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公开(公告)号：TW201701484A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105130628
申请日：2012-04-05
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 佐藤裕平 , SATO, YUHEI , 佐藤惠司 , SATO, KEIJI , 佐佐木俊成 , SASAKI, TOSHINARI , 丸山哲紀 , MARUYAMA, TETSUNORI , 磯部敦生 , ISOBE, ATSUO , 村川努 , MURAKAWA, TSUTOMU , 手塚祐朗 , TEZUKA, SACHIAKI
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/477
Abstract: 本發明藉由對使用氧化物半導體的半導體裝置賦予穩定的電特性，提供一種可靠性高的半導體裝置。作為電晶體的製造製程，在依次形成氧化物半導體層、源極電極層、汲極電極層、閘極絕緣膜、閘極電極層及氧化鋁膜之後，藉由對氧化物半導體層及氧化鋁膜進行熱處理，去除含有氫原子的雜質，並形成包括含有超過化學計量比的氧的區域的氧化物半導體層。另外，藉由形成氧化鋁膜，即使在具有該電晶體的半導體裝置或電子裝置的製造製程中的熱處理中，也可以防止來自大氣的水或氫侵入且擴散到氧化物半導體層中，從而可以製造可靠性高的電晶體。
Abstract in simplified Chinese: 本发明借由对使用氧化物半导体的半导体设备赋予稳定的电特性，提供一种可靠性高的半导体设备。作为晶体管的制造制程，在依次形成氧化物半导体层、源极电极层、汲极电极层、闸极绝缘膜、闸极电极层及氧化铝膜之后，借由对氧化物半导体层及氧化铝膜进行热处理，去除含有氢原子的杂质，并形成包括含有超过化学计量比的氧的区域的氧化物半导体层。另外，借由形成氧化铝膜，即使在具有该晶体管的半导体设备或电子设备的制造制程中的热处理中，也可以防止来自大气的水或氢侵入且扩散到氧化物半导体层中，从而可以制造可靠性高的晶体管。
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公开(公告)号：TWI542717B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW099138510
申请日：2010-11-09
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 高山徹 , TAKAYAMA, TORU , 佐藤惠司 , SATO, KEIJI
IPC: C23C14/34 , B22F3/10 , B22F3/24 , H01L29/786
CPC classification number: H01J37/3429 , B29C31/008 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B41/0072 , C04B41/009 , C04B41/80 , C04B2111/00844 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3418 , C04B2235/658 , C04B2235/662 , C04B2235/666 , C04B2235/77 , C23C14/10 , C23C14/3414 , C23C14/564 , H01J2237/332 , H01L21/0242 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/45 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , C04B35/04 , C04B35/10 , C04B35/457 , C04B41/4517 , C04B41/53
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公开(公告)号：TW201839861A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107107928
申请日：2012-03-06
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 佐藤裕平 , SATO, YUHEI , 佐藤惠司 , SATO, KEIJI , 丸山哲紀 , MARUYAMA, TETSUNORI , 肥塚純一 , KOEZUKA, JUNICHI
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本發明的目的之一是對使用氧化物半導體的半導體裝置賦予穩定的電特性來提供可靠性高的半導體裝置。在包括氧化物半導體膜的電晶體的製造製程中，對氧化物半導體膜進行氧摻雜處理，然後對氧化物半導體膜及設置在氧化物半導體膜上的氧化鋁膜進行熱處理，來形成包括含有超過化學計量組成比的氧的區域的氧化物半導體膜。在使用該氧化物半導體膜的電晶體中，臨界電壓的變化量在偏壓-熱壓力測試(BT測試)前後也得到降低，從而可以形成可靠性高的電晶體。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的之一是对使用氧化物半导体的半导体设备赋予稳定的电特性来提供可靠性高的半导体设备。在包括氧化物半导体膜的晶体管的制造制程中，对氧化物半导体膜进行氧掺杂处理，然后对氧化物半导体膜及设置在氧化物半导体膜上的氧化铝膜进行热处理，来形成包括含有超过化学计量组成比的氧的区域的氧化物半导体膜。在使用该氧化物半导体膜的晶体管中，临界电压的变化量在偏压-热压力测试(BT测试)前后也得到降低，从而可以形成可靠性高的晶体管。
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公开(公告)号：TWI624878B
公开(公告)日：2018-05-21
申请号：TW106114663
申请日：2012-03-06
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 佐藤裕平 , SATO, YUHEI , 佐藤惠司 , SATO, KEIJI , 丸山哲紀 , MARUYAMA, TETSUNORI , 肥塚純一 , KOEZUKA, JUNICHI
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
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公开(公告)号：TW201630081A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW105113603
申请日：2010-11-09
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 高山徹 , TAKAYAMA, TORU , 佐藤惠司 , SATO, KEIJI
IPC: H01L21/363 , H01L29/786 , C23C14/34
CPC classification number: H01J37/3429 , B29C31/008 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B41/0072 , C04B41/009 , C04B41/80 , C04B2111/00844 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3418 , C04B2235/658 , C04B2235/662 , C04B2235/666 , C04B2235/77 , C23C14/10 , C23C14/3414 , C23C14/564 , H01J2237/332 , H01L21/0242 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/45 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , C04B35/04 , C04B35/10 , C04B35/457 , C04B41/4517 , C04B41/53
Abstract: 本發明之目的在於提供用以形成氧化物半導體膜的沈積技術。藉由使用包含例如低於1×1016原子/cm3的低濃度氫之金屬氧化物的燒結體之濺射標靶以形成氧化物半導體膜，氧化物半導體膜含有少量例如以H2O為代表的含氫之化合物或氫原子等雜質。此外，使用此氧化物半導體膜作為電晶體的主動層。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的在于提供用以形成氧化物半导体膜的沉积技术。借由使用包含例如低于1×1016原子/cm3的低浓度氢之金属氧化物的烧结体之溅射标靶以形成氧化物半导体膜，氧化物半导体膜含有少量例如以H2O为代表的含氢之化合物或氢原子等杂质。此外，使用此氧化物半导体膜作为晶体管的主动层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI542718B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW099138822
申请日：2010-11-11
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 高山徹 , TAKAYAMA, TORU , 佐藤惠司 , SATO, KEIJI
CPC classification number: H01L29/7869 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01L21/0242 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/78618
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公开(公告)号：TWI607512B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105113603
申请日：2010-11-09
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 高山徹 , TAKAYAMA, TORU , 佐藤惠司 , SATO, KEIJI
IPC: H01L21/363 , H01L29/786 , C23C14/34
CPC classification number: H01J37/3429 , B29C31/008 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B41/0072 , C04B41/009 , C04B41/80 , C04B2111/00844 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3418 , C04B2235/658 , C04B2235/662 , C04B2235/666 , C04B2235/77 , C23C14/10 , C23C14/3414 , C23C14/564 , H01J2237/332 , H01L21/0242 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/45 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , C04B35/04 , C04B35/10 , C04B35/457 , C04B41/4517 , C04B41/53
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公开(公告)号：TWI541904B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW101107466
申请日：2012-03-06
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 佐藤裕平 , SATO, YUHEI , 佐藤惠司 , SATO, KEIJI , 丸山哲紀 , MARUYAMA, TETSUNORI , 肥塚純一 , KOEZUKA, JUNICHI
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/40 , H01L21/02175 , H01L21/02252 , H01L21/02565 , H01L21/02636 , H01L21/02664 , H01L21/324 , H01L21/383 , H01L21/477 , H01L27/1225 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7869
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公开(公告)号：TW201306262A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101112064
申请日：2012-04-05
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 佐藤裕平 , SATO, YUHEI , 佐藤惠司 , SATO, KEIJI , 佐佐木俊成 , SASAKI, TOSHINARI , 丸山哲紀 , MARUYAMA, TETSUNORI , 磯部敦生 , ISOBE, ATSUO , 村川努 , MURAKAWA, TSUTOMU , 手塚祐朗 , TEZUKA, SACHIAKI
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/477
Abstract: 本發明藉由對使用氧化物半導體的半導體裝置賦予穩定的電特性，提供一種可靠性高的半導體裝置。作為電晶體的製造製程，在依次形成氧化物半導體層、源極電極層、汲極電極層、閘極絕緣膜、閘極電極層及氧化鋁膜之後，藉由對氧化物半導體層及氧化鋁膜進行熱處理，去除含有氫原子的雜質，並形成包括含有超過化學計量比的氧的區域的氧化物半導體層。另外，藉由形成氧化鋁膜，即使在具有該電晶體的半導體裝置或電子裝置的製造製程中的熱處理中，也可以防止來自大氣的水或氫侵入且擴散到氧化物半導體層中，從而可以製造可靠性高的電晶體。
Abstract in simplified Chinese: 本发明借由对使用氧化物半导体的半导体设备赋予稳定的电特性，提供一种可靠性高的半导体设备。作为晶体管的制造制程，在依次形成氧化物半导体层、源极电极层、汲极电极层、闸极绝缘膜、闸极电极层及氧化铝膜之后，借由对氧化物半导体层及氧化铝膜进行热处理，去除含有氢原子的杂质，并形成包括含有超过化学计量比的氧的区域的氧化物半导体层。另外，借由形成氧化铝膜，即使在具有该晶体管的半导体设备或电子设备的制造制程中的热处理中，也可以防止来自大气的水或氢侵入且扩散到氧化物半导体层中，从而可以制造可靠性高的晶体管。
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公开(公告)号：TW201730985A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW106114663
申请日：2012-03-06
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 佐藤裕平 , SATO, YUHEI , 佐藤惠司 , SATO, KEIJI , 丸山哲紀 , MARUYAMA, TETSUNORI , 肥塚純一 , KOEZUKA, JUNICHI
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/40 , H01L21/02175 , H01L21/02252 , H01L21/02565 , H01L21/02636 , H01L21/02664 , H01L21/324 , H01L21/383 , H01L21/477 , H01L27/1225 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本發明的目的之一是對使用氧化物半導體的半導體裝置賦予穩定的電特性來提供可靠性高的半導體裝置。在包括氧化物半導體膜的電晶體的製造製程中，對氧化物半導體膜進行氧摻雜處理，然後對氧化物半導體膜及設置在氧化物半導體膜上的氧化鋁膜進行熱處理，來形成包括含有超過化學計量組成比的氧的區域的氧化物半導體膜。在使用該氧化物半導體膜的電晶體中，臨界電壓的變化量在偏壓-熱壓力測試(BT測試)前後也得到降低，從而可以形成可靠性高的電晶體。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的之一是对使用氧化物半导体的半导体设备赋予稳定的电特性来提供可靠性高的半导体设备。在包括氧化物半导体膜的晶体管的制造制程中，对氧化物半导体膜进行氧掺杂处理，然后对氧化物半导体膜及设置在氧化物半导体膜上的氧化铝膜进行热处理，来形成包括含有超过化学计量组成比的氧的区域的氧化物半导体膜。在使用该氧化物半导体膜的晶体管中，临界电压的变化量在偏压-热压力测试(BT测试)前后也得到降低，从而可以形成可靠性高的晶体管。
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