公开(公告)号：TWI509701B

公开(公告)日：2015-11-21

申请号：TW098135599

申请日：2009-10-21

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 須澤英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  村岡大河 ,  MURAOKA, TAIGA ,  伊藤俊一 ,  ITO, SHUNICHI ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TWI463570B

公开(公告)日：2014-12-01

申请号：TW098135432

申请日：2009-10-20

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 須澤英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  村岡大河 ,  MURAOKA, TAIGA

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/306 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/127 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/167 ,  G09F21/04 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2310/0251 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/08 ,  G11C19/28 ,  H01L21/465 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TWI596777B

公开(公告)日：2017-08-21

申请号：TW098135271

申请日：2009-10-19

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 須澤英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  村岡大河 ,  MURAOKA, TAIGA

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TWI466193B

公开(公告)日：2014-12-21

申请号：TW100105338

申请日：2009-10-20

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 須澤英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  村岡大河 ,  MURAOKA, TAIGA

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/306 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/127 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/167 ,  G09F21/04 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2310/0251 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/08 ,  G11C19/28 ,  H01L21/465 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TWI610370B

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW103102952

申请日：2014-01-27

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山本孔明 ,  YAMAMOTO, YOSHIAKI ,  伊藤公一 ,  ITO, KOICHI ,  倉田求 ,  KURATA, MOTOMU ,  村岡大河 ,  MURAOKA, TAIGA ,  伊藤大吾 ,  ITO, DAIGO

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TWI497605B

公开(公告)日：2015-08-21

申请号：TW098135598

申请日：2009-10-21

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 伊藤俊一 ,  ITO, SHUNICHI ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI ,  須澤英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  村岡大河 ,  MURAOKA, TAIGA

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TW201438113A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：TW103102952

申请日：2014-01-27

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山本孔明 ,  YAMAMOTO, YOSHIAKI ,  伊藤公一 ,  ITO, KOICHI ,  倉田求 ,  KURATA, MOTOMU ,  村岡大河 ,  MURAOKA, TAIGA ,  伊藤大吾 ,  ITO, DAIGO

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明的目的之一是以高良率提供一種具有良好的電特性的微細的電晶體。另外，本發明的目的之一是在包括該電晶體的半導體裝置中也實現高性能化、高可靠性化及高生產化。在將氧化物半導體膜微細加工為島狀時，藉由使用硬遮罩可以抑制氧化物半導體膜的端部的凹凸。明確而言，在氧化物半導體膜上形成硬遮罩；在硬遮罩上形成光阻劑；進行曝光以形成光阻遮罩；使用光阻遮罩對硬遮罩進行加工；使用所加工的硬遮罩對氧化物半導體膜進行加工；去除光阻遮罩及所加工的硬遮罩；形成接觸於所加工的氧化物半導體膜的源極電極及汲極電極；在源極電極及汲極電極上形成閘極絕緣膜；以及在閘極絕緣膜上形成與氧化物半導體膜重疊的閘極電極。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的之一是以高良率提供一种具有良好的电特性的微细的晶体管。另外，本发明的目的之一是在包括该晶体管的半导体设备中也实现高性能化、高可靠性化及高生产化。在将氧化物半导体膜微细加工为岛状时，借由使用硬遮罩可以抑制氧化物半导体膜的端部的凹凸。明确而言，在氧化物半导体膜上形成硬遮罩；在硬遮罩上形成光阻剂；进行曝光以形成光阻遮罩；使用光阻遮罩对硬遮罩进行加工；使用所加工的硬遮罩对氧化物半导体膜进行加工；去除光阻遮罩及所加工的硬遮罩；形成接触于所加工的氧化物半导体膜的源极电极及汲极电极；在源极电极及汲极电极上形成闸极绝缘膜；以及在闸极绝缘膜上形成与氧化物半导体膜重叠的闸极电极。

公开(公告)号：TWI608545B

公开(公告)日：2017-12-11

申请号：TW101132732

申请日：2009-10-21

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 伊藤俊一 ,  ITO, SHUNICHI ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI ,  須澤英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  村岡大河 ,  MURAOKA, TAIGA

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TWI529805B

公开(公告)日：2016-04-11

申请号：TW098132321

申请日：2009-09-24

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 倉田求 ,  KURATA, MOTOMU ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  村岡大河 ,  MURAOKA, TAIGA

IPC: H01L21/3205 ,  B23K26/00 ,  H01L21/265 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76254

公开(公告)号：TW201123313A

公开(公告)日：2011-07-01

申请号：TW100105338

申请日：2009-10-20

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司

Inventor： 須澤英臣 ,  笹川慎也 ,  村岡大河

IPC: H01L

CPC classification number: H01L27/127 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/167 ,  G09F21/04 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2310/0251 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/08 ,  G11C19/28 ,  H01L21/465 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明之目的在於建立製造使用氧化物半導體的半導體裝置的處理技術。在基板上方形成閘極電極，在閘極電極上方形成閘極絕緣層，在閘極絕緣層上方形成氧化物半導體層，藉由濕式蝕刻來處理氧化物半導體層以形成島狀氧化物半導體層，形成導電層以覆蓋島狀氧化物半導體層，藉由第一乾式蝕刻來處理導電層以形成源極電極和汲極電極，並且藉由第二乾式蝕刻來去除島狀氧化物半導體層的一部分、或者藉由乾式蝕刻來處理導電層以形成源極電極和汲極電極，並且藉由該乾式蝕刻來去除島狀氧化物半導體層的一部分以在島狀氧化物半導體層中形成凹陷部分。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的在于创建制造使用氧化物半导体的半导体设备的处理技术。在基板上方形成闸极电极，在闸极电极上方形成闸极绝缘层，在闸极绝缘层上方形成氧化物半导体层，借由湿式蚀刻来处理氧化物半导体层以形成岛状氧化物半导体层，形成导电层以覆盖岛状氧化物半导体层，借由第一干式蚀刻来处理导电层以形成源极电极和汲极电极，并且借由第二干式蚀刻来去除岛状氧化物半导体层的一部分、或者借由干式蚀刻来处理导电层以形成源极电极和汲极电极，并且借由该干式蚀刻来去除岛状氧化物半导体层的一部分以在岛状氧化物半导体层中形成凹陷部分。