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公开(公告)号：TWI653355B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW103123796
申请日：2014-07-10
发明人： 櫻井晶 , SAKURAI, AKIRA , 谷雨 , GU, YU , 佐藤雄次 , SATO, YUJI , 熊谷訓 , KUMAGAI, SATOSHI
IPC分类号： C23C14/34
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公开(公告)号：TWI696714B
公开(公告)日：2020-06-21
申请号：TW105125778
申请日：2016-08-12
发明人： 森暁 , MORI, SATORU , 谷雨 , TANI, U , 佐藤雄次 , SATO, YUUJI , 菊池文武 , KIKUCHI, FUMITAKE , 荒井公 , ARAI, ISAO
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公开(公告)号：TW202026435A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108138144
申请日：2019-10-23
发明人： 森曉 , MORI, SATORU , 熊谷訓 , KUMAGAI, SATOSHI , 谷雨 , TANI, U , 佐藤雄次 , SATO, YUUJI
摘要： 一種濺鍍靶材，含有由Ag,As,Pb,Sb,Bi,Cd,Sn,Ni,Fe之中所選擇的1種或2種以上合計在5質量ppm以上50質量ppm以下的範圍，餘部為銅及不可避免的不純物所構成，以電子後方散射繞射法觀察，不含雙晶而作為面積平均所算出的平均結晶粒徑為X1(μm)，極點圖的強度最大值為X2的場合，滿足：(1)式：2500＞19×X1+290×X2，同時以電子後方散射繞射法測定的結晶方位之局部方位差(KAM)為2.0°以下，相對密度為95%以上。
简体摘要： 一种溅镀靶材，含有由Ag,As,Pb,Sb,Bi,Cd,Sn,Ni,Fe之中所选择的1种或2种以上合计在5质量ppm以上50质量ppm以下的范围，余部为铜及不可避免的不纯物所构成，以电子后方散射绕射法观察，不含双晶而作为面积平均所算出的平均结晶粒径为X1(μm)，极点图的强度最大值为X2的场合，满足：(1)式：2500＞19×X1+290×X2，同时以电子后方散射绕射法测定的结晶方位之局部方位差(KAM)为2.0°以下，相对密度为95%以上。
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公开(公告)号：TW201726930A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105125778
申请日：2016-08-12
发明人： 森暁 , MORI, SATORU , 谷雨 , TANI, U , 佐藤雄次 , SATO, YUUJI , 菊池文武 , KIKUCHI, FUMITAKE , 荒井公 , ARAI, ISAO
CPC分类号： C22C9/01 , C22C9/06 , C22C9/08 , C22C9/10 , C22F1/00 , C22F1/08 , C23C14/34 , C25C1/12 , C25C7/02
摘要： 本發明係提供一種高純度銅濺鍍靶材，其係排除O，H，N，C後之Cu的純度為99.99998mass%以上，Al之含量為0.005massppm以下，Si之含量為0.05massppm以下，Fe之含量為0.02massppm以下，S之含量為0.03massppm以下，Cl之含量為0.1massppm以下，O之含量為1massppm以下，H之含量為1massppm以下，N之含量為1massppm以下，C之含量為1massppm以下。
简体摘要： 本发明系提供一种高纯度铜溅镀靶材，其系排除O，H，N，C后之Cu的纯度为99.99998mass%以上，Al之含量为0.005massppm以下，Si之含量为0.05massppm以下，Fe之含量为0.02massppm以下，S之含量为0.03massppm以下，Cl之含量为0.1massppm以下，O之含量为1massppm以下，H之含量为1massppm以下，N之含量为1massppm以下，C之含量为1massppm以下。
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公开(公告)号：TWI540212B
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW103134559
申请日：2014-10-03
发明人： 熊谷訓 , KUMAGAI, SATOSHI , 谷雨 , GU, YU , 佐藤雄次 , SATO, YUJI
CPC分类号： C22C9/00 , C22F1/08 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2924/01206 , H01L2924/2075 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2924/00014 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201522673A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103134559
申请日：2014-10-03
发明人： 熊谷訓 , KUMAGAI, SATOSHI , 谷雨 , GU, YU , 佐藤雄次 , SATO, YUJI
CPC分类号： C22C9/00 , C22F1/08 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2924/01206 , H01L2924/2075 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2924/00014 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/00
摘要： 本發明的接合線用銅素線，是用來形成接合線之接合線用銅素線，由純度99.9999質量%以上的高純度銅所構成，線徑為0.5mm以上3.5mm以下，在與伸線方向垂直的剖面上，(001)面的面積率為15%以上30%以下。
简体摘要： 本发明的接合线用铜素线，是用来形成接合线之接合线用铜素线，由纯度99.9999质量%以上的高纯度铜所构成，线径为0.5mm以上3.5mm以下，在与伸线方向垂直的剖面上，(001)面的面积率为15%以上30%以下。
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公开(公告)号：TW201510259A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103123796
申请日：2014-07-10
发明人： 櫻井晶 , SAKURAI, AKIRA , 谷雨 , GU, YU , 佐藤雄次 , SATO, YUJI , 熊谷訓 , KUMAGAI, SATOSHI
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3426 , C22C9/00 , C23C14/3414 , C25C1/12 , H01J2237/081 , H01J2237/3323
摘要： 本發明之高純度銅濺鍍靶用銅素材，其係去除了O、H、N、C之Cu的純度為99.999980mass%以上且99.999998mass%以下之範圍內，Al的含量為0.005massppm以下、Si的含量為0.05massppm以下。
简体摘要： 本发明之高纯度铜溅镀靶用铜素材，其系去除了O、H、N、C之Cu的纯度为99.999980mass%以上且99.999998mass%以下之范围内，Al的含量为0.005massppm以下、Si的含量为0.05massppm以下。
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