公开(公告)号：TW201448207A

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：TW103109139

申请日：2014-03-13

申请人： 全斯法姆公司 ,  TRANSPHORM INC.

发明人： 萊爾拉克許K ,  LAL, RAKESH K.

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/535 ,  H01L24/48 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/085 ,  H01L27/0883 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10344 ,  H01L2924/10346 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

摘要： III-N增強型電晶體包括：III-N結構，該III-N結構包括導電通道；源極觸點及汲極觸點；及在源極觸點與汲極觸點之間的閘電極。絕緣層在III-N結構上方，其中凹部在電晶體之閘極區域中經形成穿過絕緣層，其中閘電極至少部分地位於凹部中。電晶體進一步包括具有在閘電極與汲極觸點之間的部分的場板，該場板電連接至源極觸點。閘電極包括延伸部分，該延伸部分在凹部外且朝向汲極觸點延伸。導電通道與閘電極之延伸部分之間的間隔大於導電通道與場板之在閘電極與汲極觸點之間的部分之間的間隔。

简体摘要： III-N增强型晶体管包括：III-N结构，该III-N结构包括导电信道；源极触点及汲极触点；及在源极触点与汲极触点之间的闸电极。绝缘层在III-N结构上方，其中凹部在晶体管之闸极区域中经形成穿过绝缘层，其中闸电极至少部分地位于凹部中。晶体管进一步包括具有在闸电极与汲极触点之间的部分的场板，该场板电连接至源极触点。闸电极包括延伸部分，该延伸部分在凹部外且朝向汲极触点延伸。导电信道与闸电极之延伸部分之间的间隔大于导电信道与场板之在闸电极与汲极触点之间的部分之间的间隔。

公开(公告)号：TWI531060B

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：TW101136930

申请日：2012-10-05

申请人： 全斯法姆公司 ,  TRANSPHORM INC.

发明人： 萊爾拉克許K ,  LAL, RAKESH K. ,  可菲羅柏特 ,  COFFIE, ROBERT ,  吳毅鋒 ,  WU, YIFENG ,  帕立克波利米特 ,  PARIKH, PRIMIT ,  朵拉尤法拉 ,  DORA, YUVARAJ ,  米喜拉鄔梅西 ,  MISHRA, UMESH ,  邱杜利斯拉班提 ,  CHOWDHURY, SRABANTI ,  費希滕寶尼可拉斯 ,  FICHTENBAUM, NICHOLAS

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L27/0288 ,  H01L21/8236 ,  H01L25/00 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H03K17/102 ,  H03K2017/6875 ,  Y10T29/49117 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201322443A

公开(公告)日：2013-06-01

申请号：TW101136930

申请日：2012-10-05

申请人： 全斯法姆公司 ,  TRANSPHORM INC.

发明人： 萊爾拉克許K ,  LAL, RAKESH K. ,  可菲羅柏特 ,  COFFIE, ROBERT ,  吳毅鋒 ,  WU, YIFENG ,  帕立克波利米特 ,  PARIKH, PRIMIT ,  朵拉尤法拉 ,  DORA, YUVARAJ ,  米喜拉鄔梅西 ,  MISHRA, UMESH ,  邱杜利斯拉班提 ,  CHOWDHURY, SRABANTI ,  費希滕寶尼可拉斯 ,  FICHTENBAUM, NICHOLAS

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L27/0288 ,  H01L21/8236 ,  H01L25/00 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H03K17/102 ,  H03K2017/6875 ,  Y10T29/49117 ,  H01L2924/00

摘要： 一種電子元件，包含空乏模式電晶體、增強模式電晶體與電阻器。空乏模式電晶體具有比增強模式電晶體高的崩潰電壓。電阻器的第一端點係電氣連接至增強模式電晶體的源極，且電阻器的第二端點與空乏模式電晶體的源極之每一者係電氣連接至增強模式電晶體的汲極。空乏模式電晶體的閘極可電氣連接至增強模式電晶體的源極。

简体摘要： 一种电子组件，包含空乏模式晶体管、增强模式晶体管与电阻器。空乏模式晶体管具有比增强模式晶体管高的崩溃电压。电阻器的第一端点系电气连接至增强模式晶体管的源极，且电阻器的第二端点与空乏模式晶体管的源极之每一者系电气连接至增强模式晶体管的汲极。空乏模式晶体管的闸极可电气连接至增强模式晶体管的源极。

公开(公告)号：TWI640095B

公开(公告)日：2018-11-01

申请号：TW103109139

申请日：2014-03-13

申请人： 全斯法姆公司 ,  TRANSPHORM INC.

发明人： 萊爾拉克許K ,  LAL, RAKESH K.

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/40

公开(公告)号：TW201735184A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW106101373

申请日：2017-01-16

申请人： 創世舫電子有限公司 ,  TRANSPHORM INC.

发明人： 紐菲爾德 卡爾喬瑟夫 ,  NEUFELD, CARL JOSEPH ,  伍墨 ,  WU, MO ,  吉川俊英 ,  KIKKAWA, TOSHIHIDE ,  米喜拉 鄔梅西 ,  MISHRA, UMESH ,  劉翔 ,  LIU, XIANG ,  羅狄絲 大衛麥可 ,  RHODES, DAVID MICHAEL ,  葛瑞特斯 約翰克里克 ,  GRITTERS, JOHN KIRK ,  萊爾 拉克許K ,  LAL, RAKESH K.

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/20 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7831

摘要： 一種電晶體，其包括：III-N通道層；III-N阻障層，其在該III-N通道層上；源極接點及汲極接點，該源極接點及該汲極接點電氣耦合至該III-N通道層；絕緣體層，其在該III-N阻障層上；閘極絕緣體，其部分地在該絕緣體層上且部分地在該III-N通道層上，該閘極絕緣體包括一非晶形Al1-xSixO層，其中0.2 ＜ x ＜ 0.8；以及閘電極，其在該閘極絕緣體之上，該閘電極定位在該源極接點與該汲極接點之間。

简体摘要： 一种晶体管，其包括：III-N信道层；III-N阻障层，其在该III-N信道层上；源极接点及汲极接点，该源极接点及该汲极接点电气耦合至该III-N信道层；绝缘体层，其在该III-N阻障层上；闸极绝缘体，其部分地在该绝缘体层上且部分地在该III-N信道层上，该闸极绝缘体包括一非晶形Al1-xSixO层，其中0.2 ＜ x ＜ 0.8；以及闸电极，其在该闸极绝缘体之上，该闸电极定位在该源极接点与该汲极接点之间。

公开(公告)号：TW201806165A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：TW106117881

申请日：2017-05-31

申请人： 創世舫電子有限公司 ,  TRANSPHORM INC.

发明人： 米喜拉 鄔梅西 ,  MISHRA, UMESH ,  萊爾 拉克許K ,  LAL, RAKESH K. ,  古普塔 基泰克 ,  GUPTA, GEETAK ,  紐菲爾德 卡爾喬瑟夫 ,  NEUFELD, CARL JOSEPH ,  羅狄絲 大衛 ,  RHODES, DAVID

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/20 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/872 ,  H01L29/205

CPC分类号： H01L29/0688 ,  H01L23/49562 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/408 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7785 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872

摘要： III-N裝置包括：III-N層結構，III-N層結構包括III-N通道層、III-N通道層上的III-N阻隔層、及III-N阻隔層上的漸變III-N層，漸變III-N層具有與III-N阻隔層相鄰的第一側以及與第一側相反的第二側；第一功率電極與第二功率電極；以及第一與第二功率電極之間的閘極，閘極係在III-N層結構上。將漸變III-N層的組成物漸變，而使得與第一側相鄰的漸變III-N層的帶隙大於與第二側相鄰的漸變III-N層的帶隙。漸變III-N層的區域係（i）在閘極與第二功率電極之間，以及（ii）與第一功率電極電連接，並與第二功率電極電隔離。

简体摘要： III-N设备包括：III-N层结构，III-N层结构包括III-N信道层、III-N信道层上的III-N阻隔层、及III-N阻隔层上的渐变III-N层，渐变III-N层具有与III-N阻隔层相邻的第一侧以及与第一侧相反的第二侧；第一功率电极与第二功率电极；以及第一与第二功率电极之间的闸极，闸极系在III-N层结构上。将渐变III-N层的组成物渐变，而使得与第一侧相邻的渐变III-N层的带隙大于与第二侧相邻的渐变III-N层的带隙。渐变III-N层的区域系（i）在闸极与第二功率电极之间，以及（ii）与第一功率电极电连接，并与第二功率电极电隔离。