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公开(公告)号：TWI571970B
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：TW104133460
申请日：2015-10-13
发明人： 梁義忠 , LIANG, YI-CHUNG , 黃振浩 , HUANG, CHEN-HAO , 劉立偉 , LIU, LI-WEI , 黃漢屏 , HWANG, HANN-PING
IPC分类号： H01L21/8244 , H01L27/11
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公开(公告)号：TW201620079A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW103140239
申请日：2014-11-20
发明人： 梁義忠 , LIANG, YI CHUNG , 黃振浩 , HUANG, CHEN HAO , 劉立偉 , LIU, LI WEI , 黃漢屏 , HWANG, HANN PING
IPC分类号： H01L21/8244 , H01L27/11
CPC分类号： H01L27/1104 , G11C11/417 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L21/3083 , H01L21/823456 , H01L27/0207 , H01L29/0642 , H01L29/4236 , H01L29/42364 , H01L29/42376
摘要： 本發明提供一種靜態隨機存取記憶體與其製造方法。透過將特定閘極結構形成為具有下凹型式閘極結構，調整不同閘極結構之有效通道寬度大小比例，而提高靜態隨機存取記憶體之表現。
简体摘要： 本发明提供一种静态随机存取内存与其制造方法。透过将特定闸极结构形成为具有下凹型式闸极结构，调整不同闸极结构之有效信道宽度大小比例，而提高静态随机存取内存之表现。
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公开(公告)号：TW201714255A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW104133460
申请日：2015-10-13
发明人： 梁義忠 , LIANG, YI-CHUNG , 黃振浩 , HUANG, CHEN-HAO , 劉立偉 , LIU, LI-WEI , 黃漢屏 , HWANG, HANN-PING
IPC分类号： H01L21/8244 , H01L27/11
摘要： 本發明提供一種靜態隨機存取記憶體，包括第一反相器、第二反相器、第一通道閘電晶體及第二通道閘電晶體。第一反相器包括第一上拉電晶體與第一下拉電晶體。第二反相器包括第二上拉電晶體與第二下拉電晶體。第一反相器和第二反相器係呈交互耦合連接。第一通道閘電晶體之汲極耦接於第一反相器之輸出端，第一通道閘電晶體之源極耦接於第一位元線。第二通道閘電晶體之汲極耦接於第二反相器之輸出端，第二通道閘電晶體之源極耦接於第二位元線。第一上拉電晶體與第二上拉電晶體為設置於元件隔離結構上的鑲嵌型電晶體。
简体摘要： 本发明提供一种静态随机存取内存，包括第一反相器、第二反相器、第一信道闸晶体管及第二信道闸晶体管。第一反相器包括第一上拉晶体管与第一下拉晶体管。第二反相器包括第二上拉晶体管与第二下拉晶体管。第一反相器和第二反相器系呈交互耦合连接。第一信道闸晶体管之汲极耦接于第一反相器之输出端，第一信道闸晶体管之源极耦接于第一比特线。第二信道闸晶体管之汲极耦接于第二反相器之输出端，第二信道闸晶体管之源极耦接于第二比特线。第一上拉晶体管与第二上拉晶体管为设置于组件隔离结构上的镶嵌型晶体管。
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公开(公告)号：TWI571968B
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：TW103140239
申请日：2014-11-20
发明人： 梁義忠 , LIANG, YI CHUNG , 黃振浩 , HUANG, CHEN HAO , 劉立偉 , LIU, LI WEI , 黃漢屏 , HWANG, HANN PING
IPC分类号： H01L21/8244 , H01L27/11
CPC分类号： H01L27/1104 , G11C11/417 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L21/3083 , H01L21/823456 , H01L27/0207 , H01L29/0642 , H01L29/4236 , H01L29/42364 , H01L29/42376
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