公开(公告)号：TWI531060B

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：TW101136930

申请日：2012-10-05

申请人： 全斯法姆公司 ,  TRANSPHORM INC.

发明人： 萊爾拉克許K ,  LAL, RAKESH K. ,  可菲羅柏特 ,  COFFIE, ROBERT ,  吳毅鋒 ,  WU, YIFENG ,  帕立克波利米特 ,  PARIKH, PRIMIT ,  朵拉尤法拉 ,  DORA, YUVARAJ ,  米喜拉鄔梅西 ,  MISHRA, UMESH ,  邱杜利斯拉班提 ,  CHOWDHURY, SRABANTI ,  費希滕寶尼可拉斯 ,  FICHTENBAUM, NICHOLAS

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L27/0288 ,  H01L21/8236 ,  H01L25/00 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H03K17/102 ,  H03K2017/6875 ,  Y10T29/49117 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI538199B

公开(公告)日：2016-06-11

申请号：TW101103390

申请日：2012-02-02

申请人： 全斯法姆公司 ,  TRANSPHORM INC.

发明人： 帕立克波利米特 ,  PARIKH, PRIMIT ,  朵拉尤法拉 ,  DORA, YUVARAJ ,  吳毅鋒 ,  WU, YIFENG ,  米喜拉鄔梅西 ,  MISHRA, UMESH ,  費希滕寶尼可拉斯 ,  FICHTENBAUM, NICHOLAS ,  萊爾拉克許 ,  LAL, RAKESH

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/20 ,  H01L21/768 ,  H01L23/535

CPC分类号： H01L23/34 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76254 ,  H01L23/3732 ,  H01L23/3738 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/30 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201322443A

公开(公告)日：2013-06-01

申请号：TW101136930

申请日：2012-10-05

申请人： 全斯法姆公司 ,  TRANSPHORM INC.

发明人： 萊爾拉克許K ,  LAL, RAKESH K. ,  可菲羅柏特 ,  COFFIE, ROBERT ,  吳毅鋒 ,  WU, YIFENG ,  帕立克波利米特 ,  PARIKH, PRIMIT ,  朵拉尤法拉 ,  DORA, YUVARAJ ,  米喜拉鄔梅西 ,  MISHRA, UMESH ,  邱杜利斯拉班提 ,  CHOWDHURY, SRABANTI ,  費希滕寶尼可拉斯 ,  FICHTENBAUM, NICHOLAS

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L27/0288 ,  H01L21/8236 ,  H01L25/00 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H03K17/102 ,  H03K2017/6875 ,  Y10T29/49117 ,  H01L2924/00

摘要： 一種電子元件，包含空乏模式電晶體、增強模式電晶體與電阻器。空乏模式電晶體具有比增強模式電晶體高的崩潰電壓。電阻器的第一端點係電氣連接至增強模式電晶體的源極，且電阻器的第二端點與空乏模式電晶體的源極之每一者係電氣連接至增強模式電晶體的汲極。空乏模式電晶體的閘極可電氣連接至增強模式電晶體的源極。

简体摘要： 一种电子组件，包含空乏模式晶体管、增强模式晶体管与电阻器。空乏模式晶体管具有比增强模式晶体管高的崩溃电压。电阻器的第一端点系电气连接至增强模式晶体管的源极，且电阻器的第二端点与空乏模式晶体管的源极之每一者系电气连接至增强模式晶体管的汲极。空乏模式晶体管的闸极可电气连接至增强模式晶体管的源极。

公开(公告)号：TWI585863B

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW102103930

申请日：2013-02-01

申请人： 全斯法姆公司 ,  TRANSPHORM INC.

发明人： 凱勒斯塔夏 ,  KELLER, STACIA ,  史文森布萊恩L ,  SWENSON, BRIAN L. ,  費希滕寶尼可拉斯 ,  FICHTENBAUM, NICHOLAS

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L21/02507 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

公开(公告)号：TWI606587B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：TW103109713

申请日：2014-03-14

申请人： 全斯法姆公司 ,  TRANSPHORM INC.

发明人： 凱勒斯塔夏 ,  KELLER, STACIA ,  史文森布萊恩L ,  SWENSON, BRIAN L. ,  費希滕寶尼可拉斯 ,  FICHTENBAUM, NICHOLAS

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/22

CPC分类号： H01L29/7784 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02584 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/32 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

公开(公告)号：TW201448208A

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：TW103109713

申请日：2014-03-14

申请人： 全斯法姆公司 ,  TRANSPHORM INC.

发明人： 凱勒斯塔夏 ,  KELLER, STACIA ,  史文森布萊恩L ,  SWENSON, BRIAN L. ,  費希滕寶尼可拉斯 ,  FICHTENBAUM, NICHOLAS

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/22

CPC分类号： H01L29/7784 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02584 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/32 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

摘要： 一種用於製造半導體元件之方法可包括在反應器中形成III-N半導體層及將烴前驅物注入至反應器中，從而碳摻雜III-N半導體層及使該III-N半導體層絕緣或半絕緣。半導體元件可包括基板及在該基板上之碳摻雜絕緣或半絕緣III-N半導體層。該III-N半導體層中之碳摻雜密度大於5×1018 cm-3及該III-N半導體層中之差排密度小於2×109 cm-2。

简体摘要： 一种用于制造半导体组件之方法可包括在反应器中形成III-N半导体层及将烃前驱物注入至反应器中，从而碳掺杂III-N半导体层及使该III-N半导体层绝缘或半绝缘。半导体组件可包括基板及在该基板上之碳掺杂绝缘或半绝缘III-N半导体层。该III-N半导体层中之碳掺杂密度大于5×1018 cm-3及该III-N半导体层中之差排密度小于2×109 cm-2。

公开(公告)号：TW201344804A

公开(公告)日：2013-11-01

申请号：TW102103930

申请日：2013-02-01

申请人： 全斯法姆公司 ,  TRANSPHORM INC.

发明人： 凱勒斯塔夏 ,  KELLER, STACIA ,  史文森布萊恩L ,  SWENSON, BRIAN L. ,  費希滕寶尼可拉斯 ,  FICHTENBAUM, NICHOLAS

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L21/02507 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： 本案揭示之實施例包括適於具有異質基板的三族氮化物元件的緩衝結構，該緩衝結構可以包括具有第一鋁組成的第一緩衝層及形成在該第一緩衝層上的第二緩衝層，該第二緩衝層具有第二鋁組成。該緩衝結構進一步包括在第二界面形成於該第二緩衝層上的第三緩衝層，該第三緩衝層具有第三鋁組成。在該第一緩衝層中的該第一鋁組成往該界面減少，及在該第二緩衝層各處的該第二鋁組成係大於在該界面的該第一鋁組成。

简体摘要： 本案揭示之实施例包括适于具有异质基板的三族氮化物组件的缓冲结构，该缓冲结构可以包括具有第一铝组成的第一缓冲层及形成在该第一缓冲层上的第二缓冲层，该第二缓冲层具有第二铝组成。该缓冲结构进一步包括在第二界面形成于该第二缓冲层上的第三缓冲层，该第三缓冲层具有第三铝组成。在该第一缓冲层中的该第一铝组成往该界面减少，及在该第二缓冲层各处的该第二铝组成系大于在该界面的该第一铝组成。