公开(公告)号：TWI524409B

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：TW099120266

申请日：2010-06-22

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 花岡一哉 ,  HANAOKA, KAZUYA

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/02032

公开(公告)号：TW201308580A

公开(公告)日：2013-02-16

申请号：TW101124456

申请日：2012-07-06

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 石塚章廣 ,  ISHIZUKA, AKIHIRO ,  花岡一哉 ,  HANAOKA, KAZUYA ,  世川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  永松翔 ,  NAGAMATSU, SHO

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78636 ,  H01L29/7869

摘要： 本發明的課題之一是提供具有優良的特性的半導體裝置，其中通道層包括具有結晶性高的氧化物半導體。此外，提供包括具有改善平坦性的基底膜的半導體裝置。對電晶體的基底膜進行CMP處理，在進行CMP處理之後進行電漿處理，從而基底膜具有低於0.1nm的中心線平均粗糙度Ra75。在藉由組合電漿處理和CMP處理得到的具有平坦性的基底膜上形成具有高結晶性的氧化物半導體層，藉此改善半導體裝置的特性。

简体摘要： 本发明的课题之一是提供具有优良的特性的半导体设备，其中信道层包括具有结晶性高的氧化物半导体。此外，提供包括具有改善平坦性的基底膜的半导体设备。对晶体管的基底膜进行CMP处理，在进行CMP处理之后进行等离子处理，从而基底膜具有低于0.1nm的中心线平均粗糙度Ra75。在借由组合等离子处理和CMP处理得到的具有平坦性的基底膜上形成具有高结晶性的氧化物半导体层，借此改善半导体设备的特性。

公开(公告)号：TWI620325B

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW103113868

申请日：2014-04-16

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 本堂英 ,  HONDO, SUGURU ,  花岡一哉 ,  HANAOKA, KAZUYA ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  楠本直人 ,  KUSUMOTO, NAOTO

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TWI512815B

公开(公告)日：2015-12-11

申请号：TW099127454

申请日：2010-08-17

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 花岡一哉 ,  HANAOKA, KAZUYA ,  今井馨太郎 ,  IMAI, KEITARO

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/02032 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76254

公开(公告)号：TW201501311A

公开(公告)日：2015-01-01

申请号：TW103113868

申请日：2014-04-16

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 本堂英 ,  HONDO, SUGURU ,  花岡一哉 ,  HANAOKA, KAZUYA ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  楠本直人 ,  KUSUMOTO, NAOTO

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/7869

摘要： 本發明提供一種具有即使微型化也容易製造的結構且可以抑制微型化所導致的電特性下降的半導體裝置。該半導體裝置包括氧化物半導體層、與氧化物半導體層接觸地設置的第一導電物、與第一導電物接觸地設置的絕緣物，在第一導電物及絕緣物中設置有開口部，在開口部中，使氧化物半導體層、第一導電物及絕緣物的側面成一直線，氧化物半導體層及第一導電物藉由側接觸與第二導電物電連接。

简体摘要： 本发明提供一种具有即使微型化也容易制造的结构且可以抑制微型化所导致的电特性下降的半导体设备。该半导体设备包括氧化物半导体层、与氧化物半导体层接触地设置的第一导电物、与第一导电物接触地设置的绝缘物，在第一导电物及绝缘物中设置有开口部，在开口部中，使氧化物半导体层、第一导电物及绝缘物的侧面成一直线，氧化物半导体层及第一导电物借由侧接触与第二导电物电连接。

公开(公告)号：TWI591805B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：TW101124456

申请日：2012-07-06

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 石塚章廣 ,  ISHIZUKA, AKIHIRO ,  花岡一哉 ,  HANAOKA, KAZUYA ,  世川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  永松翔 ,  NAGAMATSU, SHO

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78636 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TW201530762A

公开(公告)日：2015-08-01

申请号：TW103142615

申请日：2014-12-08

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  倉田求 ,  KURATA, MOTOMU ,  花岡一哉 ,  HANAOKA, KAZUYA ,  小林由幸 ,  KOBAYASHI, YOSHIYUKI ,  松林大介 ,  MATSUBAYASHI, DAISUKE

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869

摘要： 本發明提供一種具有良好的電特性的半導體裝置。該半導體裝置包括：絕緣層；絕緣層上的半導體層；與半導體層電連接的源極電極層及汲極電極層；半導體層、源極電極層以及汲極電極層上的閘極絕緣膜；以及隔著閘極絕緣膜與部分半導體層、部分源極電極層以及部分汲極電極層重疊的閘極電極層，其中半導體層的通道寬度方向上的剖面為大致三角形或大致梯形，以使實效的通道寬度短於剖面為四邊形的情況。

简体摘要： 本发明提供一种具有良好的电特性的半导体设备。该半导体设备包括：绝缘层；绝缘层上的半导体层；与半导体层电连接的源极电极层及汲极电极层；半导体层、源极电极层以及汲极电极层上的闸极绝缘膜；以及隔着闸极绝缘膜与部分半导体层、部分源极电极层以及部分汲极电极层重叠的闸极电极层，其中半导体层的信道宽度方向上的剖面为大致三角形或大致梯形，以使实效的信道宽度短于剖面为四边形的情况。

公开(公告)号：TW201501319A

公开(公告)日：2015-01-01

申请号：TW103117141

申请日：2014-05-15

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 花岡一哉 ,  HANAOKA, KAZUYA ,  松林大介 ,  MATSUBAYASHI, DAISUKE ,  小林由幸 ,  KOBAYASHI, YOSHIYUKI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  松田慎平 ,  MATSUDA, SHINPEI

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/78696

摘要： 本發明的一個方式的目的之一是提供一種能夠抑制隨著微型化而逐漸顯著的電特性下降的半導體裝置。該半導體裝置包括：第一氧化物膜；第一氧化物膜上的氧化物半導體膜；與氧化物半導體膜接觸的源極電極及汲極電極；氧化物半導體膜、源極電極及汲極電極上的第二氧化物膜；第二氧化物膜上的閘極絕緣膜；以及與閘極絕緣膜接觸的閘極電極，其中，從通道寬度方向看時，氧化物半導體膜的上端部帶弧形。

简体摘要： 本发明的一个方式的目的之一是提供一种能够抑制随着微型化而逐渐显着的电特性下降的半导体设备。该半导体设备包括：第一氧化物膜；第一氧化物膜上的氧化物半导体膜；与氧化物半导体膜接触的源极电极及汲极电极；氧化物半导体膜、源极电极及汲极电极上的第二氧化物膜；第二氧化物膜上的闸极绝缘膜；以及与闸极绝缘膜接触的闸极电极，其中，从信道宽度方向看时，氧化物半导体膜的上端部带弧形。

公开(公告)号：TWI642186B

公开(公告)日：2018-11-21

申请号：TW103142615

申请日：2014-12-08

申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA ,  倉田求 ,  KURATA, MOTOMU ,  花岡一哉 ,  HANAOKA, KAZUYA ,  小林由幸 ,  KOBAYASHI, YOSHIYUKI ,  松林大介 ,  MATSUBAYASHI, DAISUKE

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TW201826544A

公开(公告)日：2018-07-16

申请号：TW107109126

申请日：2014-05-15

申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 花岡一哉 ,  HANAOKA, KAZUYA ,  松林大介 ,  MATSUBAYASHI, DAISUKE ,  小林由幸 ,  KOBAYASHI, YOSHIYUKI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  松田慎平 ,  MATSUDA, SHINPEI

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40

摘要： 本發明的一個方式的目的之一是提供一種能夠抑制隨著微型化而逐漸顯著的電特性下降的半導體裝置。該半導體裝置包括：第一氧化物膜；第一氧化物膜上的氧化物半導體膜；與氧化物半導體膜接觸的源極電極及汲極電極；氧化物半導體膜、源極電極及汲極電極上的第二氧化物膜；第二氧化物膜上的閘極絕緣膜；以及與閘極絕緣膜接觸的閘極電極，其中，從通道寬度方向看時，氧化物半導體膜的上端部帶弧形。

简体摘要： 本发明的一个方式的目的之一是提供一种能够抑制随着微型化而逐渐显着的电特性下降的半导体设备。该半导体设备包括：第一氧化物膜；第一氧化物膜上的氧化物半导体膜；与氧化物半导体膜接触的源极电极及汲极电极；氧化物半导体膜、源极电极及汲极电极上的第二氧化物膜；第二氧化物膜上的闸极绝缘膜；以及与闸极绝缘膜接触的闸极电极，其中，从信道宽度方向看时，氧化物半导体膜的上端部带弧形。