公开(公告)号：TWI405315B

公开(公告)日：2013-08-11

申请号：TW094121315

申请日：2005-06-24

Applicant: 菲爾卻德半導體公司 ,  FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

Inventor： 雷傑夫 汀卡 喬希 ,  JOSHI, RAJEEV DINKAR ,  強納森A 諾奎爾 ,  NOQUIL, JONATHAN A. ,  康蘇羅N 坦普茲 ,  TANGPUZ, CONSUELO N.

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/97 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H02M3/00 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI404456B

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：TW094101176

申请日：2005-01-14

Applicant: 費爾契德半導體公司 ,  FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

Inventor： 吳英桓 ,  OH, IN-HWAN

IPC: H05B41/14

CPC classification number: H05B41/2828 ,  H05B41/392 ,  Y02B20/186 ,  Y10S315/04

公开(公告)号：TWI400915B

公开(公告)日：2013-07-01

申请号：TW095133471

申请日：2006-09-11

Applicant: 費查德半導體公司 ,  FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

Inventor： 大衛莫瑞爾 ,  MORRILL, DAVID

IPC: H04L25/40 ,  H03M9/00

CPC classification number: H03M9/00 ,  G06F1/08

公开(公告)号：TWI400871B

公开(公告)日：2013-07-01

申请号：TW095109178

申请日：2006-03-17

Applicant: 費爾契德半導體公司 ,  FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

Inventor： 崔軫皓 ,  CHOI, JINHO ,  金應宣 ,  KIM, EUNG-SUEN

IPC: H02M7/12

CPC classification number: H02M3/33523 ,  H02M1/32

公开(公告)号：TWI399855B

公开(公告)日：2013-06-21

申请号：TW097122158

申请日：2004-12-29

Applicant: 快捷半導體公司 ,  FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

Inventor： 恰拉 亞修克 ,  CHALLA, ASHOK ,  伊班哈威 艾倫 ,  ELBANHAWY, ALAN ,  柯科 克里斯多夫B. ,  KOCON, CHRISTOPHER B. ,  莎普 史蒂芬P. ,  SAPP, STEVEN P. ,  桑尼 巴巴克S. ,  SANI, BABAK S. ,  威爾森 彼得H. ,  WILSON, PETER H.

IPC: H01L29/66 ,  H01L21/334

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7815 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7831 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：TW201312873A

公开(公告)日：2013-03-16

申请号：TW101126350

申请日：2012-07-20

Applicant: 菲爾卻德半導體公司 ,  FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

Inventor： 普潤提斯 賽斯M ,  PRENTICE, SETH M.

IPC: H01R13/70 ,  H01R29/00

CPC classification number: H04R29/004 ,  G01R27/02 ,  G01R29/26 ,  H01R24/58 ,  H01R2107/00 ,  H04R1/02 ,  H04R2420/01 ,  H04R2420/03 ,  H04R2420/05 ,  Y10T307/766

Abstract: 除其他之外，本文件亦論述一種經組態以耦合至一語音插座之第一接地(GND)/麥克風(MIC)端子及第二GND/MIC端子之語音插座偵測切換器，其中該語音插座偵測切換器包含一偵測電路，該偵測電路經組態以量測該第一GND/MIC端子及該第二GND/MIC端子上之一阻抗且使用該所量測阻抗將每一GND/MIC端子識別為一GND極或一MIC極，且其中該語音插座偵測切換器包含一切換器，該切換器經組態以使用來自該偵測電路之資訊自動地將一經識別MIC極耦合至一MIC連接且自動地將一經識別GND極耦合至一GND連接。

Abstract in simplified Chinese: 除其他之外，本文档亦论述一种经组态以耦合至一语音插座之第一接地(GND)/麦克风(MIC)端子及第二GND/MIC端子之语音插座侦测切换器，其中该语音插座侦测切换器包含一侦测电路，该侦测电路经组态以量测该第一GND/MIC端子及该第二GND/MIC端子上之一阻抗且使用该所量测阻抗将每一GND/MIC端子识别为一GND极或一MIC极，且其中该语音插座侦测切换器包含一切换器，该切换器经组态以使用来自该侦测电路之信息自动地将一经识别MIC极耦合至一MIC连接且自动地将一经识别GND极耦合至一GND连接。

公开(公告)号：TWI389309B

公开(公告)日：2013-03-11

申请号：TW094126183

申请日：2005-08-02

Applicant: 快捷半導體公司 ,  FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

Inventor： 吉瑞伯斯 湯瑪斯E. ,  GREBS, THOMAS E. ,  多尼 蓋瑞M. ,  DOLNY, GARY M.

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7811 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201310547A

公开(公告)日：2013-03-01

申请号：TW101124821

申请日：2012-07-10

Applicant: 菲爾卻德半導體公司 ,  FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

Inventor： 普托 羅勃特J ,  PURTELL, ROBERT J. ,  塞普 史帝夫 ,  SAPP, STEVE

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/49 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734

Abstract: 本發明闡述半導體裝置及用於製作此等裝置之方法。UMOS(U形MOSFET)半導體裝置含有已在低溫下使用微波再生長或形成之單晶體閘極。可藉由以下操作來形成該等裝置：提供一半導體基板；在該基板中形成一溝渠；在該溝渠中形成一絕緣層；在該絕緣層上沈積一預閘極層，該預閘極層包括具有一非單晶體結構之一導電及/或半導電材料(Si或SiGe)；使該預閘極層與具有一單晶體結構之一晶種層接觸；及在低溫下使用微波加熱該預閘極層以使該非單晶體結構再結晶成一單晶體結構。此等程序可改良作為視情況在源極-井接面上面具有一個矽化物觸點之一單晶體結構之該閘極之電阻及遷移率，從而達成一較高切換速度UMOS裝置。本發明亦闡述其他實施例。

Abstract in simplified Chinese: 本发明阐述半导体设备及用于制作此等设备之方法。UMOS(U形MOSFET)半导体设备含有已在低温下使用微波再生长或形成之单晶体闸极。可借由以下操作来形成该等设备：提供一半导体基板；在该基板中形成一沟渠；在该沟渠中形成一绝缘层；在该绝缘层上沉积一预闸极层，该预闸极层包括具有一非单晶体结构之一导电及/或半导电材料(Si或SiGe)；使该预闸极层与具有一单晶体结构之一晶种层接触；及在低温下使用微波加热该预闸极层以使该非单晶体结构再结晶成一单晶体结构。此等进程可改良作为视情况在源极-井接面上面具有一个硅化物触点之一单晶体结构之该闸极之电阻及迁移率，从而达成一较高切换速度UMOS设备。本发明亦阐述其他实施例。

公开(公告)号：TW201304371A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：TW101114764

申请日：2012-04-25

Applicant: 菲爾卻德半導體公司 ,  FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

Inventor： 崔恒碩 ,  CHOI, HANGSEOK

IPC: H02M1/36 ,  H02M3/28

CPC classification number: H02M1/36 ,  H02M3/33523 ,  H02M3/33569 ,  H02M2001/0058 ,  Y02B70/1433 ,  Y02B70/1491

Abstract: 一種DC/DC轉換器系統包括閘控制電路、一變壓器、一第二級及軟起動控制電路。該閘控制電路經組態以產生一第一及一第二閘控制信號，該等第一及第二閘控制信號經組態以分別斷開及閉合一反相器電路之第一開關及第二開關，以自一DC輸入信號產生一AC信號。該變壓器轉變該AC信號，且該第二級將該AC信號整流成一DC輸出信號。該軟起動控制電路產生用以在該第一開關之一第一循環之一初始部分(Td)期間使該第一開關之一閉合延遲的一信號。一種軟起動一DC/DC轉換器之方法包括產生第一及第二閘控制信號，及在Td期間使該第一開關之閉合延遲。

Abstract in simplified Chinese: 一种DC/DC转换器系统包括闸控制电路、一变压器、一第二级及软起动控制电路。该闸控制电路经组态以产生一第一及一第二闸控制信号，该等第一及第二闸控制信号经组态以分别断开及闭合一反相器电路之第一开关及第二开关，以自一DC输入信号产生一AC信号。该变压器转变该AC信号，且该第二级将该AC信号整流成一DC输出信号。该软起动控制电路产生用以在该第一开关之一第一循环之一初始部分(Td)期间使该第一开关之一闭合延迟的一信号。一种软起动一DC/DC转换器之方法包括产生第一及第二闸控制信号，及在Td期间使该第一开关之闭合延迟。

公开(公告)号：TW200939356A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：TW097148463

申请日：2008-12-12

Applicant: 快捷半導體公司 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

Inventor： 潘 詹姆斯 PAN, JAMES ,  王琦 WANG, QI

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/165 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813

Abstract: 一種溝槽閘極式場效電晶體,其係包含:數條延伸進入一具第一導電型之矽區的溝槽,以及在各溝槽之中的一閘極。數個具第二導電型的本體區在相鄰溝槽之間的該矽區上延伸。各本體區與該矽區一起形成一第一PN接面,以及各本體區包含一具第二導電型且在相鄰溝槽之間橫向延伸的矽鍺層。具該第一傳導性的源極區係位於該等溝槽的兩側,以及各源極區與該等本體區中之一個一起形成一第二PN接面。數個通道區域在該等本體區中沿著該等溝槽的側壁以及在該等源極區與該等本體區之底面延伸。該等矽鍺層延伸進入對應通道區域以藉此減少通道電阻。

Abstract in simplified Chinese: 一种沟槽闸极式场效应管,其系包含:数条延伸进入一具第一导电型之硅区的沟槽,以及在各沟槽之中的一闸极。数个具第二导电型的本体区在相邻沟槽之间的该硅区上延伸。各本体区与该硅区一起形成一第一pn结,以及各本体区包含一具第二导电型且在相邻沟槽之间横向延伸的硅锗层。具该第一传导性的源极区系位于该等沟槽的两侧,以及各源极区与该等本体区中之一个一起形成一第二pn结。数个信道区域在该等本体区中沿着该等沟槽的侧壁以及在该等源极区与该等本体区之底面延伸。该等硅锗层延伸进入对应信道区域以借此减少信道电阻。