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公开(公告)号：TW201421483A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102141846
申请日：2013-11-18
Inventor： 池育德 , CHIH, YUE DER , 于鴻昌 , YU, HUNG CHANG , 林楷竣 , LIN, KAI CHUN , 黃進義 , HUANG, CHIN YI , 陳 崑崙 , TRAN, LUAN C.
CPC classification number: G06F11/1056 , G06F11/10 , G06F11/1004 , G06F11/1048 , G06F11/1052 , G06F11/1402 , G06F11/141 , G11C11/1675 , G11C11/1677 , G11C2013/0076 , H03M13/11 , H03M13/611
Abstract: 本揭露之一些方面關於一種方法，此方法用以將多位元的預期字組寫入至記憶體之一記憶體位置。在將寫入多位元字組後，實際的多位元字組自記憶體位置被讀取，然後實際的多位元字組與多位元的預期字組相比而識別儲存於記憶體位置之許多錯誤位元以及許多正確的位元。將許多的錯誤位元重寫至記憶體位置而不需要將正確的位元重寫至記憶體位置。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露之一些方面关于一种方法，此方法用以将多比特的预期字组写入至内存之一内存位置。在将写入多比特字组后，实际的多比特字组自内存位置被读取，然后实际的多比特字组与多比特的预期字组相比而识别存储于内存位置之许多错误比特以及许多正确的比特。将许多的错误比特重写至内存位置而不需要将正确的比特重写至内存位置。
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公开(公告)号：TW594784B
公开(公告)日：2004-06-21
申请号：TW091112714
申请日：2002-06-11
Inventor： 池育德 , 王清煌 WANG, CHIN HUANG , 郭政雄
IPC: G11C
Abstract: 一種改善分閘快閃正規記憶胞讀取時間之參考記憶胞電路，用以提供正規記憶胞讀取時提供參考電流之比較，參考記憶胞至少包含：奇數列參考記憶胞及偶數列參考記憶胞，偶數列參考記憶胞與該奇數列參考記憶胞共用一源極線，且奇數列參考記憶胞與偶數列參考記憶胞之各別浮置閘極連接於一相同電壓源VCC，各別之汲極則連接於比較器之輸入端，以提供參考電流供記憶胞讀取時邏輯狀態之判斷，一控制信號直接連接奇數列參考記憶胞之控制閘極，同時控制信號經一反相器連接於偶數列參考記憶胞，以控制其開啟。因此，控制信號電壓位準為1或0時，將可令上述其中之一種參考記憶胞輸出電流至比較器之輸入端。
Abstract in simplified Chinese: 一种改善分闸快闪正规记忆胞读取时间之参考记忆胞电路，用以提供正规记忆胞读取时提供参考电流之比较，参考记忆胞至少包含：奇数列参考记忆胞及偶数列参考记忆胞，偶数列参考记忆胞与该奇数列参考记忆胞共享一源极线，且奇数列参考记忆胞与偶数列参考记忆胞之各别浮置闸极连接于一相同电压源VCC，各别之汲极则连接于比较器之输入端，以提供参考电流供记忆胞读取时逻辑状态之判断，一控制信号直接连接奇数列参考记忆胞之控制闸极，同时控制信号经一反相器连接于偶数列参考记忆胞，以控制其打开。因此，控制信号电压位准为1或0时，将可令上述其中之一种参考记忆胞输出电流至比较器之输入端。
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公开(公告)号：TWI686802B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW107133894
申请日：2018-09-26
Inventor： 李嘉富 , LEE, CHIA FU , 池育德 , CHIH, YU DER
IPC: G11C13/00
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公开(公告)号：TWI682403B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW107142817
申请日：2018-11-29
Inventor： 池育德 , CHIH, YU-DER , 朱文定 , CHU, WEN-TING , 鄒宗成 , CHOU, CHUNG-CHENG
IPC: G11C7/12 , G11C11/4063
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公开(公告)号：TWI676181B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：TW107147327
申请日：2018-12-27
Inventor： 池育德 , CHIH, YU-DER , 劉建瑛 , LIU, CHIEN-YIN , 史毅駿 , SHIH, YI-CHUN
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201903764A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107134139
申请日：2017-10-20
Inventor： 陳宇翔 , CHEN,YU-HSIANG , 周紹禹 , CHOU,SHAO-YU , 池育德 , CHIH,YU-DER
IPC: G11C8/08
Abstract: 一種字元線驅動器包括選擇字元線電位轉換器及控制字元線電位轉換器。選擇字元線電位轉換元器被配置成產生處於第一電壓域或第二電壓域中的至少一個輸出信號。控制字元線電位轉換器耦合至選擇字元線電位轉換器，並被配置成至少部分地基於由選擇字元線電位轉換器產生的至少一個輸出信號來產生處於第二電壓域或第三電壓域中的至少一個輸出信號。
Abstract in simplified Chinese: 一种字符线驱动器包括选择字符线电位转换器及控制字符线电位转换器。选择字符线电位转换元器被配置成产生处于第一电压域或第二电压域中的至少一个输出信号。控制字符线电位转换器耦合至选择字符线电位转换器，并被配置成至少部分地基于由选择字符线电位转换器产生的至少一个输出信号来产生处于第二电压域或第三电压域中的至少一个输出信号。
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公开(公告)号：TW201822214A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106119577
申请日：2017-06-13
Inventor： 池育德 , CHIH, YU-DER , 洪哲民 , HUNG, CHEN-MING , 曾仁洲 , TSENG, JEN-CHOU , 李介文 , LEE, JAM-WEM , 宋明相 , SONG, MING-HSIANG , 李淑娟 , LEE, SHU-CHUAN , 周紹禹 , CHOU, SHAO-YU , 蘇郁迪 , SU, YU-TI
Abstract: 一種記憶裝置包括儲存電路及熔絲保護電路。所述儲存電路包括儲存單元及編程線。所述儲存單元包括熔絲。所述編程線被配置成接收用於對所述熔絲進行編程的編程電壓。所述熔絲保護電路耦合至所述儲存電路並被配置成防止對所述熔絲進行意外的編程。
Abstract in simplified Chinese: 一种记忆设备包括存储电路及熔丝保护电路。所述存储电路包括存储单元及编程线。所述存储单元包括熔丝。所述编程线被配置成接收用于对所述熔丝进行编程的编程电压。所述熔丝保护电路耦合至所述存储电路并被配置成防止对所述熔丝进行意外的编程。
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公开(公告)号：TW201820324A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106136004
申请日：2017-10-20
Inventor： 陳宇翔 , CHEN, YU-HSIANG , 周紹禹 , CHOU, SHAO-YU , 池育德 , CHIH, YU-DER
IPC: G11C8/08
Abstract: 一種字元線驅動器包括選擇字元線電位轉換器及控制字元線電位轉換器。選擇字元線電位轉換元器被配置成產生處於第一電壓域或第二電壓域中的至少一個輸出信號。控制字元線電位轉換器耦合至選擇字元線電位轉換器，並被配置成至少部分地基於由選擇字元線電位轉換器產生的至少一個輸出信號來產生處於第二電壓域或第三電壓域中的至少一個輸出信號。
Abstract in simplified Chinese: 一种字符线驱动器包括选择字符线电位转换器及控制字符线电位转换器。选择字符线电位转换元器被配置成产生处于第一电压域或第二电压域中的至少一个输出信号。控制字符线电位转换器耦合至选择字符线电位转换器，并被配置成至少部分地基于由选择字符线电位转换器产生的至少一个输出信号来产生处于第二电压域或第三电压域中的至少一个输出信号。
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公开(公告)号：TWI597738B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW104138706
申请日：2015-11-23
Inventor： 池育德 , CHIH, YUE DER , 郭政雄 , KUO, CHENG HSIUNG , 李谷桓 , LI, GU HUAN , 陳中傑 , CHEN, CHUNG CHIEH
CPC classification number: G11C16/14 , G11C16/0433 , G11C16/26
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公开(公告)号：TWI537948B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW103126138
申请日：2014-07-31
Inventor： 池育德 , CHIH, YUE DER , 連秋旺 , LIEN, CHIU WANG , 李嘉富 , LEE, CHIA FU
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0038
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