公开(公告)号：TWI616864B

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：TW105128944

申请日：2011-04-20

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN

IPC: G09G3/36 ,  G09G3/34 ,  G09G3/20

CPC classification number: G09G3/3413 ,  G02F1/133603 ,  G09G3/006 ,  G09G3/3426 ,  G09G3/3607 ,  G09G2300/0452 ,  G09G2320/0261 ,  G09G2320/062 ,  G09G2320/0646 ,  G09G2320/066 ,  G09G2320/0666 ,  G09G2320/103 ,  G09G2330/021 ,  G09G2340/06 ,  G09G2360/16 ,  G09G2380/14 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225

公开(公告)号：TWI613759B

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：TW102141036

申请日：2013-11-12

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  木村肇 ,  KIMURA, HAJIME ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H02H9/045 ,  H01L27/0296 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L2227/323 ,  H02H9/044

公开(公告)号：TWI603137B

公开(公告)日：2017-10-21

申请号：TW105142502

申请日：2011-02-24

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 今藤敏和 ,  KONDO, TOSHIKAZU ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13606 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2202/10 ,  G09G3/3622 ,  G09G2300/0426 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1244 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TWI602180B

公开(公告)日：2017-10-11

申请号：TW104141519

申请日：2010-12-23

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: G11C14/00 ,  H03K3/356

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G06F1/206 ,  G11C11/412 ,  G11C27/024 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/1203 ,  H03K19/094 ,  H03K19/0948

公开(公告)号：TW201735186A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW106103969

申请日：2010-10-08

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI ,  高橋圭 ,  TAKAHASHI, KEI ,  豐高耕平 ,  TOYOTAKA, KOUHEI ,  津吹將志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  野田耕生 ,  NODA, KOSEI ,  桑原秀明 ,  KUWABARA, HIDEAKI

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/26 ,  G06K19/07758 ,  G11C7/00 ,  G11C19/28 ,  H01L21/8236 ,  H01L23/66 ,  H01L27/0883 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L2223/6677 ,  H02M3/07

Abstract: 本發明的課題之一是降低用於LSI、CPU或記憶體的電晶體的漏電流及寄生電容。使用如下薄膜電晶體來製造LSI、CPU或記憶體等的半導體積體電路，在上述薄膜電晶體中，去掉氧化物半導體中的成為電子給體(施體)的雜質，利用所得到的本徵或者實際上本徵的其能隙大於矽半導體的氧化物半導體來形成通道區。使用氫濃度被充分地降低而被高純度化的氧化物半導體層形成的薄膜電晶體可以實現由漏電流引起的耗電少的半導體裝置。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的课题之一是降低用于LSI、CPU或内存的晶体管的漏电流及寄生电容。使用如下薄膜晶体管来制造LSI、CPU或内存等的半导体集成电路，在上述薄膜晶体管中，去掉氧化物半导体中的成为电子给体(施体)的杂质，利用所得到的本征或者实际上本征的其能隙大于硅半导体的氧化物半导体来形成信道区。使用氢浓度被充分地降低而被高纯度化的氧化物半导体层形成的薄膜晶体管可以实现由漏电流引起的耗电少的半导体设备。

公开(公告)号：TW201730649A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW106114988

申请日：2010-10-05

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  荒澤亮 ,  ARASAWA, RYO ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  津吹將志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  野田耕生 ,  NODA, KOSEI

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786 ,  G09G3/36

CPC classification number: G09G3/3614 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/123 ,  G02F2202/10 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/08 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/08 ,  G09G2330/021 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/467 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

Abstract: 在於顯示部中包括複數像素而用以於複數框週期中執行顯示的液晶顯示裝置中，每一該框週期包括寫入週期及保持週期，及在影像信號於該寫入週期中輸入至每一該複數像素之後，每一該複數像素中所包括之電晶體被關閉，且該影像信號於該保持週期中保持達至少30秒。該像素包括具氧化物半導體層之半導體層，且該氧化物半導體層具有少於1×1014/cm3之載子濃度。

Abstract in simplified Chinese: 在于显示部中包括复数像素而用以于复数框周期中运行显示的液晶显示设备中，每一该框周期包括写入周期及保持周期，及在影像信号于该写入周期中输入至每一该复数像素之后，每一该复数像素中所包括之晶体管被关闭，且该影像信号于该保持周期中保持达至少30秒。该像素包括具氧化物半导体层之半导体层，且该氧化物半导体层具有少于1×1014/cm3之载子浓度。

公开(公告)号：TWI596830B

公开(公告)日：2017-08-21

申请号：TW100102857

申请日：2011-01-26

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN

IPC: H01Q1/22 ,  H04B1/06

CPC classification number: H01Q1/24 ,  G02F1/13452 ,  H01L27/1225 ,  H01Q1/2258 ,  H01Q1/38 ,  H01Q7/00 ,  H01Q25/005

公开(公告)号：TW201727917A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW106111736

申请日：2013-09-12

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI ,  宍戶英明 ,  SHISHIDO, HIDEAKI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/7869

Abstract: 本發明的一個方式的目的之一是提供孔徑比高且包括能夠增大電荷容量的電容元件的半導體裝置。另外，本發明的一個方式的目的之一是提供能夠降低耗電量的半導體裝置。本發明的半導體裝置包括：包括具有透光性的半導體膜的電晶體；在一對電極之間設置有介電膜的電容元件；設置於具有透光性的半導體膜上的絕緣膜；以及設置於絕緣膜上的第一具有透光性的導電膜。電容元件包括：用作一個電極的第一具有透光性的導電膜；用作電介質的絕緣膜；以及隔著該絕緣膜與第一具有透光性的導電膜對置的用作另一個電極的第二具有透光性的導電膜。此外，第二具有透光性的導電膜是與電晶體的具有透光性的半導體膜形成在同一表面上的含有摻雜劑的金屬氧化物膜。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式的目的之一是提供孔径比高且包括能够增大电荷容量的电容组件的半导体设备。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供能够降低耗电量的半导体设备。本发明的半导体设备包括：包括具有透光性的半导体膜的晶体管；在一对电极之间设置有介电膜的电容组件；设置于具有透光性的半导体膜上的绝缘膜；以及设置于绝缘膜上的第一具有透光性的导电膜。电容组件包括：用作一个电极的第一具有透光性的导电膜；用作电介质的绝缘膜；以及隔着该绝缘膜与第一具有透光性的导电膜对置的用作另一个电极的第二具有透光性的导电膜。此外，第二具有透光性的导电膜是与晶体管的具有透光性的半导体膜形成在同一表面上的含有掺杂剂的金属氧化物膜。

公开(公告)号：TW201727611A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW106111733

申请日：2010-10-13

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI

IPC: G09G3/30 ,  G09G3/20 ,  G09F9/00 ,  H01L27/12

CPC classification number: G09G3/3208 ,  G09G3/2003 ,  G09G3/3233 ,  G09G2330/021 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明的目的係設置降低電力消耗之顯示裝置，設置降低電力消耗且能夠在黑暗處長期使用之自發光顯示裝置。使用薄膜電晶體形成電路，在該薄膜電晶體中使用高純度的氧化物半導體和像素能夠保持某種狀態(已寫入視頻信號之狀態)。結果，甚至在顯示靜止影像時，仍容易執行穩定操作。此外，可延長驅動器電路的操作間距，如此能夠降低顯示裝置的電力消耗。而且，在自發光顯示裝置的像素部中使用光儲存材料來儲存光，藉以可長時間在黑暗處使用該顯示裝置。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的系设置降低电力消耗之显示设备，设置降低电力消耗且能够在黑暗处长期使用之自发光显示设备。使用薄膜晶体管形成电路，在该薄膜晶体管中使用高纯度的氧化物半导体和像素能够保持某种状态(已写入视频信号之状态)。结果，甚至在显示静止影像时，仍容易运行稳定操作。此外，可延长驱动器电路的操作间距，如此能够降低显示设备的电力消耗。而且，在自发光显示设备的像素部中使用光存储材料来存储光，借以可长时间在黑暗处使用该显示设备。

公开(公告)号：TWI591409B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：TW104144230

申请日：2011-03-25

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/36 ,  G09G3/20

CPC classification number: G09G3/3688 ,  G09G2300/0417