公开(公告)号：TW201521205A

公开(公告)日：2015-06-01

申请号：TW103134270

申请日：2014-10-01

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  保坂泰靖 ,  HOSAKA, YASUHARU ,  生內俊光 ,  OBONAI, TOSHIMITSU ,  肥純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  島行徳 ,  SHIMA, YUKINORI ,  早川昌彦 ,  HAYAKAWA, MASAHIKO ,  羽持貴士 ,  HAMOCHI, TAKASHI ,  平石鈴之介 ,  HIRAISHI, SUZUNOSUKE

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/477 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/28 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 在使用包括氧化物半導體的電晶體的半導體裝置中，抑制電特性變動並提高可靠性。本發明的一個方式是一種半導體裝置，包括：絕緣表面上的閘極電極；與閘極電極重疊的氧化物半導體膜；在閘極電極與氧化物半導體膜之間且與氧化物半導體膜表面接觸的閘極絕緣膜；接觸於與氧化物半導體膜表面相反的面的保護膜；以及接觸於氧化物半導體膜的一對電極，其中，在閘極絕緣膜或者保護膜中，藉由加熱處理釋放的質荷比m/z=17的氣體的釋放量多於藉由加熱處理釋放的氮氧化物的釋放量。

Abstract in simplified Chinese: 在使用包括氧化物半导体的晶体管的半导体设备中，抑制电特性变动并提高可靠性。本发明的一个方式是一种半导体设备，包括：绝缘表面上的闸极电极；与闸极电极重叠的氧化物半导体膜；在闸极电极与氧化物半导体膜之间且与氧化物半导体膜表面接触的闸极绝缘膜；接触于与氧化物半导体膜表面相反的面的保护膜；以及接触于氧化物半导体膜的一对电极，其中，在闸极绝缘膜或者保护膜中，借由加热处理释放的质荷比m/z=17的气体的释放量多于借由加热处理释放的氮氧化物的释放量。

公开(公告)号：TW201539559A

公开(公告)日：2015-10-16

申请号：TW104107413

申请日：2015-03-09

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 片山雅博 ,  KATAYAMA, MASAHIRO ,  中澤安孝 ,  NAKAZAWA, YASUTAKA ,  横山雅俊 ,  YOKOYAMA, MASATOSHI ,  早川昌彦 ,  HAYAKAWA, MASAHIKO ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  越岡俊介 ,  KOSHIOKA, SHUNSUKE

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G06F3/041 ,  G09G3/20 ,  G09G3/3674 ,  G09G3/3677 ,  G09G3/3685 ,  G09G3/3688 ,  G09G5/003 ,  G09G2300/0404 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2310/0267 ,  G09G2310/0275 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/78606

Abstract: 本發明的一個方式的目的之一是提供一種半導體裝置，其中作為電晶體及電連接到該電晶體的佈線上的結構採用特定的結構，使得電晶體及佈線的電特性得到提高。一種半導體裝置，包括：第一導電膜；第一導電膜上的第一絕緣膜；第一絕緣膜上的第二導電膜；第二導電膜上的第二絕緣膜；藉由形成在第一絕緣膜及第二絕緣膜中的開口部電連接於第一導電膜的第三導電膜；以及第三導電膜上的第三絕緣膜，其中第三導電膜包含銦、錫和氧，並且第三絕緣膜包含矽和氮，且其藉由熱脫附譜分析測得的氨分子釋放量為1×1015分子/cm3以下。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式的目的之一是提供一种半导体设备，其中作为晶体管及电连接到该晶体管的布在线的结构采用特定的结构，使得晶体管及布线的电特性得到提高。一种半导体设备，包括：第一导电膜；第一导电膜上的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第二导电膜；第二导电膜上的第二绝缘膜；借由形成在第一绝缘膜及第二绝缘膜中的开口部电连接于第一导电膜的第三导电膜；以及第三导电膜上的第三绝缘膜，其中第三导电膜包含铟、锡和氧，并且第三绝缘膜包含硅和氮，且其借由热脱附谱分析测得的氨分子释放量为1×1015分子/cm3以下。

公开(公告)号：TW201503328A

公开(公告)日：2015-01-16

申请号：TW103117899

申请日：2014-05-22

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI ,  井上聖子 ,  INOUE, SEIKO ,  松田慎平 ,  MATSUDA, SHINPEI ,  松林大介 ,  MATSUBAYASHI, DAISUKE ,  早川昌彦 ,  HAYAKAWA, MASAHIKO

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262

Abstract: 在包括選擇電晶體、驅動電晶體及發光元件的像素中，作為驅動電晶體應用一種電晶體，其中在氧化物半導體膜中形成通道，並且其通道長度為0.5μm以上且4.5μm以下，較佳為大於1μm且4μm以下，更佳為大於1μm且3.5μm以下，進一步佳為大於1μm且2.5μm以下。此外，在該驅動電晶體中，包括分別層疊在氧化物半導體膜的上層及下層的第一閘極電極及第二閘極電極，並且各閘極電極彼此電連接。使不需要像驅動電晶體那樣高的場效移動率的像素的選擇電晶體的通道長度至少大於驅動電晶體的通道長度。

Abstract in simplified Chinese: 在包括选择晶体管、驱动晶体管及发光组件的像素中，作为驱动晶体管应用一种晶体管，其中在氧化物半导体膜中形成信道，并且其信道长度为0.5μm以上且4.5μm以下，较佳为大于1μm且4μm以下，更佳为大于1μm且3.5μm以下，进一步佳为大于1μm且2.5μm以下。此外，在该驱动晶体管中，包括分别层叠在氧化物半导体膜的上层及下层的第一闸极电极及第二闸极电极，并且各闸极电极彼此电连接。使不需要像驱动晶体管那样高的场效移动率的像素的选择晶体管的信道长度至少大于驱动晶体管的信道长度。

公开(公告)号：TWI624936B

公开(公告)日：2018-05-21

申请号：TW103117899

申请日：2014-05-22

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI ,  井上聖子 ,  INOUE, SEIKO ,  松田慎平 ,  MATSUDA, SHINPEI ,  松林大介 ,  MATSUBAYASHI, DAISUKE ,  早川昌彦 ,  HAYAKAWA, MASAHIKO

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

公开(公告)号：TWI688102B

公开(公告)日：2020-03-11

申请号：TW103134270

申请日：2014-10-01

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  保坂泰靖 ,  HOSAKA, YASUHARU ,  生內俊光 ,  OBONAI, TOSHIMITSU ,  肥純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  島行徳 ,  SHIMA, YUKINORI ,  早川昌彦 ,  HAYAKAWA, MASAHIKO ,  羽持貴士 ,  HAMOCHI, TAKASHI ,  平石鈴之介 ,  HIRAISHI, SUZUNOSUKE

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/324

公开(公告)号：TW201742437A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：TW106112945

申请日：2017-04-18

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 早川昌彦 ,  HAYAKAWA, MASAHIKO

IPC: H04N5/232 ,  H04N5/247 ,  H04N1/56

CPC classification number: G06F3/0412 ,  G06F3/0416 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04112 ,  G09G3/2092 ,  G09G3/3233 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/046

Abstract: 本發明提供顯示裝置、輸入輸出裝置、資料處理裝置、顯示方法。包括顯示面板及控制部的顯示裝置，其中控制部具有：接收影像資料及控制資料的功能；根據影像資料產生第一資料的功能；根據影像資料產生第二資料的功能；從影像資料提取出輪廓部分的功能；產生強調輪廓部分的第三資料的功能；以及供應第一資料至第三資料的功能。顯示面板具有接收第一資料至第三資料的功能並包括像素。像素包括第一顯示元件及第二顯示元件。第一顯示元件具有根據第一資料進行顯示的功能，第二顯示元件具有根據第二資料或第三資料進行顯示的功能。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供显示设备、输入输出设备、数据处理设备、显示方法。包括显示皮肤及控制部的显示设备，其中控制部具有：接收影像数据及控制数据的功能；根据影像数据产生第一数据的功能；根据影像数据产生第二数据的功能；从影像数据提取出轮廓部分的功能；产生强调轮廓部分的第三数据的功能；以及供应第一数据至第三数据的功能。显示皮肤具有接收第一数据至第三数据的功能并包括像素。像素包括第一显示组件及第二显示组件。第一显示组件具有根据第一数据进行显示的功能，第二显示组件具有根据第二数据或第三数据进行显示的功能。