公开(公告)号：TWI664716B

公开(公告)日：2019-07-01

申请号：TW107107980

申请日：2018-03-09

Applicant: 美商美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 布蘭帝尤巴耶 蘇迪 ,  BANDYOPADHYAY, SUDIP ,  周健華 ,  CHOW, KEEN WAH ,  達塔 達文西庫馬爾 ,  DATTA, DEVESH KUMAR ,  金達 阿努拉格 ,  JINDAL, ANURAG ,  依克納米 大衛 羅斯 ,  ECONOMY, DAVID ROSS ,  麥爾軍 約翰 馬克 ,  MELDRIM, JOHN MARK

IPC: H01L27/11582 ,  H01L23/532 ,  H01L27/11556 ,  H01L23/528

公开(公告)号：TW201919188A

公开(公告)日：2019-05-16

申请号：TW107118772

申请日：2018-05-31

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 劉建宏 ,  LIU, CHIEN HUNG

IPC: H01L23/528

CPC classification number: H01L29/42324 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

Abstract: 本發明實施例揭示一種半導體裝置，其包含一基板、放置於該基板上方之一閘極結構、放置於該基板中之一汲極結構及放置於該基板中該閘極結構與該汲極結構相對之一側上之一源極結構。該基板包含一第一半導體層、該第一半導體層上方之一第二半導體層及夾置於該第一半導體層與該第二半導體層之間的一絕緣層。該源極結構及該汲極結構包含一相同導電類型。該源極結構包含至少一磊晶層。該源極結構比該汲極結構更深地延伸至該基板中。

Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例揭示一种半导体设备，其包含一基板、放置于该基板上方之一闸极结构、放置于该基板中之一汲极结构及放置于该基板中该闸极结构与该汲极结构相对之一侧上之一源极结构。该基板包含一第一半导体层、该第一半导体层上方之一第二半导体层及夹置于该第一半导体层与该第二半导体层之间的一绝缘层。该源极结构及该汲极结构包含一相同导电类型。该源极结构包含至少一磊晶层。该源极结构比该汲极结构更深地延伸至该基板中。

公开(公告)号：TW201919187A

公开(公告)日：2019-05-16

申请号：TW107111844

申请日：2018-04-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 杜尚耘 ,  TU, SHANG-YUN ,  蕭景文 ,  HSIAO, CHING-WEN ,  吳勝郁 ,  WU, SHENG-YU ,  陳清暉 ,  CHEN, CHING-HUI

IPC: H01L23/528

CPC classification number: H01L23/3128 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/78 ,  H01L22/20 ,  H01L22/32 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/03 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明的實施例公開一種重佈線路結構。重佈線路結構包括第一導電結構、介電層及第二導電結構。介電層設置在所述第一導電結構之上且暴露出所述第一導電結構的一部分。第二導電結構設置在所述介電層中以電連接到所述第一導電結構，且包括第一導電層及第二導電層，所述第二導電層設置在所述第一導電層上且電連接到所述第一導電層，其中所述第一導電層包括上表面，所述上表面在整個邊緣處具有突起部。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的实施例公开一种重布线路结构。重布线路结构包括第一导电结构、介电层及第二导电结构。介电层设置在所述第一导电结构之上且暴露出所述第一导电结构的一部分。第二导电结构设置在所述介电层中以电连接到所述第一导电结构，且包括第一导电层及第二导电层，所述第二导电层设置在所述第一导电层上且电连接到所述第一导电层，其中所述第一导电层包括上表面，所述上表面在整个边缘处具有突起部。

公开(公告)号：TW201919185A

公开(公告)日：2019-05-16

申请号：TW106137586

申请日：2017-10-31

Applicant: 友達光電股份有限公司 ,  AU OPTRONICS CORPORATION

Inventor： 謝毅勳 ,  HSIEH, I-HSUN ,  吳仰恩 ,  WU, YANG-EN

IPC: H01L23/528 ,  H01L27/15

Abstract: 一種像素發光裝置，包括：基板，具有多個發光元件、以及遮光層，環繞各發光元件設置。其中各發光元件包括：第一電極層，設置於基板上、第二電極層，設置於基板上，且不與第一電極層接觸、第一半導體層，設置於第一電極層上、第二半導體層，設置於第二電極層上，且覆蓋第一半導體層、發光層，設置於第二半導體層上、第三半導體層，設置於發光層上、以及至少一第一貫通體，貫穿發光層與第二半導體層，使第一半導體層與第三半導體層電性連接。

Abstract in simplified Chinese: 一种像素发光设备，包括：基板，具有多个发光组件、以及遮光层，环绕各发光组件设置。其中各发光组件包括：第一电极层，设置于基板上、第二电极层，设置于基板上，且不与第一电极层接触、第一半导体层，设置于第一电极层上、第二半导体层，设置于第二电极层上，且覆盖第一半导体层、发光层，设置于第二半导体层上、第三半导体层，设置于发光层上、以及至少一第一贯通体，贯穿发光层与第二半导体层，使第一半导体层与第三半导体层电性连接。

公开(公告)号：TWI653691B

公开(公告)日：2019-03-11

申请号：TW105121359

申请日：2016-07-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 李明機 ,  LII, MIRNG JI ,  劉重希 ,  LIU, CHUNG SHI ,  古進譽 ,  KU, CHIN YU ,  郭宏瑞 ,  KUO, HUNG JUI ,  卡林斯基 艾力克斯安德 ,  KALNITSKY, ALEXANDER ,  劉國洲 ,  LIU, KUO CHIO ,  何明哲 ,  HO, MING CHE ,  吳逸文 ,  WU, YI WEN ,  陳清暉 ,  CHEN, CHING HUI

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

公开(公告)号：TWI651808B

公开(公告)日：2019-02-21

申请号：TW105128879

申请日：2016-09-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 劉國儼 ,  LIU, KUO YEN ,  葉展瑋 ,  YEH, BOO ,  梁銘彰 ,  LIANG, MIN CHANG ,  姚志翔 ,  YAO, CHIH HSIANG ,  張景鈞 ,  CHANG, CHING CHUN ,  陳 芳 ,  CHEN, FANG

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

公开(公告)号：TW201907537A

公开(公告)日：2019-02-16

申请号：TW107110576

申请日：2018-03-27

Applicant: 美商高通公司 ,  QUALCOMM INCORPORATED

Inventor： 克耐吉 娜拉斯姆胡盧 ,  KANIKE, NARASIMHULU ,  梁慶清 ,  LIANG, QINGQING ,  瑪立諾 法比奥 阿萊西歐 ,  MARINO, FABIO ALESSIO ,  卡羅伯蘭提 法蘭西斯科 ,  CAROBOLANTE, FRANCESCO

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/60 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

Abstract: 本發明之某些態樣大體上係關於一種半導體裝置及用於製造一半導體裝置之技術。在某些態樣中，該半導體裝置包括一鰭片、安置成鄰近於該鰭片之一第一側面的一第一非絕緣區域及安置成鄰近於該鰭片之一第二側面的一第二非絕緣區域。在某些態樣中，該第一非絕緣區域與該第二非絕緣區域由一溝槽分隔開，該溝槽之至少一部分用圍繞該鰭片安置之一介電材料填充。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之某些态样大体上系关于一种半导体设备及用于制造一半导体设备之技术。在某些态样中，该半导体设备包括一鳍片、安置成邻近于该鳍片之一第一侧面的一第一非绝缘区域及安置成邻近于该鳍片之一第二侧面的一第二非绝缘区域。在某些态样中，该第一非绝缘区域与该第二非绝缘区域由一沟槽分隔开，该沟槽之至少一部分用围绕该鳍片安置之一介电材料填充。

公开(公告)号：TW201903964A

公开(公告)日：2019-01-16

申请号：TW107105260

申请日：2018-02-13

Applicant: 美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

Inventor： 張洵淵 ,  ZHANG, XUNYUAN ,  劉 紹銘 ,  LAW, SHAO BENG

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

Abstract: 本發明提供形成自對準切口的方法及形成有自對準切口的結構。在金屬硬遮罩層上形成介電層，並且在該介電層上形成心軸。形成穿過該介電層延展至該金屬硬遮罩層的切口。藉由該介電層中該切口所曝露的該金屬硬遮罩層的區域上形成金屬層的區段。形成該金屬層之後，在該心軸的垂直側壁上形成間隔物。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供形成自对准切口的方法及形成有自对准切口的结构。在金属硬遮罩层上形成介电层，并且在该介电层上形成心轴。形成穿过该介电层延展至该金属硬遮罩层的切口。借由该介电层中该切口所曝露的该金属硬遮罩层的区域上形成金属层的区段。形成该金属层之后，在该心轴的垂直侧壁上形成间隔物。

公开(公告)号：TWI647807B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：TW106102594

申请日：2017-01-24

Applicant: 旺宏電子股份有限公司 ,  MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.

Inventor： 李鴻志 ,  LEE, HONG-JI ,  黃旻暄 ,  HUANG, MIN-HSUAN

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60

公开(公告)号：TWI646646B

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：TW106108018

申请日：2017-03-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 吳佳典 ,  WU, CHIA TIEN ,  劉相瑋 ,  LIU, HSIANG WEI ,  朱韋臻 ,  CHU, WEI CHEN

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/60