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    半導體裝置及其製造方法
    2.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW201911478A

    公开(公告)日：2019-03-16

    申请号：TW107126439

    申请日：2018-07-31

    Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  松林大介 ,  MATSUBAYASHI, DAISUKE ,  方堂涼太 ,  HODO, RYOTA ,  伊藤大吾 ,  ITO, DAIGO ,  本多大章 ,  HONDA, HIROAKI ,  岡本悟 ,  OKAMOTO, SATORU

    IPC: H01L21/786 ,  H01L23/522

    Abstract: 本發明的一個實施方式的目的是提供一種具有良好的電特性的半導體裝置。本發明的一個實施方式是一種半導體裝置，該半導體裝置包括：氧化物；氧化物上的第一導電體及第二導電體；氧化物上的第三導電體；氧化物與第三導電體之間的覆蓋第三導電體的側面的第一絕緣體；第三導電體及第一絕緣體上的第二絕緣體；位於第一導電體上且第二絕緣體的側面處的第三絕緣體；位於第二導電體上且第二絕緣體的側面處的第四絕緣體；與第三絕緣體的頂面及側面接觸且與第一導電體電連接的第四導電體；以及與第四絕緣體的頂面及側面接觸且與第二導電體電連接的第五導電體。第一絕緣體位於第三絕緣體與第三導電體之間且位於第四絕緣體與第三導電體之間。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个实施方式的目的是提供一种具有良好的电特性的半导体设备。本发明的一个实施方式是一种半导体设备，该半导体设备包括：氧化物；氧化物上的第一导电体及第二导电体；氧化物上的第三导电体；氧化物与第三导电体之间的覆盖第三导电体的侧面的第一绝缘体；第三导电体及第一绝缘体上的第二绝缘体；位于第一导电体上且第二绝缘体的侧面处的第三绝缘体；位于第二导电体上且第二绝缘体的侧面处的第四绝缘体；与第三绝缘体的顶面及侧面接触且与第一导电体电连接的第四导电体；以及与第四绝缘体的顶面及侧面接触且与第二导电体电连接的第五导电体。第一绝缘体位于第三绝缘体与第三导电体之间且位于第四绝缘体与第三导电体之间。

    半導體裝置
    3.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW201511282A

    公开(公告)日：2015-03-16

    申请号：TW103121891

    申请日：2014-06-25

    Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  小林由幸 ,  KOBAYASHI, YOSHIYUKI ,  松林大介 ,  MATSUBAYASHI, DAISUKE ,  下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  伊藤大吾 ,  ITO, DAIGO

    IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

    CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78648

    Abstract: 本發明的一個方式提供一種能夠使大電流流過的半導體裝置。或者，可以提供一種以高驅動電壓穩定地驅動的半導體裝置。本發明的一個方式是一種半導體裝置，包括：半導體層；與半導體層電連接且在與半導體層重疊的區域隔開的第一電極及第二電極；夾著半導體層設置的第一閘極電極及第二閘極電極；半導體層與第一閘極電極之間的第一閘極絕緣層；以及半導體層與第二閘極電極之間的第二閘極絕緣層。第一閘極電極以與第一電極的一部分、半導體層及第二電極的一部分重疊的方式設置，第二閘極電極以與第一電極的一部分及半導體層重疊且不與第二電極重疊的方式設置。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式提供一种能够使大电流流过的半导体设备。或者，可以提供一种以高驱动电压稳定地驱动的半导体设备。本发明的一个方式是一种半导体设备，包括：半导体层；与半导体层电连接且在与半导体层重叠的区域隔开的第一电极及第二电极；夹着半导体层设置的第一闸极电极及第二闸极电极；半导体层与第一闸极电极之间的第一闸极绝缘层；以及半导体层与第二闸极电极之间的第二闸极绝缘层。第一闸极电极以与第一电极的一部分、半导体层及第二电极的一部分重叠的方式设置，第二闸极电极以与第一电极的一部分及半导体层重叠且不与第二电极重叠的方式设置。

    半導體裝置、及半導體裝置的製造方法
    4.
    发明专利
    半導體裝置、及半導體裝置的製造方法 审中-公开
    半导体设备、及半导体设备的制造方法

    公开(公告)号：TW202005059A

    公开(公告)日：2020-01-16

    申请号：TW108116298

    申请日：2019-05-10

    Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  伊藤大吾 ,  ITO, DAIGO ,  方堂涼太 ,  HODO, RYOTA ,  安藤善範 ,  ANDO, YOSHINORI ,  掛端哲彌 ,  KAKEHATA, TETSUYA

    IPC: H01L27/115 ,  H01L29/786

    Abstract: 提供一種能夠實現微型化或高積體化的半導體裝置。其包括第一導電體至第四導電體、第一絕緣體、第二絕緣體、第一氧化物、以及第二氧化物，其中，在第一導電體上配置第一絕緣體，在第一絕緣體上配置第一氧化物，在第一絕緣體及第一氧化物設置到達第一導電體的第一開口，在第一氧化物上配置彼此離開的第二導電體及第三導電體，第三導電體的至少一部分重疊於第一開口並接觸於第一導電體的頂面，在第一氧化物上以其至少一部分重疊於第二導電體和第三導電體之間的區域的方式配置第二氧化物，在第二氧化物上配置第二絕緣體，並且，在第二絕緣體上配置第四導電體。

    Abstract in simplified Chinese: 提供一种能够实现微型化或高积体化的半导体设备。其包括第一导电体至第四导电体、第一绝缘体、第二绝缘体、第一氧化物、以及第二氧化物，其中，在第一导电体上配置第一绝缘体，在第一绝缘体上配置第一氧化物，在第一绝缘体及第一氧化物设置到达第一导电体的第一开口，在第一氧化物上配置彼此离开的第二导电体及第三导电体，第三导电体的至少一部分重叠于第一开口并接触于第一导电体的顶面，在第一氧化物上以其至少一部分重叠于第二导电体和第三导电体之间的区域的方式配置第二氧化物，在第二氧化物上配置第二绝缘体，并且，在第二绝缘体上配置第四导电体。

    半導體裝置及製造該半導體裝置的方法
    7.
    发明专利
    半導體裝置及製造該半導體裝置的方法 审中-公开
    半导体设备及制造该半导体设备的方法

    公开(公告)号：TW201438113A

    公开(公告)日：2014-10-01

    申请号：TW103102952

    申请日：2014-01-27

    Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 山本孔明 ,  YAMAMOTO, YOSHIAKI ,  伊藤公一 ,  ITO, KOICHI ,  倉田求 ,  KURATA, MOTOMU ,  村岡大河 ,  MURAOKA, TAIGA ,  伊藤大吾 ,  ITO, DAIGO

    IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

    CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

    Abstract: 本發明的目的之一是以高良率提供一種具有良好的電特性的微細的電晶體。另外，本發明的目的之一是在包括該電晶體的半導體裝置中也實現高性能化、高可靠性化及高生產化。在將氧化物半導體膜微細加工為島狀時，藉由使用硬遮罩可以抑制氧化物半導體膜的端部的凹凸。明確而言，在氧化物半導體膜上形成硬遮罩；在硬遮罩上形成光阻劑；進行曝光以形成光阻遮罩；使用光阻遮罩對硬遮罩進行加工；使用所加工的硬遮罩對氧化物半導體膜進行加工；去除光阻遮罩及所加工的硬遮罩；形成接觸於所加工的氧化物半導體膜的源極電極及汲極電極；在源極電極及汲極電極上形成閘極絕緣膜；以及在閘極絕緣膜上形成與氧化物半導體膜重疊的閘極電極。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的之一是以高良率提供一种具有良好的电特性的微细的晶体管。另外，本发明的目的之一是在包括该晶体管的半导体设备中也实现高性能化、高可靠性化及高生产化。在将氧化物半导体膜微细加工为岛状时，借由使用硬遮罩可以抑制氧化物半导体膜的端部的凹凸。明确而言，在氧化物半导体膜上形成硬遮罩；在硬遮罩上形成光阻剂；进行曝光以形成光阻遮罩；使用光阻遮罩对硬遮罩进行加工；使用所加工的硬遮罩对氧化物半导体膜进行加工；去除光阻遮罩及所加工的硬遮罩；形成接触于所加工的氧化物半导体膜的源极电极及汲极电极；在源极电极及汲极电极上形成闸极绝缘膜；以及在闸极绝缘膜上形成与氧化物半导体膜重叠的闸极电极。

    電晶體、半導體裝置及電子裝置
    8.
    发明专利
    電晶體、半導體裝置及電子裝置 审中-公开
    晶体管、半导体设备及电子设备

    公开(公告)号：TW201830708A

    公开(公告)日：2018-08-16

    申请号：TW106138508

    申请日：2017-11-07

    Applicant: 日商半導體能源硏究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 伊藤大吾 ,  ITO, DAIGO ,  岡崎豊 ,  OKAZAKI, YUTAKA ,  石山貴久 ,  ISHIYAMA, TAKAHISA

    IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

    Abstract: 本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種能夠長期間保持資料的半導體裝置。本發明的一個實施方式是一種半導體裝置，包括第一電晶體、覆蓋第一電晶體的絕緣體以及絕緣體上的第二電晶體，其中，第一電晶體包括第一閘極電極、與第一閘極電極重疊的第二閘極電極以及第一閘極電極與第二閘極電極之間的半導體，並且，第一閘極電極電連接於第二電晶體的源極和汲極中的一個。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个实施方式的目的之一是提供一种能够长期间保持数据的半导体设备。本发明的一个实施方式是一种半导体设备，包括第一晶体管、覆盖第一晶体管的绝缘体以及绝缘体上的第二晶体管，其中，第一晶体管包括第一闸极电极、与第一闸极电极重叠的第二闸极电极以及第一闸极电极与第二闸极电极之间的半导体，并且，第一闸极电极电连接于第二晶体管的源极和汲极中的一个。

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