公开(公告)号：TW201112378A

公开(公告)日：2011-04-01

申请号：TW099104347

申请日：2010-02-11

申请人： 海力士半導體股份有限公司

发明人： 李鎮九 ,  李泳昊 ,  李美梨

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/7845 ,  H01L21/28518 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7856

摘要： 一種製造一半導體裝置之方法包含以一雜質摻雜形成一第一導電層,用以在一半導體基板上方形成一胞元接面;於該第一導電層上方形成一第二導電層;藉由蝕刻該第二導電層以及該第一導電層,形成複數主動區,該等複數主動區係藉由溝槽而互相分開;形成一側邊接點,連接該第一導電層之側壁;以及形成複數條金屬位元線,每一條金屬位元線連接該側邊接點以及填入每一溝槽之部分。

简体摘要： 一种制造一半导体设备之方法包含以一杂质掺杂形成一第一导电层,用以在一半导体基板上方形成一胞元接面;于该第一导电层上方形成一第二导电层;借由蚀刻该第二导电层以及该第一导电层,形成复数主动区,该等复数主动区系借由沟槽而互相分开;形成一侧边接点,连接该第一导电层之侧壁;以及形成复数条金属比特线,每一条金属比特线连接该侧边接点以及填入每一沟槽之部分。

公开(公告)号：TWI317985B

公开(公告)日：2009-12-01

申请号：TW092130886

申请日：2003-11-05

申请人： 高級微裝置公司

发明人： 卡瓦皮克 羅蘭 ,  安西琳 ,  林明仁 ,  王海宏

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L27/1203 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7856

摘要： 一種NOR閘，係由二個非對稱鰭型場效電晶體(FinFET)類型之電晶體(801,802)所構成替代習知由四個電晶體所構成之NOR閘。電晶體數目由四個降至兩個可明顯增進積體半導體電路之功效。 A NOR gate includes is constructed with two asymmetric FinFET type transistors (801, 802) instead of the conventional four-transistor NOR gate. The reduction in the number of transistors from four down to two allows for significant improvements in integrated semiconductor circuits.

简体摘要： 一种NOR闸，系由二个非对称鳍型场效应管(FinFET)类型之晶体管(801,802)所构成替代习知由四个晶体管所构成之NOR闸。晶体管数目由四个降至两个可明显增进积体半导体电路之功效。 A NOR gate includes is constructed with two asymmetric FinFET type transistors (801, 802) instead of the conventional four-transistor NOR gate. The reduction in the number of transistors from four down to two allows for significant improvements in integrated semiconductor circuits.

公开(公告)号：TW200947565A

公开(公告)日：2009-11-16

申请号：TW098107482

申请日：2009-03-06

申请人： 美光科技公司

发明人： 鐘琳 華納

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/7856 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7851

摘要： 本發明揭示方法、系統及裝置，其包括一種包括以下動作之方法：形成一半導體鰭片(142)、形成一與該半導體鰭片(142)相鄰之犧牲材料(146)、藉由一介電材料(154)而覆蓋該犧牲材料(146)、藉由自該介電材料(154)下方移除該犧牲材料(146)而形成一空腔(160)，及在該空腔(160)中形成一閘極(168)。

简体摘要： 本发明揭示方法、系统及设备，其包括一种包括以下动作之方法：形成一半导体鳍片(142)、形成一与该半导体鳍片(142)相邻之牺牲材料(146)、借由一介电材料(154)而覆盖该牺牲材料(146)、借由自该介电材料(154)下方移除该牺牲材料(146)而形成一空腔(160)，及在该空腔(160)中形成一闸极(168)。

公开(公告)号：TWI262560B

公开(公告)日：2006-09-21

申请号：TW092102859

申请日：2003-02-12

申请人： 飛思卡爾半導體公司 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.

发明人： 里歐 馬修 LEO MATHEW ,  比其-顏 恩古顏 BICH-YEN NGUYEN ,  麥可 沙德 MICHAEL SADD ,  布魯斯E. 懷特 BRUCE E. WHITE

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7856

摘要： 本發明揭示一種直立閘極半導體裝置(10)，其具有各自獨立且不連續的閘極區域(62、64)。該等獨立閘極區域可利用如下方法形成：沈積一閘極材料(28)，以及各向異性蝕刻、拋光或回蝕該閘極材料，以在該直立閘極半導體裝置之任一面上形成各自獨立之閘極區域。在可能相互絕緣或導電之各獨立閘極區域上形成一(66)或兩個(68、70)接觸點。若各獨立閘極區域由多晶矽組成，則需要摻雜。在一項具體實施例中，摻雜的各獨立閘極區域具有相同的導電率。在另一項具體實施例中，藉由一獨立閘極區域n型摻雜，而另一獨立閘極區域p型摻雜而形成一不對稱之半導體裝置。

简体摘要： 本发明揭示一种直立闸极半导体设备(10)，其具有各自独立且不连续的闸极区域(62、64)。该等独立闸极区域可利用如下方法形成：沉积一闸极材料(28)，以及各向异性蚀刻、抛光或回蚀该闸极材料，以在该直立闸极半导体设备之任一面上形成各自独立之闸极区域。在可能相互绝缘或导电之各独立闸极区域上形成一(66)或两个(68、70)接触点。若各独立闸极区域由多晶硅组成，则需要掺杂。在一项具体实施例中，掺杂的各独立闸极区域具有相同的导电率。在另一项具体实施例中，借由一独立闸极区域n型掺杂，而另一独立闸极区域p型掺杂而形成一不对称之半导体设备。

公开(公告)号：TW200539279A

公开(公告)日：2005-12-01

申请号：TW094110756

申请日：2005-04-04

申请人： 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

发明人： 布萊安特安德烈斯 BRYANT, ANDRES ,  達庫馬契歐梅爾H DOKUMACI, OMER H. ,  漢那非胡森I HANAFI, HUSSEIN I. ,  諾瓦克艾德華J NOWAK, EDWARD J.

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7856

摘要： 一種製造在前及背閘極側上具不同介電層厚度之背閘極鰭式場效電晶體(backgated FinFET)之方法，其包含如下步驟：將不純物通入鰭式場效電晶體之鰭之至少一側，以使具不同厚度之介電層可以形成。該可藉由植入法通入之不純物可增強或妨礙介電層之形成。

简体摘要： 一种制造在前及背闸极侧上具不同介电层厚度之背闸极鳍式场效应管(backgated FinFET)之方法，其包含如下步骤：将不纯物通入鳍式场效应管之鳍之至少一侧，以使具不同厚度之介电层可以形成。该可借由植入法通入之不纯物可增强或妨碍介电层之形成。

公开(公告)号：TW201919243A

公开(公告)日：2019-05-16

申请号：TW107108857

申请日：2018-03-15

申请人： 南韓商美格納半導體有限公司 ,  MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.

发明人： 金國煥 ,  KIM, GUK HWAN ,  孫振榮 ,  SON, JIN YEONG

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0852 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/311 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/088 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7836 ,  H01L29/7856

摘要： 一種半導體裝置係包含一第一導電類型的第一摻雜區域、一第二導電類型的第二摻雜區域、一源極區域、一汲極區域、一閘極絕緣膜、以及一閘極電極。該第一導電類型的第一摻雜區域係被形成在一基板區域中。該第二導電類型的第二摻雜區域係被形成在該基板中，以和該第一導電類型的第一摻雜區域間隔開。該源極區域係被形成在該第一導電類型的第一摻雜區域中。該汲極區域係被形成在該第二導電類型的第二摻雜區域中。該閘極絕緣膜係被形成在該源極區域與該汲極區域之間。該閘極絕緣膜的一第一端的一厚度係不同於該閘極絕緣膜的一第二端的一厚度。該閘極電極係被形成在該閘極絕緣膜上。

简体摘要： 一种半导体设备系包含一第一导电类型的第一掺杂区域、一第二导电类型的第二掺杂区域、一源极区域、一汲极区域、一闸极绝缘膜、以及一闸极电极。该第一导电类型的第一掺杂区域系被形成在一基板区域中。该第二导电类型的第二掺杂区域系被形成在该基板中，以和该第一导电类型的第一掺杂区域间隔开。该源极区域系被形成在该第一导电类型的第一掺杂区域中。该汲极区域系被形成在该第二导电类型的第二掺杂区域中。该闸极绝缘膜系被形成在该源极区域与该汲极区域之间。该闸极绝缘膜的一第一端的一厚度系不同于该闸极绝缘膜的一第二端的一厚度。该闸极电极系被形成在该闸极绝缘膜上。

公开(公告)号：TW201812910A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106112351

申请日：2017-04-13

申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

发明人： 黃 海苟 ,  HUANG, HAIGOU ,  劉 金平 ,  LIU, JIN PING ,  劉 黃 ,  LIU, HUANG ,  趙苔鳳 ,  CHAO, TAIFONG

IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7856

摘要： 各種實施例包括方法以及積體電路結構。在某些情況下，形成一積體電路結構的一方法可包括：形成一遮罩於一氧化層以及一底層鰭片結構組的上方，該鰭片結構組包括多個鰭片，各該鰭片具有一基板基部以及位於該基板基部上方的一矽化層；通過一開口注入該氮化層於該遮罩中；移除該遮罩；於移除該遮罩後，拋光覆蓋該鰭片結構組的該氧化層以暴露該鰭片結構組；以及形成一氮化層於該鰭片結構組的上方。

简体摘要： 各种实施例包括方法以及集成电路结构。在某些情况下，形成一集成电路结构的一方法可包括：形成一遮罩于一氧化层以及一底层鳍片结构组的上方，该鳍片结构组包括多个鳍片，各该鳍片具有一基板基部以及位于该基板基部上方的一硅化层；通过一开口注入该氮化层于该遮罩中；移除该遮罩；于移除该遮罩后，抛光覆盖该鳍片结构组的该氧化层以暴露该鳍片结构组；以及形成一氮化层于该鳍片结构组的上方。

公开(公告)号：TW201739050A

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：TW105123752

申请日：2016-07-27

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7856 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： 半導體元件包含基板、至少一主動區、至少一閘極結構，及絕緣結構。主動區位於至少部分基板內。閘極結構位於主動區上。閘極結構具有至少一端側壁及頂表面，端側壁與頂表面交會以形成頂部內角。頂部內角為銳角。絕緣結構位於基板上並相鄰於閘極結構之端側壁。

简体摘要： 半导体组件包含基板、至少一主动区、至少一闸极结构，及绝缘结构。主动区位于至少部分基板内。闸极结构位于主动区上。闸极结构具有至少一端侧壁及顶表面，端侧壁与顶表面交会以形成顶部内角。顶部内角为锐角。绝缘结构位于基板上并相邻于闸极结构之端侧壁。

公开(公告)号：TW201724280A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105137193

申请日：2016-11-15

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 張哲誠 ,  CHANG, CHE-CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH-HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG-HUEI

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/30 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7856

摘要： 一種半導體元件，其包括基板、多個絕緣體、介電層以及多個閘極。基板包括多個溝渠及在多個溝渠之間的半導體鰭片。多個絕緣體配置於多個溝渠內。介電層覆蓋半導體鰭片以及多個絕緣體。多個閘極的長度方向與半導體鰭片的長度方向不同。多個閘極包括至少一第一閘極以及至少一第二閘極，其中半導體鰭片穿過至少一第一閘極，半導體鰭片未穿透至少一第二閘極。第二閘極包括配置於介電層上的加寬部分，以及配置於加寬部分上的頂部分，其中加寬部分的底部寬度大於頂部分的寬度。

简体摘要： 一种半导体组件，其包括基板、多个绝缘体、介电层以及多个闸极。基板包括多个沟渠及在多个沟渠之间的半导体鳍片。多个绝缘体配置于多个沟渠内。介电层覆盖半导体鳍片以及多个绝缘体。多个闸极的长度方向与半导体鳍片的长度方向不同。多个闸极包括至少一第一闸极以及至少一第二闸极，其中半导体鳍片穿过至少一第一闸极，半导体鳍片未穿透至少一第二闸极。第二闸极包括配置于介电层上的加宽部分，以及配置于加宽部分上的顶部分，其中加宽部分的底部宽度大于顶部分的宽度。

公开(公告)号：TWI575742B

公开(公告)日：2017-03-21

申请号：TW104136451

申请日：2015-11-05

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 溫宗堯 ,  WEN, TSUNG YAO ,  邱耀德 ,  CHIOU, YAO DE ,  王聖禎 ,  WANG, SHENG CHEN ,  楊 世海 ,  YEONG, SAI-HOOI

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7856 ,  H01L21/823487 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851