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    銅合金濺鍍靶材及銅合金濺鍍靶材之製造方法
    3.
    发明专利
    銅合金濺鍍靶材及銅合金濺鍍靶材之製造方法 审中-公开
    铜合金溅镀靶材及铜合金溅镀靶材之制造方法

    公开(公告)号：TW201520345A

    公开(公告)日：2015-06-01

    申请号：TW103125290

    申请日：2014-07-24

    申请人： 三菱綜合材料股份有限公司 ,  MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION

    发明人： 森曉 ,  MORI, SATORU ,  坂本敏夫 ,  SAKAMOTO, TOSHIO ,  大久保清之 ,  OOKUBO, KIYOYUKI

    IPC分类号： C22C9/00 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34

    CPC分类号： H01J37/3429 ,  B22D7/005 ,  B22D11/004 ,  B22D11/108 ,  C22C1/02 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3491

    摘要： 本發明的銅合金濺鍍靶材，係由Ca的含有量為0.3質量%~1.7質量%、Mg與Al的合計含有量為5質量ppm以下、氧的含有量為20質量ppm以下、其餘部分為Cu及不可避免的雜質之銅合金所成。本發明的銅合金濺鍍靶材之製造方法，係具有：準備純度99.99質量%以上的銅之程序；將前述銅在惰性氣體環境或還原氣體環境中、坩堝內作高頻熔化而獲得熔融銅之程序；對於前述熔融銅添加純度98.5質量%以上的Ca作熔化而以成為具有既定的成分組成之熔融金屬的方式作成分調整之程序；將具有前述既定的成分組成之熔融金屬在經冷卻之鑄模作鑄造而獲得鑄塊的程序；及對於前述鑄塊作熱間壓延後，作消除應力退火之程序。

    简体摘要： 本发明的铜合金溅镀靶材，系由Ca的含有量为0.3质量%~1.7质量%、Mg与Al的合计含有量为5质量ppm以下、氧的含有量为20质量ppm以下、其余部分为Cu及不可避免的杂质之铜合金所成。本发明的铜合金溅镀靶材之制造方法，系具有：准备纯度99.99质量%以上的铜之进程；将前述铜在惰性气体环境或还原气体环境中、坩埚内作高频熔化而获得熔融铜之进程；对于前述熔融铜添加纯度98.5质量%以上的Ca作熔化而以成为具有既定的成分组成之熔融金属的方式作成分调整之进程；将具有前述既定的成分组成之熔融金属在经冷却之铸模作铸造而获得铸块的进程；及对于前述铸块作热间压延后，作消除应力退火之进程。

    Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶材之製造方法以及Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶材
    6.
    发明专利
    Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶材之製造方法以及Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶材 审中-公开
    Ｃｕ－Ｇａ合金溅镀靶材之制造方法以及Ｃｕ－Ｇａ合金溅镀靶材

    公开(公告)号：TW201742940A

    公开(公告)日：2017-12-16

    申请号：TW106101888

    申请日：2017-01-19

    申请人： 三菱綜合材料股份有限公司 ,  MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION

    发明人： 吉田勇気 ,  YOSHIDA, YUKI ,  植田稔晃 ,  UEDA, TOSHIAKI ,  森曉 ,  MORI, SATORU

    IPC分类号： C23C14/34 ,  B22F3/10 ,  C22C9/00

    摘要： 本發明之Cu-Ga合金濺鍍靶材之製造方法，係由Cu-Ga合金所構成，且具有中空部之Cu-Ga合金濺鍍靶材(10)，其特徵係具有如下步驟：預燒步驟(S02)，其係將至少含有CuGa合金粉之原料粉填充於具有中間體(32)之成形模具，在還原環境下進行加熱而形成預燒體(13)；及，本燒結步驟(S03)，其係從前述預燒體(13)取出前述中間體(32)，在還原環境中加熱前述預燒體(13)而形成燒結體；在前述預燒步驟(S02)中，係使用以線熱膨脹係數比構成前述Cu-Ga合金濺鍍靶材(10)之Cu-Ga合金大之材質所構成者作為前述中間體(32)，在100℃以上600℃以下之溫度維持10分鐘以上10小時以下，以形成前述預燒體(13)。

    简体摘要： 本发明之Cu-Ga合金溅镀靶材之制造方法，系由Cu-Ga合金所构成，且具有中空部之Cu-Ga合金溅镀靶材(10)，其特征系具有如下步骤：预烧步骤(S02)，其系将至少含有CuGa合金粉之原料粉填充于具有中间体(32)之成形模具，在还原环境下进行加热而形成预烧体(13)；及，本烧结步骤(S03)，其系从前述预烧体(13)取出前述中间体(32)，在还原环境中加热前述预烧体(13)而形成烧结体；在前述预烧步骤(S02)中，系使用以线热膨胀系数比构成前述Cu-Ga合金溅镀靶材(10)之Cu-Ga合金大之材质所构成者作为前述中间体(32)，在100℃以上600℃以下之温度维持10分钟以上10小时以下，以形成前述预烧体(13)。