公开(公告)号：TWI469330B

公开(公告)日：2015-01-11

申请号：TW097135189

申请日：2008-09-12

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 大沼英人 ,  OHNUMA, HIDETO ,  飯窪陽一 ,  IIKUBO, YOICHI ,  山本孔明 ,  YAMAMOTO, YOSHIAKI ,  牧野賢一郎 ,  MAKINO, KENICHIRO ,  下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  比嘉榮二 ,  HIGA, EIJI ,  溝井達也 ,  MIZOI, TATSUYA ,  永野庸治 ,  NAGANO, YOJI ,  井坂史人 ,  ISAKA, FUMITO ,  掛端哲彌 ,  KAKEHATA, TETSUYA ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78654

公开(公告)号：TWI699835B

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：TW105119161

申请日：2016-06-17

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 伊藤大吾 ,  ITO, DAIGO ,  松林大介 ,  MATSUBAYASHI, DAISUKE ,  永井雅晴 ,  NAGAI, MASAHARU ,  山本孔明 ,  YAMAMOTO, YOSHIAKI ,  浜田崇 ,  HAMADA, TAKASHI ,  岡崎豊 ,  OKAZAKI, YUTAKA ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  倉田求 ,  KURATA, MOTOMU ,  山出直人 ,  YAMADE, NAOTO

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TW201709346A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW105119161

申请日：2016-06-17

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 伊藤大吾 ,  ITO, DAIGO ,  松林大介 ,  MATSUBAYASHI, DAISUKE ,  永井雅晴 ,  NAGAI, MASAHARU ,  山本孔明 ,  YAMAMOTO, YOSHIAKI ,  浜田崇 ,  HAMADA, TAKASHI ,  岡崎豊 ,  OKAZAKI, YUTAKA ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  倉田求 ,  KURATA, MOTOMU ,  山出直人 ,  YAMADE, NAOTO

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L21/425 ,  H01L21/46 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/7855 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 一種半導體裝置，包括：基板上的第一絕緣層；第一絕緣層上的第一金屬氧化物層；第一金屬氧化物層上的氧化物半導體層；氧化物半導體層上的第二金屬氧化物層；第二金屬氧化物層上的閘極絕緣層；第二金屬氧化物層上的第二絕緣層；以及閘極絕緣層上的閘極電極層，其中，閘極絕緣層包括與閘極電極層的側面接觸的區域，第二絕緣層包括與閘極絕緣層接觸的區域，氧化物半導體層包括第一區域至第三區域，第一區域包括與閘極電極層重疊的區域，第二區域包括與閘極絕緣層或第二絕緣層重疊的區域，第二區域在第一區域和第三區域之間，並且，第二區域及第三區域包括含有元素N(N為磷、氬、氙)的區域。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备，包括：基板上的第一绝缘层；第一绝缘层上的第一金属氧化物层；第一金属氧化物层上的氧化物半导体层；氧化物半导体层上的第二金属氧化物层；第二金属氧化物层上的闸极绝缘层；第二金属氧化物层上的第二绝缘层；以及闸极绝缘层上的闸极电极层，其中，闸极绝缘层包括与闸极电极层的侧面接触的区域，第二绝缘层包括与闸极绝缘层接触的区域，氧化物半导体层包括第一区域至第三区域，第一区域包括与闸极电极层重叠的区域，第二区域包括与闸极绝缘层或第二绝缘层重叠的区域，第二区域在第一区域和第三区域之间，并且，第二区域及第三区域包括含有元素N(N为磷、氩、氙)的区域。

公开(公告)号：TWI610370B

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW103102952

申请日：2014-01-27

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山本孔明 ,  YAMAMOTO, YOSHIAKI ,  伊藤公一 ,  ITO, KOICHI ,  倉田求 ,  KURATA, MOTOMU ,  村岡大河 ,  MURAOKA, TAIGA ,  伊藤大吾 ,  ITO, DAIGO

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TW201438113A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：TW103102952

申请日：2014-01-27

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山本孔明 ,  YAMAMOTO, YOSHIAKI ,  伊藤公一 ,  ITO, KOICHI ,  倉田求 ,  KURATA, MOTOMU ,  村岡大河 ,  MURAOKA, TAIGA ,  伊藤大吾 ,  ITO, DAIGO

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明的目的之一是以高良率提供一種具有良好的電特性的微細的電晶體。另外，本發明的目的之一是在包括該電晶體的半導體裝置中也實現高性能化、高可靠性化及高生產化。在將氧化物半導體膜微細加工為島狀時，藉由使用硬遮罩可以抑制氧化物半導體膜的端部的凹凸。明確而言，在氧化物半導體膜上形成硬遮罩；在硬遮罩上形成光阻劑；進行曝光以形成光阻遮罩；使用光阻遮罩對硬遮罩進行加工；使用所加工的硬遮罩對氧化物半導體膜進行加工；去除光阻遮罩及所加工的硬遮罩；形成接觸於所加工的氧化物半導體膜的源極電極及汲極電極；在源極電極及汲極電極上形成閘極絕緣膜；以及在閘極絕緣膜上形成與氧化物半導體膜重疊的閘極電極。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的之一是以高良率提供一种具有良好的电特性的微细的晶体管。另外，本发明的目的之一是在包括该晶体管的半导体设备中也实现高性能化、高可靠性化及高生产化。在将氧化物半导体膜微细加工为岛状时，借由使用硬遮罩可以抑制氧化物半导体膜的端部的凹凸。明确而言，在氧化物半导体膜上形成硬遮罩；在硬遮罩上形成光阻剂；进行曝光以形成光阻遮罩；使用光阻遮罩对硬遮罩进行加工；使用所加工的硬遮罩对氧化物半导体膜进行加工；去除光阻遮罩及所加工的硬遮罩；形成接触于所加工的氧化物半导体膜的源极电极及汲极电极；在源极电极及汲极电极上形成闸极绝缘膜；以及在闸极绝缘膜上形成与氧化物半导体膜重叠的闸极电极。

公开(公告)号：TWI449126B

公开(公告)日：2014-08-11

申请号：TW097138723

申请日：2008-10-08

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  大沼英人 ,  OHNUMA, HIDETO ,  飯窪陽一 ,  IIKUBO, YOICHI ,  山本孔明 ,  YAMAMOTO, YOSHIAKI ,  牧野賢一郎 ,  MAKINO, KENICHIRO

IPC: H01L21/71 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66772