公开(公告)号：TWI607495B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：TW105125251

申请日：2016-08-09

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林俊成 ,  LIN, JING CHENG ,  余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  盧思維 ,  LU, SZU WEI ,  齊彥堯 ,  CHI, YEN YAO

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/50 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76888 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83005

公开(公告)号：TWI602249B

公开(公告)日：2017-10-11

申请号：TW105113281

申请日：2012-03-06

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  佐藤裕平 ,  SATO, YUHEI ,  佐藤惠司 ,  SATO, KEIJI ,  丸山哲紀 ,  MARUYAMA, TETSUNORI ,  肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/40 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/324 ,  H01L21/383 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TW201732903A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105125251

申请日：2016-08-09

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林俊成 ,  LIN, JING CHENG ,  余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  盧思維 ,  LU, SZU WEI ,  齊彥堯 ,  CHI, YEN YAO

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/50 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76888 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83005

Abstract: 提供了一種半導體元件結構。此半導體元件結構包括一基板。此半導體元件結構包括位於該基板上之一導電結構。此半導體元件結構包括位於該導電結構上之複數個第一金屬氧化物纖維。此半導體元件結構包括位於該基板上並覆蓋該導電結構與該些第一金屬氧化物纖維之一介電層。該介電層填滿了該些第一金屬氧化物纖維之間之間隙。

Abstract in simplified Chinese: 提供了一种半导体组件结构。此半导体组件结构包括一基板。此半导体组件结构包括位于该基板上之一导电结构。此半导体组件结构包括位于该导电结构上之复数个第一金属氧化物纤维。此半导体组件结构包括位于该基板上并覆盖该导电结构与该些第一金属氧化物纤维之一介电层。该介电层填满了该些第一金属氧化物纤维之间之间隙。

公开(公告)号：TW201732902A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105125250

申请日：2016-08-09

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  林俊成 ,  LIN, JING CHENG ,  符策忠 ,  FU, TSEI CHUNG

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/50 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76888 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83005

Abstract: 本揭露提供一種封裝結構與其形成方法。封裝結構包括一基板與一半導體晶粒形成於該基板之上。封裝結構尚包括一封裝層相鄰於該半導體晶粒，以及一導電結構，形成於該封裝層之中。封裝結構更包括一第一絕緣層形成於該導電結構之上，且第一絕緣層包括一一價金屬氧化物(monovalent metal oxide)。封裝結構尚包括一第二絕緣層形成於第一絕緣層與封裝層之間。第二絕緣層包括一一價金屬氧化物，且一價金屬氧化物在第二絕緣層中的重量比高於一價金屬氧化物在第一絕緣層中的重量比。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种封装结构与其形成方法。封装结构包括一基板与一半导体晶粒形成于该基板之上。封装结构尚包括一封装层相邻于该半导体晶粒，以及一导电结构，形成于该封装层之中。封装结构更包括一第一绝缘层形成于该导电结构之上，且第一绝缘层包括一一价金属氧化物(monovalent metal oxide)。封装结构尚包括一第二绝缘层形成于第一绝缘层与封装层之间。第二绝缘层包括一一价金属氧化物，且一价金属氧化物在第二绝缘层中的重量比高于一价金属氧化物在第一绝缘层中的重量比。

公开(公告)号：TW201725664A

公开(公告)日：2017-07-16

申请号：TW105140047

申请日：2016-12-05

Applicant: 瓦里安半導體設備公司 ,  VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.

Inventor： 羅芙爾 賽門 ,  RUFFELL, SIMON ,  庫馬爾 阿賓德 ,  KUMAR, ARVIND ,  馬 崔斯坦 ,  MA, TRISTAN ,  沈圭河 ,  SHIM, KYU-HA ,  哈塔拉 約翰 ,  HAUTALA, JOHN ,  舍曼 絲特芬 ,  SHERMAN, STEVEN

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L27/10826 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/2633 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28167 ,  H01L27/10879 ,  H01L29/42368

Abstract: 本文中提供用於形成動態隨機存取記憶體元件的閘極氧化物層的方法，所述方法包括：提供帶鰭片基底，帶鰭片基底中形成有凹槽；以及向凹槽的側壁表面中執行離子植入，以形成具有非均勻厚度的閘極氧化物層，其中閘極氧化物層在側壁表面的頂部區段處的厚度大於閘極氧化物層在側壁表面的底部區段處的厚度。在某些方法中，將離子植入設置成以隨著離子植入能量及/或離子劑量而變化的多個不同的植入角度進行的一系列離子植入，從而增大側壁表面的頂部區段的閘極氧化物的厚度。在某些方法中，在離子植入期間或在離子植入之後也將帶鰭片基底暴露至電漿。

Abstract in simplified Chinese: 本文中提供用于形成动态随机存取内存组件的闸极氧化物层的方法，所述方法包括：提供带鳍片基底，带鳍片基底中形成有凹槽；以及向凹槽的侧壁表面中运行离子植入，以形成具有非均匀厚度的闸极氧化物层，其中闸极氧化物层在侧壁表面的顶部区段处的厚度大于闸极氧化物层在侧壁表面的底部区段处的厚度。在某些方法中，将离子植入设置成以随着离子植入能量及/或离子剂量而变化的多个不同的植入角度进行的一系列离子植入，从而增大侧壁表面的顶部区段的闸极氧化物的厚度。在某些方法中，在离子植入期间或在离子植入之后也将带鳍片基底暴露至等离子。

公开(公告)号：TW201715020A

公开(公告)日：2017-05-01

申请号：TW105129290

申请日：2016-09-09

Applicant: 中央硝子股份有限公司 ,  CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED

Inventor： 大森啟之 ,  OOMORI, HIROYUKI ,  八尾章史 ,  YAO, AKIFUMI

IPC: C09K13/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31122 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31144

Abstract: 本發明係鑒於下述問題點而完成者，提供一種於對非晶碳進行蝕刻時可抑制產生彎曲或側壁表面之粗糙等蝕刻形狀異常之蝕刻方法。 本發明使用如下乾式蝕刻方法，即：針對設置於腔室內之具有非晶碳膜之基板，使用使至少包含氧氣與烷基矽烷之乾式蝕刻劑電漿化而獲得之電漿氣體，將無機膜作為遮罩對上述非晶碳膜進行電漿蝕刻。較佳為上述烷基矽烷係選自由(CH3)4Si、(CH3)3SiH、(CH3)2SiH2及(CH3)SiH3所組成之群中之至少1種。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系鉴于下述问题点而完成者，提供一种于对非晶碳进行蚀刻时可抑制产生弯曲或侧壁表面之粗糙等蚀刻形状异常之蚀刻方法。 本发明使用如下干式蚀刻方法，即：针对设置于腔室内之具有非晶碳膜之基板，使用使至少包含氧气与烷基硅烷之干式蚀刻剂等离子化而获得之等离子气体，将无机膜作为遮罩对上述非晶碳膜进行等离子蚀刻。较佳为上述烷基硅烷系选自由(CH3)4Si、(CH3)3SiH、(CH3)2SiH2及(CH3)SiH3所组成之群中之至少1种。

公开(公告)号：TWI574369B

公开(公告)日：2017-03-11

申请号：TW103144916

申请日：2014-12-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 徐曉秋 ,  HSU, HSIAO CHIU ,  楊復凱 ,  YANG, FU KAI ,  王美勻 ,  WANG, MEI YUN ,  王憲程 ,  WANG, HSIEN CHENG ,  劉仕文 ,  LIU, SHIH WEN ,  林欣穎 ,  LIN, HSIN YING

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/02 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5228 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53257 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI450387B

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：TW096135534

申请日：2007-09-21

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 江口晉吾 ,  EGUCHI, SHINGO ,  門馬洋平 ,  MONMA, YOHEI ,  谷敦弘 ,  TANI, ATSUHIRO ,  廣末美佐子 ,  HIROSUE, MISAKO ,  橋本健一 ,  HASHIMOTO, KENICHI ,  保坂泰靖 ,  HOSAKA, YASUHARU

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/13 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/67132 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/707 ,  H01L27/1266

公开(公告)号：TW201428851A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：TW102143074

申请日：2013-11-26

Applicant: 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： 華瑞恰克拉拉 ,  HAWRYLCHAK, LARA ,  托比恩傑弗 ,  TOBIN, JEFF

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02252 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/6719

Abstract: 茲提供用於鈍化基板背側的設備及方法。系統包含狹長支撐件，狹長支撐件具有開放頂表面而形成支撐環，如此當基板位於支撐環上時，將於狹長支撐件內形成孔穴。電漿源耦接至孔穴，以於孔穴中產生電漿，從而沉積鈍化膜至基板背側上。

Abstract in simplified Chinese: 兹提供用于钝化基板背侧的设备及方法。系统包含狭长支撑件，狭长支撑件具有开放顶表面而形成支撑环，如此当基板位于支撑环上时，将于狭长支撑件内形成孔穴。等离子源耦接至孔穴，以于孔穴中产生等离子，从而沉积钝化膜至基板背侧上。

公开(公告)号：TW201250829A

公开(公告)日：2012-12-16

申请号：TW101111094

申请日：2012-03-29

Applicant: 東京威力科創股份有限公司

Inventor： 壁義郎 ,  小林岳志 ,  米澤亮太

IPC: H01L

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/76224

Abstract: 本發明的課題是在於使形成於基板的溝槽側面的氧化膜薄膜化,且抑制溝槽上的圖案上部的角被蝕刻。本發明的電漿處理方法是藉由電漿來氧化處理在熱氧化膜(60)形成後形成溝槽(61)的晶圓(W),晶圓(W)是載置於被施加離子引入用的高頻電壓的基座,利用電漿的氧化處理是一邊將離子引入用的高頻電壓施加於晶圓(W)一邊進行。電漿氧化處理的處理氣體是含氦及氧的混合氣體,電漿處理是在處理容器內以6.7~133Pa的壓力進行。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的课题是在于使形成于基板的沟槽侧面的氧化膜薄膜化,且抑制沟槽上的图案上部的角被蚀刻。本发明的等离子处理方法是借由等离子来氧化处理在热氧化膜(60)形成后形成沟槽(61)的晶圆(W),晶圆(W)是载置于被施加离子引入用的高频电压的基座,利用等离子的氧化处理是一边将离子引入用的高频电压施加于晶圆(W)一边进行。等离子氧化处理的处理气体是含氦及氧的混合气体,等离子处理是在处理容器内以6.7~133Pa的压力进行。