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    電子裝置
    4.
    发明专利
    電子裝置 审中-公开
    电子设备

    公开(公告)号：TW202018909A

    公开(公告)日：2020-05-16

    申请号：TW108127709

    申请日：2010-07-12

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI ,  桑原秀明 ,  KUWABARA, HIDEAKI ,  高橋辰也 ,  TAKAHASHI, TATSUYA

    IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84

    摘要： 增進半導體裝置的孔徑比。驅動電路及像素係設於一個基板之上，並且，驅動電路中的第一薄膜電晶體和像素中的第二薄膜電晶體均包含閘極電極層、在閘極電極層之上的閘極絕緣層、在閘極絕緣層之上的氧化物半導體層、在氧化物半導體層之上的源極和汲極電極層、以及在閘極絕緣層、氧化物半導體層、及源極和汲極電極層之上與部份氧化物半導體層相接觸的氧化物絕緣層。第二薄膜電晶體的閘極電極層、閘極絕緣層、氧化物半導體層、源極和汲極電極層、以及氧化物絕緣層均具有透光特性。

    简体摘要： 增进半导体设备的孔径比。驱动电路及像素系设于一个基板之上，并且，驱动电路中的第一薄膜晶体管和像素中的第二薄膜晶体管均包含闸极电极层、在闸极电极层之上的闸极绝缘层、在闸极绝缘层之上的氧化物半导体层、在氧化物半导体层之上的源极和汲极电极层、以及在闸极绝缘层、氧化物半导体层、及源极和汲极电极层之上与部份氧化物半导体层相接触的氧化物绝缘层。第二薄膜晶体管的闸极电极层、闸极绝缘层、氧化物半导体层、源极和汲极电极层、以及氧化物绝缘层均具有透光特性。

    發光裝置及其製造方法
    5.
    发明专利
    發光裝置及其製造方法 审中-公开
    发光设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW202004922A

    公开(公告)日：2020-01-16

    申请号：TW108120329

    申请日：2010-09-01

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  丸山穗高 ,  MARUYAMA, HOTAKA

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  H01L27/32

    摘要： 目的係為了提高發光裝置的可靠性。發光裝置在一基板上具有：驅動器電路部，其包括用於驅動器電路之電晶體；及像素部，其包括用於像素之電晶體。用於該驅動器電路之該電晶體和用於該像素之該電晶體為反向交錯式電晶體，其各個包括與氧化物絕緣層的一部分接觸之氧化物半導體層。在該像素部中，濾色器層和發光元件係設置在該氧化物絕緣層上。在用於該驅動器電路的該電晶體中，與閘極電極層和該氧化物半導體層重疊之導電層係設置在該氧化物絕緣層上。該閘極電極層、源極電極層、和汲極電極層係使用金屬導電膜所形成。

    简体摘要： 目的系为了提高发光设备的可靠性。发光设备在一基板上具有：驱动器电路部，其包括用于驱动器电路之晶体管；及像素部，其包括用于像素之晶体管。用于该驱动器电路之该晶体管和用于该像素之该晶体管为反向交错式晶体管，其各个包括与氧化物绝缘层的一部分接触之氧化物半导体层。在该像素部中，滤色器层和发光组件系设置在该氧化物绝缘层上。在用于该驱动器电路的该晶体管中，与闸极电极层和该氧化物半导体层重叠之导电层系设置在该氧化物绝缘层上。该闸极电极层、源极电极层、和汲极电极层系使用金属导电膜所形成。

    半導體裝置之製造方法
    9.
    发明专利
    半導體裝置之製造方法 审中-公开
    半导体设备之制造方法

    公开(公告)号：TW201838040A

    公开(公告)日：2018-10-16

    申请号：TW107111341

    申请日：2010-06-29

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  大原宏樹 ,  OHARA, HIROKI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

    IPC分类号： H01L21/336

    摘要： 本發明的目的之一是提供一種包括具有穩定的電特性的薄膜電晶體的高可靠性的半導體裝置。另外，本發明的目的之一是以低成本且以高良率提供一種高可靠性的半導體裝置。說明一種半導體裝置的製造方法，該半導體裝置包括薄膜電晶體，在該薄膜電晶體中作為包括通道形成區的半導體層、源極區及汲極區使用氧化物半導體層。在上述半導體裝置的製造方法中，提高氧化物半導體層的純度並進行減少作為雜質的水分等的加熱處理(用於脫水化或脫氫化的加熱處理)。

    简体摘要： 本发明的目的之一是提供一种包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的高可靠性的半导体设备。另外，本发明的目的之一是以低成本且以高良率提供一种高可靠性的半导体设备。说明一种半导体设备的制造方法，该半导体设备包括薄膜晶体管，在该薄膜晶体管中作为包括信道形成区的半导体层、源极区及汲极区使用氧化物半导体层。在上述半导体设备的制造方法中，提高氧化物半导体层的纯度并进行减少作为杂质的水分等的加热处理(用于脱水化或脱氢化的加热处理)。