利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

91 条记录 (耗时 0.026 秒)

    半導體裝置
    2.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW201834266A

    公开(公告)日：2018-09-16

    申请号：TW107119025

    申请日：2010-11-11

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI ,  平石鈴之介 ,  HIRAISHI, SUZUNOSUKE

    IPC分类号： H01L33/36 ,  H01L33/40 ,  H01L33/48 ,  H01L27/15

    摘要： 所揭示的是一半導體裝置，包含薄膜電晶體和連接至薄膜電晶體的導線，其中該薄膜電晶體具有通道形成區域在氧化物半導體層中，且閘極電極、源極電極、汲極電極、閘極導線、源極導線和汲極導線之至少一者使用銅金屬。具有氧化物半導體層的電晶體的極低關閉電流有助於半導體裝置之降低功耗。因此，銅金屬的使用允許結合顯示元件之半導體裝置提供具有高顯示畫質和可忽略之缺陷的顯示裝置，其來自以銅金屬所形成之導線和電極的低電阻。

    简体摘要： 所揭示的是一半导体设备，包含薄膜晶体管和连接至薄膜晶体管的导线，其中该薄膜晶体管具有信道形成区域在氧化物半导体层中，且闸极电极、源极电极、汲极电极、闸极导线、源极导线和汲极导线之至少一者使用铜金属。具有氧化物半导体层的晶体管的极低关闭电流有助于半导体设备之降低功耗。因此，铜金属的使用允许结合显示组件之半导体设备提供具有高显示画质和可忽略之缺陷的显示设备，其来自以铜金属所形成之导线和电极的低电阻。

    半導體裝置
    3.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW202027299A

    公开(公告)日：2020-07-16

    申请号：TW109107502

    申请日：2010-11-11

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI ,  平石鈴之介 ,  HIRAISHI, SUZUNOSUKE

    IPC分类号： H01L33/36 ,  H01L33/40 ,  H01L33/48 ,  H01L27/15

    摘要： 所揭示的是一半導體裝置，包含薄膜電晶體和連接至薄膜電晶體的導線，其中該薄膜電晶體具有通道形成區域在氧化物半導體層中，且閘極電極、源極電極、汲極電極、閘極導線、源極導線和汲極導線之至少一者使用銅金屬。具有氧化物半導體層的電晶體的極低關閉電流有助於半導體裝置之降低功耗。因此，銅金屬的使用允許結合顯示元件之半導體裝置提供具有高顯示畫質和可忽略之缺陷的顯示裝置，其來自以銅金屬所形成之導線和電極的低電阻。

    简体摘要： 所揭示的是一半导体设备，包含薄膜晶体管和连接至薄膜晶体管的导线，其中该薄膜晶体管具有信道形成区域在氧化物半导体层中，且闸极电极、源极电极、汲极电极、闸极导线、源极导线和汲极导线之至少一者使用铜金属。具有氧化物半导体层的晶体管的极低关闭电流有助于半导体设备之降低功耗。因此，铜金属的使用允许结合显示组件之半导体设备提供具有高显示画质和可忽略之缺陷的显示设备，其来自以铜金属所形成之导线和电极的低电阻。

    顯示裝置和其製造方法
    5.
    发明专利
    顯示裝置和其製造方法 审中-公开
    显示设备和其制造方法

    公开(公告)号：TW201843743A

    公开(公告)日：2018-12-16

    申请号：TW107128851

    申请日：2010-08-26

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  津吹將志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  秋元健吾 ,  AKIMOTO, KENGO ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/324

    摘要： 本發明提供一種顯示特性優越的顯示裝置，其中使用根據其電路特徵的不同結構的電晶體分別形成同一基板上的像素電路及驅動電路。在該驅動電路部中，包括閘極電極層、源極電極層及汲極電極層由金屬膜構成，且通道層由氧化物半導體構成的驅動電路用電晶體。此外，在該像素部中，包括閘極電極層、源極電極層及汲極電極層由氧化物導電體構成，且半導體層由氧化物半導體構成的像素用電晶體。該像素用電晶體由具有透光性的材料形成，並製造高孔徑比的顯示裝置。

    简体摘要： 本发明提供一种显示特性优越的显示设备，其中使用根据其电路特征的不同结构的晶体管分别形成同一基板上的像素电路及驱动电路。在该驱动电路部中，包括闸极电极层、源极电极层及汲极电极层由金属膜构成，且信道层由氧化物半导体构成的驱动电路用晶体管。此外，在该像素部中，包括闸极电极层、源极电极层及汲极电极层由氧化物导电体构成，且半导体层由氧化物半导体构成的像素用晶体管。该像素用晶体管由具有透光性的材料形成，并制造高孔径比的显示设备。

    半導體裝置和其製造方法
    8.
    发明专利
    半導體裝置和其製造方法 审中-公开
    半导体设备和其制造方法

    公开(公告)号：TW201824568A

    公开(公告)日：2018-07-01

    申请号：TW106139744

    申请日：2010-07-27

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  桑原秀明 ,  KUWABARA, HIDEAKI

    IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

    摘要： 本發明的目的之一是提供一種具備可以有效地降低佈線之間的寄生電容的結構的半導體裝置。在使用氧化物半導體層的底閘結構的薄膜電晶體中，以與重疊於閘極電極層的氧化物半導體層的一部分上接觸的方式形成用作通道保護層的氧化物絕緣層，當形成該氧化物絕緣層時形成覆蓋氧化物半導體層的疊層的邊緣部(包括側面)的氧化物絕緣層。另外，不與通道保護層重疊地形成源極電極層及汲極電極層，以採用源極電極層及汲極電極層上的絕緣層與氧化物半導體層接觸的結構。

    简体摘要： 本发明的目的之一是提供一种具备可以有效地降低布线之间的寄生电容的结构的半导体设备。在使用氧化物半导体层的底闸结构的薄膜晶体管中，以与重叠于闸极电极层的氧化物半导体层的一部分上接触的方式形成用作信道保护层的氧化物绝缘层，当形成该氧化物绝缘层时形成覆盖氧化物半导体层的叠层的边缘部(包括侧面)的氧化物绝缘层。另外，不与信道保护层重叠地形成源极电极层及汲极电极层，以采用源极电极层及汲极电极层上的绝缘层与氧化物半导体层接触的结构。

    氧化物半導體、薄膜電晶體、和顯示裝置
    9.
    发明专利
    氧化物半導體、薄膜電晶體、和顯示裝置 审中-公开
    氧化物半导体、薄膜晶体管、和显示设备

    公开(公告)号：TW201820640A

    公开(公告)日：2018-06-01

    申请号：TW107105351

    申请日：2009-10-16

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 伊藤俊一 ,  ITO, SHUNICHI ,  佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO

    IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  G09F9/30

    摘要： 本發明提供一種氧化物半導體、使用該氧化物半導體的薄膜電晶體、和使用該薄膜電晶體的顯示裝置，其一個目的是控制氧化物半導體的組成和缺陷，另一個目的是提高薄膜電晶體的場效應遷移率，並通過減小截止電流來獲得充分的通斷比。所採用的技術方案是採用其組成用InMO3(ZnO)m表示的氧化物半導體，其中M為選自Ga、Fe、Ni、Mn、Co、和Al中的一種或多種元素，且m較佳的為大於0且小於1的非整數。Zn的濃度低於In和M的濃度。氧化物半導體具有非晶結構。可以配置氧化物層和氮化物層以防止氧化物半導體的污染和劣化。

    简体摘要： 本发明提供一种氧化物半导体、使用该氧化物半导体的薄膜晶体管、和使用该薄膜晶体管的显示设备，其一个目的是控制氧化物半导体的组成和缺陷，另一个目的是提高薄膜晶体管的场效应迁移率，并通过减小截止电流来获得充分的通断比。所采用的技术方案是采用其组成用InMO3(ZnO)m表示的氧化物半导体，其中M为选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co、和Al中的一种或多种元素，且m较佳的为大于0且小于1的非整数。Zn的浓度低于In和M的浓度。氧化物半导体具有非晶结构。可以配置氧化物层和氮化物层以防止氧化物半导体的污染和劣化。