公开(公告)号：TW201238078A

公开(公告)日：2012-09-16

申请号：TW100127690

申请日：2011-08-04

申请人： 三星LED股份有限公司

发明人： 韓尚憲 ,  李燾英 ,  林珍永 ,  金起成 ,  金榮善

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L33/007 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/325

摘要： 本發明提供一種製造發光二極體之方法,該方法包含:生長第一導電類型氮化物半導體層和主動層於第一反應室中基板上;將在其上生長有該第一導電類型氮化物半導體層和主動層之該基板轉移至第二反應室;以及生長第二導電類型氮化物半導體層於該第二反應室中該主動層上,其中,在轉移該基板至該第二反應之前,產生包含氮化物源氣體和摻雜劑源氣體之氣氛(atmosphere)於該第二反應室之內部,該摻雜劑源氣體供應摻雜劑以包含於該第二導電類型氮化物半導體層中。此方法改善系統之操作能力和生產力。此外,藉由此方法獲得的半導體層之結晶性和摻雜均勻性可加以改善。

简体摘要： 本发明提供一种制造发光二极管之方法,该方法包含:生长第一导电类型氮化物半导体层和主动层于第一反应室中基板上;将在其上生长有该第一导电类型氮化物半导体层和主动层之该基板转移至第二反应室;以及生长第二导电类型氮化物半导体层于该第二反应室中该主动层上,其中,在转移该基板至该第二反应之前,产生包含氮化物源气体和掺杂剂源气体之气氛(atmosphere)于该第二反应室之内部,该掺杂剂源气体供应掺杂剂以包含于该第二导电类型氮化物半导体层中。此方法改善系统之操作能力和生产力。此外,借由此方法获得的半导体层之结晶性和掺杂均匀性可加以改善。

公开(公告)号：TW201234415A

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：TW100140401

申请日：2011-11-04

申请人： 住友電氣工業股份有限公司

发明人： 鹽谷陽平 ,  京野孝史 ,  住友隆道 ,  善積祐介 ,  西塚幸司

IPC分类号： H01L ,  H01S

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/06 ,  H01L33/325 ,  H01S5/028 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3202 ,  H01S2302/00 ,  H01S2304/04

摘要： 本發明提供一種具有氧濃度降低之p型氮化鎵系半導體層之第III族氮化物半導體元件。第III族氮化物半導體元件11包括:基板13、n型第III族氮化物半導體區域15、發光層17、及p型第III族氮化物半導體區域19。基板13之主面13a自與沿該第1氮化鎵系半導體之c軸延伸之基準軸Cx正交之面Sc,以50度以上、未達130度之範圍之角度傾斜。p型第III族氮化物半導體區域19包含第一p型氮化鎵系半導體層21,第一p型氮化鎵系半導體層21之氧濃度為5�1017 cm-3以下。第一p型氮化鎵系半導體層21之p型摻雜物濃度Npd與氧濃度Noxg之濃度比(Noxg/Npd)為1/10以下。

简体摘要： 本发明提供一种具有氧浓度降低之p型氮化镓系半导体层之第III族氮化物半导体组件。第III族氮化物半导体组件11包括:基板13、n型第III族氮化物半导体区域15、发光层17、及p型第III族氮化物半导体区域19。基板13之主面13a自与沿该第1氮化镓系半导体之c轴延伸之基准轴Cx正交之面Sc,以50度以上、未达130度之范围之角度倾斜。p型第III族氮化物半导体区域19包含第一p型氮化镓系半导体层21,第一p型氮化镓系半导体层21之氧浓度为5�1017 cm-3以下。第一p型氮化镓系半导体层21之p型掺杂物浓度Npd与氧浓度Noxg之浓度比(Noxg/Npd)为1/10以下。

公开(公告)号：TW201230379A

公开(公告)日：2012-07-16

申请号：TW100133198

申请日：2011-09-15

申请人： 先驅能源公司

发明人： 富達拉 凱爾L ,  朱中亮 ,  帕特維茨 大衛 ,  強森 保羅R 馬爾柯夫 ,  庫赫塔 馬修C ,  邱密茲 偉恩A

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： 本發明提供一種利用在基板上沈積各種成分的層膜,且將該成分轉換為薄膜光伏吸收材料以製備太陽能電池的製程。本發明之製程可用來在製備太陽能電池時控制金屬原子的化學計量,以得到特定濃度,並提供金屬原子濃度梯度。一硒層可用來將一薄層光伏吸收材料退火。製備太陽能電池的墨液可含有一鹼離子源化合物。該製程可用於CIS或CIGS。

简体摘要： 本发明提供一种利用在基板上沉积各种成分的层膜,且将该成分转换为薄膜光伏吸收材料以制备太阳能电池的制程。本发明之制程可用来在制备太阳能电池时控制金属原子的化学计量,以得到特定浓度,并提供金属原子浓度梯度。一硒层可用来将一薄层光伏吸收材料退火。制备太阳能电池的墨液可含有一碱离子源化合物。该制程可用于CIS或CIGS。

公开(公告)号：TW201229334A

公开(公告)日：2012-07-16

申请号：TW100147936

申请日：2007-11-09

申请人： 世創電子材料公司

发明人： 紹爾 雷恩哈德 ,  華納 諾伯特

IPC分类号： C30B ,  H01L

CPC分类号： H01L21/02579 ,  C23C16/4585 ,  C30B25/12 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/68735 ,  Y10T428/24612

摘要： 本發明係關於一種用於製造經磊晶塗覆之半導體晶圓之方法，其中係製備複數個至少在其正面上經拋光的半導體晶圓，並且依次個別透過化學氣相沉積法在磊晶爐內於800至1200℃的溫度下將一磊晶層塗覆至該經拋光之正面上，逐一地將一片所製備的半導體晶圓支撐在本發明用於在磊晶爐內透過化學氣相沉積法沉積一層於一半導體晶圓之正面上的期間內支撐該半導體晶圓的裝置上，該裝置包含一具有透氣性結構的基座及位於該基座上作為該基座與所支撐的半導體晶圓間之熱緩衝器的環，以使該半導體晶圓藉該環而支撐住，該半導體晶圓的背面朝向具有透氣性結構之基座底部但不接觸該基座，從而透過氣體擴散使氣態物質從該半導體晶圓的背面處區域通過該基座導入該基座的背面處區域內，且該半導體晶圓僅在其背面之邊緣區域內與該環相接觸，且於該半導體晶圓內完全不會產生利用光彈性應力測量法(SIRD)可測得之應力。

简体摘要： 本发明系关于一种用于制造经磊晶涂覆之半导体晶圆之方法，其中系制备复数个至少在其正面上经抛光的半导体晶圆，并且依次个别透过化学气相沉积法在磊晶炉内于800至1200℃的温度下将一磊晶层涂覆至该经抛光之正面上，逐一地将一片所制备的半导体晶圆支撑在本发明用于在磊晶炉内透过化学气相沉积法沉积一层于一半导体晶圆之正面上的期间内支撑该半导体晶圆的设备上，该设备包含一具有透气性结构的基座及位于该基座上作为该基座与所支撑的半导体晶圆间之热缓冲器的环，以使该半导体晶圆藉该环而支撑住，该半导体晶圆的背面朝向具有透气性结构之基座底部但不接触该基座，从而透过气体扩散使气态物质从该半导体晶圆的背面处区域通过该基座导入该基座的背面处区域内，且该半导体晶圆仅在其背面之边缘区域内与该环相接触，且于该半导体晶圆内完全不会产生利用光弹性应力测量法(SIRD)可测得之应力。

公开(公告)号：TW201214526A

公开(公告)日：2012-04-01

申请号：TW100122054

申请日：2011-06-23

申请人： 曼瑟森三汽油公司 ,  萬國商業機器公司

发明人： 弗朗西斯 泰利 亞瑟 ,  羽坂聰史 ,  伯雷斑 保羅 大衛 ,  托雷斯二世 羅伯特 ,  何洪 ,  瑞尼克 亞歷山大 ,  湯姆士N 亞當 ,  德文達K 莎妲娜

IPC分类号： H01L ,  C30B

CPC分类号： H01L21/02532 ,  C23C16/30 ,  C23C16/325 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636

摘要： 本發明揭露一種磊晶矽薄膜之形成方法，其係利用一改良式化學氣相沈積(mCVD)條件，並將設置在一腔室中的一基板暴露於具有相對較高流速之承載氣體及具有相對較低流速之矽前驅物中，在550℃以下之溫度及10 mTorr至200 Torr之壓力下進行沈積製程；此外，可以在結晶矽中以在內摻雜加入高等級之置換碳，其係藉由此改良式化學氣相沈積條件，以較高流速之矽源及碳源進行沈積製程，其中，矽源係為四矽烷，碳源係為十二甲基環己矽烷或四甲基二矽烷。

简体摘要： 本发明揭露一种磊晶硅薄膜之形成方法，其系利用一改良式化学气相沉积(mCVD)条件，并将设置在一腔室中的一基板暴露于具有相对较高流速之承载气体及具有相对较低流速之硅前驱物中，在550℃以下之温度及10 mTorr至200 Torr之压力下进行沉积制程；此外，可以在结晶硅中以在内掺杂加入高等级之置换碳，其系借由此改良式化学气相沉积条件，以较高流速之硅源及碳源进行沉积制程，其中，硅源系为四硅烷，碳源系为十二甲基环己硅烷或四甲基二硅烷。

公开(公告)号：TW201213599A

公开(公告)日：2012-04-01

申请号：TW100122053

申请日：2011-06-23

申请人： 曼瑟森三汽油公司

发明人： 托雷斯二世 羅伯特 ,  弗朗西斯 泰利 亞瑟 ,  羽坂聰史 ,  伯雷斑 保羅 大衛

IPC分类号： C23C ,  H01L

CPC分类号： H01L21/02529 ,  C23C16/24 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262

摘要： 本發明揭露一種利用環己矽烷進行化學氣相沈積之方法，以便在基板上沈積形成磊晶含矽薄膜，本發明之方法係用於半導體製造中，其優點在於：可以均勻地沈積於異質表面，高沈積速率，及高製造良率。另外，當利用環己矽烷為矽源，並使用含碳氣體(如十二甲基環己矽烷或四甲基二矽烷)，同時以高流速改良化學氣相沈積製程條件時，藉由在內摻雜方式，結晶矽可以包含有高等級之置換碳。

简体摘要： 本发明揭露一种利用环己硅烷进行化学气相沉积之方法，以便在基板上沉积形成磊晶含硅薄膜，本发明之方法系用于半导体制造中，其优点在于：可以均匀地沉积于异质表面，高沉积速率，及高制造良率。另外，当利用环己硅烷为硅源，并使用含碳气体(如十二甲基环己硅烷或四甲基二硅烷)，同时以高流速改良化学气相沉积制程条件时，借由在内掺杂方式，结晶硅可以包含有高等级之置换碳。

公开(公告)号：TW201205874A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：TW100124668

申请日：2011-07-12

申请人： 應用材料股份有限公司

发明人： 崔傑 ,  布爾大衛 ,  許偉勇

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/0254 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262

摘要： 本案描述使用多腔室工具中的專用腔室製造p-GaN及相關膜層之方法及系統。本發明亦描述使用鎂急劇衰減輪廓製造摻雜鎂之III-V族材料層(例如GaN層)的方法。

简体摘要： 本案描述使用多腔室工具中的专用腔室制造p-GaN及相关膜层之方法及系统。本发明亦描述使用镁急剧衰减轮廓制造掺杂镁之III-V族材料层(例如GaN层)的方法。

公开(公告)号：TW201137950A

公开(公告)日：2011-11-01

申请号：TW099145807

申请日：2010-12-24

申请人： 日產化學工業股份有限公司

发明人： 古性均 ,  野原雄貴 ,  渡邊久幸 ,  後藤裕一

IPC分类号： H01L ,  H05H

CPC分类号： C08J3/28 ,  B01J19/081 ,  B01J19/087 ,  C08J2383/16 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/2254 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/182 ,  H01L31/20 ,  H05H2245/123 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

摘要： 本發明係提供一種可在低溫下形成安定的非晶質矽膜及多結晶矽膜,同時賦予在大氣壓環境下導電性之摻雜技術。本發明係有關一種含有周期表第4族元素至第15族元素間之異種元素鍵結的化合物之製造方法,其特徵為藉由在大氣壓中,於金屬管或絕緣體管中設置有高電壓電極之放電管內或平板電極間流通導入氣體且以低頻率施加高電壓,使存在於放電管內或平板電極間之分子予以電漿化,使該電漿照射於2種以上之元素單體或化合物上。上述含有異種元素鍵結之化合物,係含有周期表第13族元素至第15族元素間之異種元素鍵結的化合物。照射上述電漿或藉由電漿激勵的周圍氣體之自由基,同時更照射紫外線的製造方法。

简体摘要： 本发明系提供一种可在低温下形成安定的非晶质硅膜及多结晶硅膜,同时赋予在大气压环境下导电性之掺杂技术。本发明系有关一种含有周期表第4族元素至第15族元素间之异种元素键结的化合物之制造方法,其特征为借由在大气压中,于金属管或绝缘体管中设置有高电压电极之放电管内或平板电极间流通导入气体且以低频率施加高电压,使存在于放电管内或平板电极间之分子予以等离子化,使该等离子照射于2种以上之元素单体或化合物上。上述含有异种元素键结之化合物,系含有周期表第13族元素至第15族元素间之异种元素键结的化合物。照射上述等离子或借由等离子激励的周围气体之自由基,同时更照射紫外线的制造方法。

公开(公告)号：TW201125041A

公开(公告)日：2011-07-16

申请号：TW099141261

申请日：2010-11-29

申请人： 應用材料股份有限公司

发明人： 韓新海 ,  拉札高帕藍納卡拉詹 ,  朴智愛 ,  梅寶其班徹奇 ,  朴興來 ,  金柏涵

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/0262 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02603 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/868

摘要： 在此描述一種在基材上形成高電流密度的垂直p-i-n二極體的方法。該方法包括以下步驟：同時將含四族元素的前驅物結合一依序式的暴露，該依序式的暴露是以任一次序對一n型摻質前驅物及一p型摻質前驅物暴露。透過減少或消除該等摻質前驅物之流動同時流入該含四族元素之前驅物，而在該n型層與該p型層之間沉積一本質型層。在每一該n型層、本質型層與p型層之該沉積的期間，該基材可留在相同的處理腔室中，且該基材在相鄰層之該等沉積之間不暴露至大氣。

简体摘要： 在此描述一种在基材上形成高电流密度的垂直p-i-n二极管的方法。该方法包括以下步骤：同时将含四族元素的前驱物结合一依序式的暴露，该依序式的暴露是以任一次序对一n型掺质前驱物及一p型掺质前驱物暴露。透过减少或消除该等掺质前驱物之流动同时流入该含四族元素之前驱物，而在该n型层与该p型层之间沉积一本质型层。在每一该n型层、本质型层与p型层之该沉积的期间，该基材可留在相同的处理腔室中，且该基材在相邻层之该等沉积之间不暴露至大气。

公开(公告)号：TWI337757B

公开(公告)日：2011-02-21

申请号：TW095130974

申请日：2006-08-23

申请人： 東京威力科創股份有限公司

发明人： 安東尼 迪普 ,  吳承和 ,  艾倫 J. 萊斯

IPC分类号： H01L ,  C23C

CPC分类号： C30B25/165 ,  C23C16/24 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45523 ,  C30B29/06 ,  C30B29/52 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636

摘要： 本發明提供一種以斷續沈積製程在基板上選擇性地形成含Si膜的方法。該方法包含：提供包含一成長表面及一非成長表面的基板；藉著將該基板暴露至HX氣體中並同時將該基板暴露至含氯矽烷氣體的一脈衝循環中，選擇性地在該成長表面上形成一含Si膜。該含Si膜可為Si膜或SiGe膜，係選擇性地形成在Si或SiGe之成長表面上，但卻不形成在氧化物、氮化物或氮氧化物之非成長表面上。

简体摘要： 本发明提供一种以断续沉积制程在基板上选择性地形成含Si膜的方法。该方法包含：提供包含一成长表面及一非成长表面的基板；借着将该基板暴露至HX气体中并同时将该基板暴露至含氯硅烷气体的一脉冲循环中，选择性地在该成长表面上形成一含Si膜。该含Si膜可为Si膜或SiGe膜，系选择性地形成在Si或SiGe之成长表面上，但却不形成在氧化物、氮化物或氮氧化物之非成长表面上。