公开(公告)号：TW201447991A

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：TW103106539

申请日：2014-02-26

申请人： 旭化成微電子股份有限公司 ,  ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION

发明人： 阪本敏郎 ,  SAKAMOTO, TOSHIRO

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/331 ,  H01L29/417 ,  H01L29/737

CPC分类号： H01L29/7378 ,  H01L21/28 ,  H01L29/66242

摘要： 本發明係一種具備將多晶矽膜用於發射電極之雙極電晶體之半導體裝置，該雙極電晶體包括：集電極區域，其形成於Si基板(1)；基底層(30)，其形成於集電極區域上；發射極區域(39)，其形成於基底層(30)中之自集電極區域隔開之上側部位；及氧化矽膜(41)，其形成於基底層(30)上，且覆蓋基底層(30)與發射極區域(39)之接合部。存在於上述之接合部中且與氧化矽膜(41)之界面之氟元素之濃度為1×1020 cm-3以上。

简体摘要： 本发明系一种具备将多晶硅膜用于发射电极之双极晶体管之半导体设备，该双极晶体管包括：集电极区域，其形成于Si基板(1)；基底层(30)，其形成于集电极区域上；发射极区域(39)，其形成于基底层(30)中之自集电极区域隔开之上侧部位；及氧化硅膜(41)，其形成于基底层(30)上，且覆盖基底层(30)与发射极区域(39)之接合部。存在于上述之接合部中且与氧化硅膜(41)之界面之氟元素之浓度为1×1020 cm-3以上。

公开(公告)号：TWI440179B

公开(公告)日：2014-06-01

申请号：TW099139473

申请日：2010-11-16

申请人： 晶豪科技股份有限公司 ,  ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC.

发明人： 周祥明 ,  CHOU, HSIANG MIN ,  陳新翰 ,  CHEN, HSIN HAN

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L29/417

公开(公告)号：TW201405671A

公开(公告)日：2014-02-01

申请号：TW102115985

申请日：2013-05-03

申请人： 宣昶股份有限公司 ,  MAXTEK TECHNOLOGY CO., LTD.

发明人： 廖克恭 ,  LIAO, KE KUNG ,  張東勝 ,  CHANG, TUNG SHENG ,  古俊彥 ,  KU, CHUN YEN ,  陳詩喻 ,  CHEN, SHIH YU

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L29/417

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/812

摘要： 一種用於天線切換電路的製程方法，其步驟包括提供一砷化鎵晶圓，其包括一覆蓋層；在砷化鎵晶圓設置一隔離層，以形成一元件區域；以及設置一閘極金屬於元件區域內的覆蓋層，閘極金屬與覆蓋層的一接觸面形成一蕭特基接面，且蕭特基接面與一阻抗並聯連接。本案亦揭露一種用於天線切換電路的半導體結構。

简体摘要： 一种用于天线切换电路的制程方法，其步骤包括提供一砷化镓晶圆，其包括一覆盖层；在砷化镓晶圆设置一隔离层，以形成一组件区域；以及设置一闸极金属于组件区域内的覆盖层，闸极金属与覆盖层的一接触面形成一萧特基接面，且萧特基接面与一阻抗并联连接。本案亦揭露一种用于天线切换电路的半导体结构。

公开(公告)号：TWI420578B

公开(公告)日：2013-12-21

申请号：TW099100984

申请日：2010-01-14

申请人： 科軒微電子股份有限公司 ,  GREAT POWER SEMICONDUCTOR CORP.

发明人： 許修文 ,  HSU, HSIU WEN

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/417

公开(公告)号：TWI411048B

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：TW097136898

申请日：2008-09-25

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 金 賓毅 ,  JIN, BEEN-YIH ,  道爾 布萊恩 ,  DOYLE, BRIAN ,  卡瓦李耶羅 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK ,  戴塔 蘇門 ,  DATTA, SUMAN

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7851 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848

公开(公告)号：TWI701723B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：TW107106646

申请日：2018-02-27

申请人： 南韓商三星電子股份有限公司 ,  SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

发明人： 羅德爾 馬克 S. ,  RODDER, MARK S. ,  洪俊顧 ,  HONG, JOON GOO

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/76 ,  H01L29/786 ,  H01L29/94

公开(公告)号：TWI695514B

公开(公告)日：2020-06-01

申请号：TW105111401

申请日：2016-04-12

申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 鳥海聰志 ,  TORIUMI, SATOSHI ,  濱田崇 ,  HAMADA, TAKASHI ,  丸山哲紀 ,  MARUYAMA, TETSUNORI ,  井本裕己 ,  IMOTO, YUKI ,  淺野裕治 ,  ASANO, YUJI ,  本田龍之介 ,  HONDA, RYUNOSUKE ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L29/24 ,  H01L29/51 ,  H01L27/12 ,  H01L27/105

公开(公告)号：TWI695497B

公开(公告)日：2020-06-01

申请号：TW107128409

申请日：2018-08-15

申请人： 美商豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

发明人： 王 勤 ,  WANG, QIN ,  潘 比爾 ,  PHAN, BILL ,  胡 信中 ,  HU, SING-CHUNG ,  陳 剛 ,  CHEN, GANG

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L29/417 ,  H01L27/148 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3215

公开(公告)号：TWI677097B

公开(公告)日：2019-11-11

申请号：TW106131487

申请日：2017-09-13

申请人： 創王光電股份有限公司 ,  INT TECH CO., LTD.

发明人： 鄭士嵩 ,  CHENG, SHIH-SONG

IPC分类号： H01L29/417 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TWI675475B

公开(公告)日：2019-10-21

申请号：TW107113393

申请日：2018-04-19

申请人： 澳門商萬民半導體 (澳門) 有限公司 ,  ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR (MACAU), LIMITED

发明人： 雷 燮光 ,  LUI, SIK ,  博德 馬督兒 ,  BODBE, MADHUR ,  潘 繼 ,  PAN, JI

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/167 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/74 ,  H01L21/28