公开(公告)号：TWI622142B

公开(公告)日：2018-04-21

申请号：TW105136156

申请日：2016-11-07

申请人： 財團法人工業技術研究院 ,  INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

发明人： 王朝仁 ,  WANG, CHAO-JEN ,  張志嘉 ,  CHANG, CHIH-CHIA ,  何家充 ,  HO, JIA-CHONG

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/29

CPC分类号： H01L24/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/367 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/562 ,  H01L24/19 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81

公开(公告)号：TW201810454A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106119829

申请日：2017-06-14

申请人： 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

发明人： 荒木誠太 ,  ARAKI, SEITA ,  北野一彥 ,  KITANO, KAZUHIKO

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L21/561 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/03 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20

摘要： 在此提供一種具備高良率之半導體封裝件之製造方法。關於本發明之一實施型態之半導體封裝件之製造方法包含以下步驟。準備至少一半導體裝置，半導體裝置具備外部端子，於基材上以前述外部端子非朝向前述基材之方式配置半導體裝置。於設置有前述至少一半導體裝置之基材上以圍繞前述半導體裝置之周圍之方式形成框體。形成樹脂絕緣層，樹脂絕緣層於前述框體之內側含有樹脂絕緣材料，以密封前述半導體裝置。

简体摘要： 在此提供一种具备高良率之半导体封装件之制造方法。关于本发明之一实施型态之半导体封装件之制造方法包含以下步骤。准备至少一半导体设备，半导体设备具备外部端子，于基材上以前述外部端子非朝向前述基材之方式配置半导体设备。于设置有前述至少一半导体设备之基材上以围绕前述半导体设备之周围之方式形成框体。形成树脂绝缘层，树脂绝缘层于前述框体之内侧含有树脂绝缘材料，以密封前述半导体设备。

公开(公告)号：TW201807753A

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：TW106114167

申请日：2017-04-28

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 邵棟樑 ,  SHAO, TUNG-LIANG ,  董 志航 ,  TUNG, CHIH-HANG ,  余振華 ,  YU, CHEN-HUA

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/481 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/20 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0655 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2223/54426

摘要： 半導體封裝及其形成方法。實施例包括在第一基板中形成第一凹陷部，其中所述第一凹陷部的開口的第一面積大於所述第一凹陷部的底部的第二面積。所述實施例亦包括形成第一元件，其中所述第一元件的頂端的第三面積大於所述第一元件的底端的第四面積。實施例亦包括：將所述第一元件放置至所述第一凹陷部中，其中所述第一元件的所述底端面對所述第一凹陷部的所述底部；以及將所述第一元件的側壁接合至所述第一凹陷部的側壁。

简体摘要： 半导体封装及其形成方法。实施例包括在第一基板中形成第一凹陷部，其中所述第一凹陷部的开口的第一面积大于所述第一凹陷部的底部的第二面积。所述实施例亦包括形成第一组件，其中所述第一组件的顶端的第三面积大于所述第一组件的底端的第四面积。实施例亦包括：将所述第一组件放置至所述第一凹陷部中，其中所述第一组件的所述底端面对所述第一凹陷部的所述底部；以及将所述第一组件的侧壁接合至所述第一凹陷部的侧壁。

公开(公告)号：TW201806090A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：TW105136457

申请日：2016-11-09

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 王垂堂 ,  WANG, CHUEI TANG ,  吳凱強 ,  WU, KAI CHIANG ,  陳頡彥 ,  CHEN, CHIEH YEN ,  王彥評 ,  WANG, YEN PING ,  張守仁 ,  CHANG, SHOU ZEN

IPC分类号： H01L23/06 ,  H01L23/10

CPC分类号： H01L25/0652 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/552 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/03 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/81

摘要： 一種封裝結構包含封裝、至少一第一模制材料與至少一第二半導體元件。封裝包含至少一第一半導體元件於其中，封裝具有頂表面。第一模制材料位於封裝之頂表面，並具有至少一開口於其中。封裝之頂表面之至少一區域被第一模制材料之開口所暴露。第二半導體元件位於封裝之頂表面，並被第一模制材料所模制。

简体摘要： 一种封装结构包含封装、至少一第一模制材料与至少一第二半导体组件。封装包含至少一第一半导体组件于其中，封装具有顶表面。第一模制材料位于封装之顶表面，并具有至少一开口于其中。封装之顶表面之至少一区域被第一模制材料之开口所暴露。第二半导体组件位于封装之顶表面，并被第一模制材料所模制。

公开(公告)号：TW201806047A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：TW106107437

申请日：2017-03-07

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 洪瑞斌 ,  HUNG, JUI-PIN ,  許峰誠 ,  HSU, FENG-CHENG ,  鄭心圃 ,  JENG, SHIN-PUU

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L25/0652 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83

摘要： 一種方法包含形成第一複數個重佈線，形成第一金屬柱於該第一複數個重佈線上方並且電連接至該第一複數個重佈線，以及接合第一裝置晶粒至該第一複數個重佈線。該第一金屬柱與該第一裝置晶粒被囊封於第一囊封材料中。而後，平坦化該第一囊封材料。該方法另包含形成第二金屬柱於該第一金屬柱上方並且電連接至該第一金屬柱，經由黏著膜而附接第二裝置晶粒至該第一囊封材料，囊封該第二金屬柱與該第二裝置晶粒於第二囊封材料中，平坦化該第二囊封材料，以及形成第二複數個重佈線於該第二金屬柱與該第二裝置晶粒上方並且電耦合至該第二金屬柱與該第二裝置晶粒。

简体摘要： 一种方法包含形成第一复数个重布线，形成第一金属柱于该第一复数个重布在线方并且电连接至该第一复数个重布线，以及接合第一设备晶粒至该第一复数个重布线。该第一金属柱与该第一设备晶粒被囊封于第一囊封材料中。而后，平坦化该第一囊封材料。该方法另包含形成第二金属柱于该第一金属柱上方并且电连接至该第一金属柱，经由黏着膜而附接第二设备晶粒至该第一囊封材料，囊封该第二金属柱与该第二设备晶粒于第二囊封材料中，平坦化该第二囊封材料，以及形成第二复数个重布线于该第二金属柱与该第二设备晶粒上方并且电耦合至该第二金属柱与该第二设备晶粒。

公开(公告)号：TWI614859B

公开(公告)日：2018-02-11

申请号：TW101139446

申请日：2012-10-25

申请人： 史達晶片有限公司 ,  STATS CHIPPAC, LTD.

发明人： 潘斯 拉簡德拉D ,  PENDSE, RAJENDRA D.

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/20 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/568 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TW201801268A

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW106106582

申请日：2017-03-01

申请人： 三星電機股份有限公司 ,  SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.

发明人： 李潤泰 ,  LEE, YUN TAE ,  金汶日 ,  KIM, MOON IL

IPC分类号： H01L23/373 ,  H01L23/433 ,  H01L23/043 ,  H01L23/48 ,  H01L23/525 ,  H01L23/488 ,  H01L23/495 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L24/02 ,  H01L23/16 ,  H01L23/29 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/367 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/17 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/171 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/3213 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/0665

摘要： 一種電子元件封裝包括：框架，包括貫穿孔及貫穿配線；電子元件，安置於所述框架的所述貫穿孔中；金屬板，安置於所述電子元件的及所述框架的第一側上；以及重佈線層，安置於所述電子元件的與所述第一側相對的第二側上且電性連接至所述電子元件。

简体摘要： 一种电子组件封装包括：框架，包括贯穿孔及贯穿配线；电子组件，安置于所述框架的所述贯穿孔中；金属板，安置于所述电子组件的及所述框架的第一侧上；以及重布线层，安置于所述电子组件的与所述第一侧相对的第二侧上且电性连接至所述电子组件。

公开(公告)号：TWI609464B

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：TW102129620

申请日：2013-08-19

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 張緯森 ,  CHANG, WEI SEN ,  江宗憲 ,  CHIANG, TSUNG HSIEN ,  胡延章 ,  HU, YEN CHANG ,  蕭景文 ,  HSIAO, CHING WEN

IPC分类号： H01L23/34

CPC分类号： H01L23/4334 ,  H01L21/568 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L24/20 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：TW201743428A

公开(公告)日：2017-12-16

申请号：TW105137766

申请日：2016-11-18

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 余振華 ,  YU, CHEN-HUA ,  余國寵 ,  YEE, KUO-CHUNG

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/58

CPC分类号： H01L23/5386 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/66 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2223/6683 ,  H01L2223/6688 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06586 ,  H01Q1/2283

摘要： 一種封裝結構包括第一晶粒、第二晶粒、第三晶粒、封裝膠體、第一佈線層、天線及導電部件。第一晶粒、第二晶粒及第三晶粒包覆在封裝膠體內。第一佈線層配置在封裝膠體上並電性連接至第一晶粒、第二晶粒及第三晶粒。天線配置在封裝膠體上並電性連接至第一晶粒、第二晶粒及第三晶粒，其中第一晶粒與天線之間的電性連接路徑的距離小於或等於第二晶粒與天線之間的電性連接路徑的距離以及第三晶粒與天線之間的電性連接路徑的距離。導電部件連接第一佈線層，其中第一佈線層位於導電部件與封裝膠體之間。

简体摘要： 一种封装结构包括第一晶粒、第二晶粒、第三晶粒、封装胶体、第一布线层、天线及导电部件。第一晶粒、第二晶粒及第三晶粒包覆在封装胶体内。第一布线层配置在封装胶体上并电性连接至第一晶粒、第二晶粒及第三晶粒。天线配置在封装胶体上并电性连接至第一晶粒、第二晶粒及第三晶粒，其中第一晶粒与天线之间的电性连接路径的距离小于或等于第二晶粒与天线之间的电性连接路径的距离以及第三晶粒与天线之间的电性连接路径的距离。导电部件连接第一布线层，其中第一布线层位于导电部件与封装胶体之间。

公开(公告)号：TWI606563B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：TW105137133

申请日：2016-11-14

申请人： 力成科技股份有限公司 ,  POWERTECH TECHNOLOGY INC.

发明人： 林俊德 ,  LIN, CHUN TE ,  林基正 ,  LIN, JI CHENG ,  朱哲民 ,  CHU, CHE MIN ,  黄建文 ,  HUANG, CHIEN WEN ,  方立志 ,  FANG, LI CHIH

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L23/16 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/552 ,  H01L24/03 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/24225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/3025