區域。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之实施形态提供一种能够实现高耐压之半导体设备之制造方法。 实施形态之半导体设备之制造方法系于第1SiC层上借由磊晶生长形成第1导电型之第2SiC层；于第2SiC层中选择性地离子注入第2导电型之第1杂质，而形成第2导电型之第1区域；去除第1区域之一部分；于第2SiC层上借由磊晶生长形成第1导电型之第3SiC层；于第3SiC层中选择性地离子注入第2导电型之第2杂质，而于第1区域上形成第2导电型之第2区域。

公开(公告)号：TWI550884B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：TW101108732

申请日：2012-03-14

Applicant: 克立公司 ,  CREE, INC.

Inventor： 張清純 ,  ZHANG, QINGCHUN ,  哈尼 傑森 ,  HENNING, JASON

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/6606 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

公开(公告)号：TWI532172B

公开(公告)日：2016-05-01

申请号：TW100133254

申请日：2011-09-15

Applicant: 羅姆股份有限公司 ,  ROHM CO., LTD.

Inventor： 奧村啟樹 ,  OKUMURA, KEIJI ,  三浦峰生 ,  MIURA, MINEO ,  長尾勝久 ,  NAGAO, KATSUHISA ,  箕谷周平 ,  MITANI, SHUHEI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L21/046 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/45 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811

公开(公告)号：TW201614719A

公开(公告)日：2016-04-16

申请号：TW104127052

申请日：2015-08-19

Applicant: 斯克林集團公司 ,  SCREEN HOLDINGS CO., LTD.

Inventor： 青山敬幸 ,  AOYAMA, TAKAYUKI ,  加藤慎一 ,  KATO, SHINICHI

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/324 ,  C23C16/44

CPC classification number: H05B3/0047 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/76889

Abstract: 本發明之課題在於提供一種不使裝置特性劣化而能夠獲得較低之接點電阻之半導體製造方法及半導體製造裝置。 藉由於形成有金屬層之半導體基板W之表面，以1秒以下之照射時間自閃光燈FL照射閃光，使包含金屬層及雜質區域之半導體基板W之表面瞬間升溫至1000℃以上之處理溫度。又，於包含氫之成形氣體之氛圍中，對半導體基板W之表面照射閃光而進行加熱處理。藉由於成形氣體之氛圍中，以極短時間將半導體基板W之表面加熱至高溫，能夠降低接點電阻，而不會使閘極氧化膜之界面附近為形成氫終端所引入之氫脫離。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题在于提供一种不使设备特性劣化而能够获得较低之接点电阻之半导体制造方法及半导体制造设备。 借由于形成有金属层之半导体基板W之表面，以1秒以下之照射时间自闪光灯FL照射闪光，使包含金属层及杂质区域之半导体基板W之表面瞬间升温至1000℃以上之处理温度。又，于包含氢之成形气体之氛围中，对半导体基板W之表面照射闪光而进行加热处理。借由于成形气体之氛围中，以极短时间将半导体基板W之表面加热至高温，能够降低接点电阻，而不会使闸极氧化膜之界面附近为形成氢终端所引入之氢脱离。

公开(公告)号：TWI396228B

公开(公告)日：2013-05-11

申请号：TW096145773

申请日：2007-11-30

Applicant: 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： 邱永男 ,  CHO, YONAH ,  金以寬 ,  KIM, YIHWAN

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/046 ,  H01L21/268 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

公开(公告)号：TW201246283A

公开(公告)日：2012-11-16

申请号：TW100148105

申请日：2011-12-22

Applicant: 住友電氣工業股份有限公司

Inventor： 山田俊介

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66901 ,  H01L29/808

Abstract: 準備具有基板面(12B)之碳化矽基板(10)。以覆蓋基板面(12B)之一部分之方式形成絕緣膜(15)。以與絕緣膜(15)接觸之方式於基板面(12B)上形成接觸電極(16)。接觸電極(16)含有Al、Ti及Si原子。接觸電極(16)包含由含有Si原子及Ti原子之至少任一者、與Al原子之合金所製作的合金膜(50)。對接觸電極(16)進行退火，以使碳化矽基板(10)與接觸電極(16)歐姆連接。藉此，可提高使用含有Al原子之接觸電極時絕緣膜之絕緣可靠性。

Abstract in simplified Chinese: 准备具有基板面(12B)之碳化硅基板(10)。以覆盖基板面(12B)之一部分之方式形成绝缘膜(15)。以与绝缘膜(15)接触之方式于基板面(12B)上形成接触电极(16)。接触电极(16)含有Al、Ti及Si原子。接触电极(16)包含由含有Si原子及Ti原子之至少任一者、与Al原子之合金所制作的合金膜(50)。对接触电极(16)进行退火，以使碳化硅基板(10)与接触电极(16)欧姆连接。借此，可提高使用含有Al原子之接触电极时绝缘膜之绝缘可靠性。

公开(公告)号：TW201225162A

公开(公告)日：2012-06-16

申请号：TW100141705

申请日：2011-11-15

Applicant: 住友電氣工業股份有限公司

Inventor： 久保田良輔 ,  和田圭司 ,  增田健良 ,  鹽見弘

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/046 ,  H01L21/268 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 本發明之半導體裝置之製造方法包括:準備具有表面之碳化矽基板之步驟;藉由自表面向碳化矽基板中植入離子而形成雜質區域(123~125)之步驟;以及進行用以使雜質區域活化之退火之步驟。退火包括向碳化矽基板之表面照射具有第1波長之第1雷射光之步驟、及向碳化矽基板之表面照射具有第2波長之第2雷射光之步驟。碳化矽基板於第1及第2波長下分別具有第1及第2消光係數。第1消光係數相對於第1波長之比大於5�105/m。第2消光係數相對於第2波長之比小於5�105/m。藉此可減小雷射退火中之對碳化矽基板之表面之損害。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之半导体设备之制造方法包括:准备具有表面之碳化硅基板之步骤;借由自表面向碳化硅基板中植入离子而形成杂质区域(123~125)之步骤;以及进行用以使杂质区域活化之退火之步骤。退火包括向碳化硅基板之表面照射具有第1波长之第1激光光之步骤、及向碳化硅基板之表面照射具有第2波长之第2激光光之步骤。碳化硅基板于第1及第2波长下分别具有第1及第2消光系数。第1消光系数相对于第1波长之比大于5�105/m。第2消光系数相对于第2波长之比小于5�105/m。借此可减小激光退火中之对碳化硅基板之表面之损害。

公开(公告)号：TW200908315A

公开(公告)日：2009-02-16

申请号：TW097112032

申请日：2008-04-02

Applicant: 住友電氣工業股份有限公司 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.

Inventor： 增田健良 MASUDA, TAKEYOSHI

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/02433 ,  C30B29/36 ,  C30B33/02 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/8213 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 本發明之半導體裝置之製造方法,包括:形成SiC膜之步驟;於SiC膜之表面形成溝槽(20)之步驟;於向SiC膜之表面供給Si之狀態下,對SiC膜進行熱處理之熱處理步驟;及將藉由熱處理步驟於SiC膜之表面所得之複數之巨階部(1)作為通道之步驟。若將溝槽(20)之週期設為L、將溝槽(20)之高度設為h,則週期L與高度h之間成立以下關係,L=h(cot���+cot���)(其中,���、���係滿足0.5≦���、���≦45的變數)。由此,能夠提高半導體裝置之特性。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之半导体设备之制造方法,包括:形成SiC膜之步骤;于SiC膜之表面形成沟槽(20)之步骤;于向SiC膜之表面供给Si之状态下,对SiC膜进行热处理之热处理步骤;及将借由热处理步骤于SiC膜之表面所得之复数之巨阶部(1)作为信道之步骤。若将沟槽(20)之周期设为L、将沟槽(20)之高度设为h,则周期L与高度h之间成立以下关系,L=h(cot���+cot���)(其中,���、���系满足0.5≦���、���≦45的变量)。由此,能够提高半导体设备之特性。