-
公开(公告)号：TW201724220A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW106107036
申请日：2009-10-23
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 伊藤俊一 , ITO, SHUNICHI , 細羽美雪 , HOSOBA, MIYUKI
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/78693 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/7869
Abstract: 目的在於以降低曝光光罩的數目來簡化微影術製程之方式，低成本高生產率地製造包含氧化物半導體的半導體裝置。在包含通道蝕刻逆交錯薄膜電晶體的半導體裝置的製造方法中，使用藉由多色調光罩形成的光罩層，蝕刻氧化物半導體膜及導電膜，多色調光罩是曝光光罩，其使光透射過而具有多個強度。以使用蝕刻溶液的濕蝕刻，執行蝕刻步驟。
Abstract in simplified Chinese: 目的在于以降低曝光光罩的数目来简化微影术制程之方式，低成本高生产率地制造包含氧化物半导体的半导体设备。在包含信道蚀刻逆交错薄膜晶体管的半导体设备的制造方法中，使用借由多色调光罩形成的光罩层，蚀刻氧化物半导体膜及导电膜，多色调光罩是曝光光罩，其使光透射过而具有多个强度。以使用蚀刻溶液的湿蚀刻，运行蚀刻步骤。
-
公开(公告)号：TWI497605B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW098135598
申请日：2009-10-21
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 伊藤俊一 , ITO, SHUNICHI , 細羽美雪 , HOSOBA, MIYUKI , 須澤英臣 , SUZAWA, HIDEOMI , 笹川慎也 , SASAGAWA, SHINYA , 村岡大河 , MURAOKA, TAIGA
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/7869
-
公开(公告)号：TWI646692B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW107105351
申请日：2009-10-16
Inventor： 伊藤俊一 , ITO, SHUNICHI , 佐佐木俊成 , SASAKI, TOSHINARI , 細羽美雪 , HOSOBA, MIYUKI , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , G09F9/30
-
公开(公告)号：TWI624865B
公开(公告)日：2018-05-21
申请号：TW106107036
申请日：2009-10-23
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 伊藤俊一 , ITO, SHUNICHI , 細羽美雪 , HOSOBA, MIYUKI
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78
-
公开(公告)号：TWI585984B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW098135431
申请日：2009-10-20
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 佐佐木俊成 , SASAKI, TOSHINARI , 細羽美雪 , HOSOBA, MIYUKI , 伊藤俊一 , ITO, SHUNICHI , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/45 , H01L29/78618
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI623106B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW104124537
申请日：2009-10-16
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 伊藤俊一 , ITO, SHUNICHI , 佐佐木俊成 , SASAKI, TOSHINARI , 細羽美雪 , HOSOBA, MIYUKI , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , G09F9/30
-
公开(公告)号：TWI509701B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW098135599
申请日：2009-10-21
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 須澤英臣 , SUZAWA, HIDEOMI , 笹川慎也 , SASAGAWA, SHINYA , 村岡大河 , MURAOKA, TAIGA , 伊藤俊一 , ITO, SHUNICHI , 細羽美雪 , HOSOBA, MIYUKI
IPC: H01L21/336 , H01L21/027
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/66742 , H01L29/78621 , H01L29/7869
-
公开(公告)号：TWI697110B
公开(公告)日：2020-06-21
申请号：TW107135907
申请日：2009-10-16
Inventor： 伊藤俊一 , ITO,SHUNICHI , 佐佐木俊成 , SASAKI,TOSHINARI , 細羽美雪 , HOSOBA,MIYUKI , 坂田淳一郎 , SAKATA,JUNICHIRO
-
公开(公告)号：TW201620024A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW105106320
申请日：2009-10-23
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 伊藤俊一 , ITO, SHUNICHI , 細羽美雪 , HOSOBA, MIYUKI
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/78693 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/7869
Abstract: 目的在於以降低曝光光罩的數目來簡化微影術製程之方式，低成本高生產率地製造包含氧化物半導體的半導體裝置。在包含通道蝕刻逆交錯薄膜電晶體的半導體裝置的製造方法中，使用藉由多色調光罩形成的光罩層，蝕刻氧化物半導體膜及導電膜，多色調光罩是曝光光罩，其使光透射過而具有多個強度。以使用蝕刻溶液的濕蝕刻，執行蝕刻步驟。
Abstract in simplified Chinese: 目的在于以降低曝光光罩的数目来简化微影术制程之方式，低成本高生产率地制造包含氧化物半导体的半导体设备。在包含信道蚀刻逆交错薄膜晶体管的半导体设备的制造方法中，使用借由多色调光罩形成的光罩层，蚀刻氧化物半导体膜及导电膜，多色调光罩是曝光光罩，其使光透射过而具有多个强度。以使用蚀刻溶液的湿蚀刻，运行蚀刻步骤。
-
公开(公告)号：TWI534903B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW098135950
申请日：2009-10-23
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 伊藤俊一 , ITO, SHUNICHI , 細羽美雪 , HOSOBA, MIYUKI
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/027
CPC classification number: H01L29/78693 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/7869
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.031 seconds)
