公开(公告)号：TWI606288B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：TW105110571

申请日：2010-10-05

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  荒澤亮 ,  ARASAWA, RYO ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  津吹將志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  野田耕生 ,  NODA, KOSEI

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786 ,  G09G3/36

CPC classification number: G09G3/3614 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/123 ,  G02F2202/10 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/08 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/08 ,  G09G2330/021 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/467 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TW201739694A

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：TW106109127

申请日：2017-03-20

Applicant: TDK股份有限公司 ,  TDK CORPORATION

Inventor： 內山弘基 ,  UCHIYAMA, HIROKI ,  政岡雷太郎 ,  MASAOKA, RAITAROU ,  藤井祥平 ,  FUJII, SHOHEI ,  城川真生子 ,  SHIROKAWA, MAIKO

IPC: C01D1/00 ,  C04B35/01 ,  H01B3/12

CPC classification number: C01F11/02 ,  C01F5/02 ,  C01P2002/74 ,  C04B35/03 ,  C04B35/04 ,  C04B35/057 ,  C04B35/486 ,  C04B35/62218 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/762 ,  C23C14/082 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3414 ,  H01G4/085 ,  H01G4/10 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02266 ,  H01L28/55

Abstract: 本發明的目的在於提供一種具有高相對介電常數、Q值及絕緣擊穿電壓之介電體膜及使用該介電體組成物的電子零件。上述介電體膜之特徵在於：上述介電體膜以具有NaCl型結晶構造之鹼土金屬氧化物為主成分；上述介電體膜在法線方向具有(111)配向的柱狀結構；在上述介電體膜的Cu-Kα X射線繞射圖中，(111)之繞射峰的半高寬為0.3°~2.0°。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的在于提供一种具有高相对介电常数、Q值及绝缘击穿电压之介电体膜及使用该介电体组成物的电子零件。上述介电体膜之特征在于：上述介电体膜以具有NaCl型结晶构造之碱土金属氧化物为主成分；上述介电体膜在法线方向具有(111)配向的柱状结构；在上述介电体膜的Cu-Kα X射线绕射图中，(111)之绕射峰的半高宽为0.3°~2.0°。

公开(公告)号：TWI597844B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW103128861

申请日：2014-08-21

Applicant: 獨立行政法人產業技術綜合研究所 ,  NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY

Inventor： 右田真司 ,  MIGITA, SHINJI ,  太田裕之 ,  OTA, HIROYUKI ,  福田浩一 ,  FUKUDA, KOICHI

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02266 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/20 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TWI589718B

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW102139626

申请日：2013-10-31

Applicant: 日本碍子股份有限公司 ,  NGK INSULATORS, LTD.

Inventor： 佐藤洋介 ,  磯田佳範 ,  勝田祐司

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C04B35/04 ,  C04B35/053 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  G11B5/3909 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02266 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

公开(公告)号：TW201724281A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105137767

申请日：2016-11-18

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE-CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH-HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG-HUEI

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/785

Abstract: 一種鰭式場效電晶體的製作方法，包括：圖案化基板以形成多個溝渠以及位於溝渠之間的半導體鰭片。於溝渠內形成多個絕緣體，並且形成第一介電層以覆蓋半導體鰭片與絕緣體。於第一介電層上形成擬閘極條。於擬閘極條的側壁上形成多個間隙物擬閘極條。移除擬閘極條與位於其下方的第一介電層直到間隙物的側壁、半導體鰭片的部分以及絕緣體的部分被暴露出來。形成第二介電層以順應地覆蓋間隙物的側壁、半導體鰭片被暴露出來的部分以及絕緣體被暴露出來的部分，其中第一介電層的厚度小於第二介電層的厚度。於第二介電層上以及間隙物之間形成閘極。

Abstract in simplified Chinese: 一种鳍式场效应管的制作方法，包括：图案化基板以形成多个沟渠以及位于沟渠之间的半导体鳍片。于沟渠内形成多个绝缘体，并且形成第一介电层以覆盖半导体鳍片与绝缘体。于第一介电层上形成拟闸极条。于拟闸极条的侧壁上形成多个间隙物拟闸极条。移除拟闸极条与位于其下方的第一介电层直到间隙物的侧壁、半导体鳍片的部分以及绝缘体的部分被暴露出来。形成第二介电层以顺应地覆盖间隙物的侧壁、半导体鳍片被暴露出来的部分以及绝缘体被暴露出来的部分，其中第一介电层的厚度小于第二介电层的厚度。于第二介电层上以及间隙物之间形成闸极。

公开(公告)号：TW201517273A

公开(公告)日：2015-05-01

申请号：TW103128861

申请日：2014-08-21

Applicant: 獨立行政法人產業技術綜合研究所 ,  NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY

Inventor： 右田真司 ,  MIGITA, SHINJI ,  太田裕之 ,  OTA, HIROYUKI ,  福田浩一 ,  FUKUDA, KOICHI

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02266 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/20 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明之目的係提供一種可以低消耗電力，使次臨限區域之電流變化率於室溫下急峻化為不滿60mV/decade之場效電晶體。 本發明之場效電晶體其特徵在於：其係累積層動作型者，該場效電晶體包含：半導體層，其形成有共通設為N型及P型之任一導電型之源極區域、通道區域及汲極區域；及閘極電極，其係介隔閘極絕緣膜而與上述通道區域鄰接配置；且上述閘極絕緣膜係以具有相對介電常數根據施加於上述閘極電極之閘極電壓之大小而變少之上述相對介電常數之變化梯度之介電質形成。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的系提供一种可以低消耗电力，使次临限区域之电流变化率于室温下急峻化为不满60mV/decade之场效应管。 本发明之场效应管其特征在于：其系累积层动作型者，该场效应管包含：半导体层，其形成有共通设为N型及P型之任一导电型之源极区域、信道区域及汲极区域；及闸极电极，其系介隔闸极绝缘膜而与上述信道区域邻接配置；且上述闸极绝缘膜系以具有相对介电常数根据施加于上述闸极电极之闸极电压之大小而变少之上述相对介电常数之变化梯度之介电质形成。

公开(公告)号：TW201436651A

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：TW102137050

申请日：2013-10-15

Applicant: 三星電子股份有限公司 ,  SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. ,  山米凱公司 ,  SEMICAT, INC

Inventor： 朴正熙 ,  PARK, JEONGHEE ,  朴在烈 ,  PARK, JAE YEOL

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/54

CPC classification number: H01L21/02266 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/35 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/345 ,  H01J37/3452 ,  H01J37/3455 ,  H01J2237/332 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625

Abstract: 實施例大致與半導體元件的製造與製程相關，更具體地，是有關執行磁場產生器的系統與方法，所述磁場產生器經裝配以產生旋轉磁場而使物理氣相沈積易於進行。在一實施例中，系統在鄰近基底的第一周圍部分處產生磁場的第一部分，並且可在鄰近基底的第二周圍部分處產生磁場的第二部分。第二周圍部分設置在直徑的端點，所述直徑通過旋轉軸至直徑的另一個端點，第一周圍部分位在所述直徑的另一個端點。第二峰值強度可小於第一峰值強度。所述系統旋轉磁場的第一與第二部分以分解目標材料，以在鄰近基底處形成電漿。所述系統於基底上形成膜。

Abstract in simplified Chinese: 实施例大致与半导体组件的制造与制程相关，更具体地，是有关运行磁场产生器的系统与方法，所述磁场产生器经装配以产生旋转磁场而使物理气相沉积易于进行。在一实施例中，系统在邻近基底的第一周围部分处产生磁场的第一部分，并且可在邻近基底的第二周围部分处产生磁场的第二部分。第二周围部分设置在直径的端点，所述直径通过旋转轴至直径的另一个端点，第一周围部分位在所述直径的另一个端点。第二峰值强度可小于第一峰值强度。所述系统旋转磁场的第一与第二部分以分解目标材料，以在邻近基底处形成等离子。所述系统于基底上形成膜。

公开(公告)号：TW201418495A

公开(公告)日：2014-05-16

申请号：TW102139626

申请日：2013-10-31

Applicant: 日本碍子股份有限公司 ,  NGK INSULATORS, LTD.

Inventor： 佐藤洋介 ,  磯田佳範 ,  勝田祐司

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C04B35/04 ,  C04B35/053 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  G11B5/3909 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02266 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 本發明之陶瓷材料係為以鎂、鎵、鋰及氧為主成分的陶瓷材料，係以氧化鎂中固溶有氧化鎵及氧化鋰之固溶體的結晶相為主相。該固溶體其使用CuKα線時之(200)面的XRD峰較佳出現在大於氧化鎂之立方晶的峰的2θ=42.91°以上，更佳出現在2θ=42.91°~43.28°，再佳出現在2θ=42.91°~43.02°。更且，陶瓷材料係以Li與Ga之莫耳比Li/Ga處於0.80以上1.20以下之範圍為佳。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之陶瓷材料系为以镁、镓、锂及氧为主成分的陶瓷材料，系以氧化镁中固溶有氧化镓及氧化锂之固溶体的结晶相为主相。该固溶体其使用CuKα线时之(200)面的XRD峰较佳出现在大于氧化镁之立方晶的峰的2θ=42.91°以上，更佳出现在2θ=42.91°~43.28°，再佳出现在2θ=42.91°~43.02°。更且，陶瓷材料系以Li与Ga之莫耳比Li/Ga处于0.80以上1.20以下之范围为佳。

公开(公告)号：TW201131767A

公开(公告)日：2011-09-16

申请号：TW099133691

申请日：2010-10-04

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司

Inventor： 山崎舜平 ,  宮永昭治 ,  高橋正弘 ,  岸田英幸 ,  坂田淳一郎

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/02554 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明的一個靶為提供一種具穩定電氣特性之半導體裝置,其中使用氧化物半導體。該氧化物半導體層中雜質濃度係以下列方式降低:包括許多以懸鍵為代表之缺陷的氧化矽層經形成而與該氧化物半導體層接觸,且諸如該氧化物半導體層中所包括之氫或濕氣(氫原子或包括氫原子之化合物,諸如H2O)之雜質擴散進入該氧化矽層。而且,混合區係設於該氧化物半導體層與該氧化矽層之間。該混合區包括氧、矽及該氧化物半導體中所包括之至少一種金屬元素。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个靶为提供一种具稳定电气特性之半导体设备,其中使用氧化物半导体。该氧化物半导体层中杂质浓度系以下列方式降低:包括许多以悬键为代表之缺陷的氧化硅层经形成而与该氧化物半导体层接触,且诸如该氧化物半导体层中所包括之氢或湿气(氢原子或包括氢原子之化合物,诸如H2O)之杂质扩散进入该氧化硅层。而且,混合区系设于该氧化物半导体层与该氧化硅层之间。该混合区包括氧、硅及该氧化物半导体中所包括之至少一种金属元素。

公开(公告)号：TWI303677B

公开(公告)日：2008-12-01

申请号：TW094141332

申请日：2005-11-24

Applicant: 國立清華大學 NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY

Inventor： 郭瑞年 KWO, RAY NIEN ,  洪銘輝 HONG, MING HWEI ,  李威縉 ,  張翔筆 ,  吳彥達 ,  李昆育 ,  李毅君

IPC: C30B

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02269 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 本發明提供一種形成金氧半電晶體元件用之基板的製作方法,包含下列步驟:(A)在一壓力為1�10-6Torr以下之減壓環境中提供一完成表面重建之基底及一固態金屬氧化物源,其中,該固態金屬氧化物源是選自於下列所構成之群組:氧化鉿、氧化鋁、氧化鈧、氧化釔、氧化鈦、氧化鎵釓及稀土族金屬氧化物:及(B)氣化該固態金屬氧化物源,致使該固態金屬氧化物源呈相互鍵結的金屬氧化物分子束,並在一低於該固態金屬氧化物源之再結晶溫度的工作溫度下,於該基底上沉積一呈非晶態的第一金屬氧化物膜,進而製得一形成金氧半電晶體元件用之基板。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种形成金氧半晶体管组件用之基板的制作方法,包含下列步骤:(A)在一压力为1�10-6Torr以下之减压环境中提供一完成表面重建之基底及一固态金属氧化物源,其中,该固态金属氧化物源是选自于下列所构成之群组:氧化铪、氧化铝、氧化钪、氧化钇、氧化钛、氧化镓钆及稀土族金属氧化物:及(B)气化该固态金属氧化物源,致使该固态金属氧化物源呈相互键结的金属氧化物分子束,并在一低于该固态金属氧化物源之再结晶温度的工作温度下,于该基底上沉积一呈非晶态的第一金属氧化物膜,进而制得一形成金氧半晶体管组件用之基板。