公开(公告)号：TWI696714B

公开(公告)日：2020-06-21

申请号：TW105125778

申请日：2016-08-12

申请人： 日商三菱綜合材料股份有限公司 ,  MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION

发明人： 森暁 ,  MORI, SATORU ,  谷雨 ,  TANI, U ,  佐藤雄次 ,  SATO, YUUJI ,  菊池文武 ,  KIKUCHI, FUMITAKE ,  荒井公 ,  ARAI, ISAO

IPC分类号： C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/10 ,  C22F1/08 ,  C23C14/34

公开(公告)号：TW201726930A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105125778

申请日：2016-08-12

申请人： 三菱綜合材料股份有限公司 ,  MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION

发明人： 森暁 ,  MORI, SATORU ,  谷雨 ,  TANI, U ,  佐藤雄次 ,  SATO, YUUJI ,  菊池文武 ,  KIKUCHI, FUMITAKE ,  荒井公 ,  ARAI, ISAO

IPC分类号： C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/10 ,  C22F1/08 ,  C23C14/34

CPC分类号： C22C9/01 ,  C22C9/06 ,  C22C9/08 ,  C22C9/10 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08 ,  C23C14/34 ,  C25C1/12 ,  C25C7/02

摘要： 本發明係提供一種高純度銅濺鍍靶材，其係排除O，H，N，C後之Cu的純度為99.99998mass%以上，Al之含量為0.005massppm以下，Si之含量為0.05massppm以下，Fe之含量為0.02massppm以下，S之含量為0.03massppm以下，Cl之含量為0.1massppm以下，O之含量為1massppm以下，H之含量為1massppm以下，N之含量為1massppm以下，C之含量為1massppm以下。

简体摘要： 本发明系提供一种高纯度铜溅镀靶材，其系排除O，H，N，C后之Cu的纯度为99.99998mass%以上，Al之含量为0.005massppm以下，Si之含量为0.05massppm以下，Fe之含量为0.02massppm以下，S之含量为0.03massppm以下，Cl之含量为0.1massppm以下，O之含量为1massppm以下，H之含量为1massppm以下，N之含量为1massppm以下，C之含量为1massppm以下。