公开(公告)号：TW201830706A

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：TW107112912

申请日：2011-01-21

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  鄉戶宏充 ,  GODO, HIROMICHI ,  須澤英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  倉田求 ,  KURATA, MOTOMU ,  三上真弓 ,  MIKAMI, MAYUMI

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

Abstract: 本發明的目的之一是提供一種維持良好的特性並實現微細化的使用氧化物半導體的半導體裝置。一種半導體裝置，包括：氧化物半導體層；與所述氧化物半導體層接觸的源極電極及汲極電極；與所述氧化物半導體層重疊的閘極電極；以及設置在所述氧化物半導體層和所述閘極電極之間的閘極絕緣層，其中，所述源極電極及所述汲極電極包括第一導電層和具有從所述第一導電層的端部向通道長度方向延伸的區域的第二導電層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微细化的使用氧化物半导体的半导体设备。一种半导体设备，包括：氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层接触的源极电极及汲极电极；与所述氧化物半导体层重叠的闸极电极；以及设置在所述氧化物半导体层和所述闸极电极之间的闸极绝缘层，其中，所述源极电极及所述汲极电极包括第一导电层和具有从所述第一导电层的端部向信道长度方向延伸的区域的第二导电层。

公开(公告)号：TW201830696A

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：TW106144898

申请日：2011-09-08

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  鄉戶宏充 ,  GODO, HIROMICHI ,  小林聰 ,  KOBAYASHI, SATOSHI

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/86

Abstract: 目的在於提供具有例如耐高壓、低逆向飽合電流、及高開啟狀態電流等電特徵之半導體裝置。特別地，目的在於提供包含非線性元件的功率二極體及整流器。本發明的實施例是半導體裝置，其包含：第一電極；閘極絕緣層，遮蓋第一電極；氧化物半導體層，接觸閘極絕緣層及與第一電極重疊；成對的第二電極，遮蓋氧化物半導體層的端部；絕緣層，遮蓋成對的第二電極以及氧化物半導體層；以及，第三電極，接觸絕緣層以及在成對的第二電極之間。成對的第二電極接觸氧化物半導體層的端表面。

Abstract in simplified Chinese: 目的在于提供具有例如耐高压、低逆向饱合电流、及高打开状态电流等电特征之半导体设备。特别地，目的在于提供包含非线性组件的功率二极管及整流器。本发明的实施例是半导体设备，其包含：第一电极；闸极绝缘层，遮盖第一电极；氧化物半导体层，接触闸极绝缘层及与第一电极重叠；成对的第二电极，遮盖氧化物半导体层的端部；绝缘层，遮盖成对的第二电极以及氧化物半导体层；以及，第三电极，接触绝缘层以及在成对的第二电极之间。成对的第二电极接触氧化物半导体层的端表面。

公开(公告)号：TWI632687B

公开(公告)日：2018-08-11

申请号：TW106107978

申请日：2010-11-22

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  鄉戶宏充 ,  GODO, HIROMICHI ,  河江大輔 ,  KAWAE, DAISUKE

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

公开(公告)号：TWI608622B

公开(公告)日：2017-12-11

申请号：TW105122909

申请日：2010-12-15

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  鄉戶宏充 ,  GODO, HIROMICHI ,  河江大輔 ,  KAWAE, DAISUKE

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TWI545724B

公开(公告)日：2016-08-11

申请号：TW099131254

申请日：2010-09-15

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI ,  丸山穗高 ,  MARUYAMA, HOTAKA ,  鄉戶宏充 ,  GODO, HIROMICHI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/1233 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288

公开(公告)号：TW201624722A

公开(公告)日：2016-07-01

申请号：TW105109225

申请日：2012-03-22

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  鄉戶宏充 ,  GODO, HIROMICHI ,  竹村保彥 ,  TAKEMURA, YASUHIKO

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/108 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10826 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1225 ,  H01L28/90 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78609

Abstract: 提供一種具有小關閉狀態電流的場效電晶體(FET)，用於微小化半導體積體電路中。場效電晶體包括：薄的氧化物半導體，實質上垂直於絕緣表面，且厚度大於或等於1nm且小於或等於30nm；閘極絕緣膜，形成為遮蓋氧化物半導體；以及，條狀閘極，形成為遮蓋閘極絕緣膜，及寬度大於或等於10nm且小於或等於100nm。在此結構中，薄的氧化物半導體的三表面由閘極遮蓋，以致於從源極或汲極注入的電子能被有效地移除，以及，源極與汲極之間的大部份空間是空乏區；因此，關閉狀態電流可被降低。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种具有小关闭状态电流的场效应管(FET)，用于微小化半导体集成电路中。场效应管包括：薄的氧化物半导体，实质上垂直于绝缘表面，且厚度大于或等于1nm且小于或等于30nm；闸极绝缘膜，形成为遮盖氧化物半导体；以及，条状闸极，形成为遮盖闸极绝缘膜，及宽度大于或等于10nm且小于或等于100nm。在此结构中，薄的氧化物半导体的三表面由闸极遮盖，以致于从源极或汲极注入的电子能被有效地移除，以及，源极与汲极之间的大部份空间是空乏区；因此，关闭状态电流可被降低。

公开(公告)号：TWI512980B

公开(公告)日：2015-12-11

申请号：TW100103961

申请日：2011-02-01

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  鄉戶宏充 ,  GODO, HIROMICHI ,  須澤英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  倉田求 ,  KURATA, MOTOMU ,  三上真弓 ,  MIKAMI, MAYUMI

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  Y10T428/24421

公开(公告)号：TWI476917B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：TW099110741

申请日：2010-04-07

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  鄉戶宏充 ,  GODO, HIROMICHI ,  岸田英幸 ,  KISHIDA, HIDEYUKI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TWI476904B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：TW097101667

申请日：2008-01-16

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  磯部敦生 ,  ISOBE, ATSUO ,  鄉戶宏充 ,  GODO, HIROMICHI

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI470807B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：TW098142073

申请日：2009-12-09

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 鄉戶宏充 ,  GODO, HIROMICHI ,  小林聰 ,  KOBAYASHI, SATOSHI ,  宮入秀和 ,  MIYAIRI, HIDEKAZU ,  伊佐敏行 ,  ISA, TOSHIYUKI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/12 ,  H01L29/04