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公开(公告)号:TW202023005A
公开(公告)日:2020-06-16
申请号:TW108118283
申请日:2019-05-27
发明人: 林裁賢 , LIM, JAE HYUN , 李尙鍾 , LEE, SANG JONG , 金哲奎 , KIM, CHUL KYU , 徐允錫 , SEO, YOON SEOK
IPC分类号: H01L23/28 , H01L23/488
摘要: 一種半導體封裝包括:框架,具有開口且包括配線層以及一或多層連接通孔;半導體晶片,配置於開口中且具有主動面及與主動面相對的非主動面,主動面上配置有連接墊;包封體,覆蓋框架及半導體晶片且填充開口;連接結構,配置於框架以及半導體晶片的主動面上,且包括電性連接至連接墊及配線層的一或多個重佈線層;一或多個被動組件,配置於連接結構上;模製材料,覆蓋被動組件中的每一者;以及金屬層,覆蓋框架、連接結構及模製材料中的每一者的外表面。金屬層連接至框架的配線層中所包括的接地圖案。
简体摘要: 一种半导体封装包括:框架,具有开口且包括配线层以及一或多层连接通孔;半导体芯片,配置于开口中且具有主动面及与主动面相对的非主动面,主动面上配置有连接垫;包封体,覆盖框架及半导体芯片且填充开口;连接结构,配置于框架以及半导体芯片的主动面上,且包括电性连接至连接垫及配线层的一或多个重布线层;一或多个被动组件,配置于连接结构上;模制材料,覆盖被动组件中的每一者;以及金属层,覆盖框架、连接结构及模制材料中的每一者的外表面。金属层连接至框架的配线层中所包括的接地图案。
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公开(公告)号:TW202019246A
公开(公告)日:2020-05-16
申请号:TW108116637
申请日:2019-05-15
发明人: 金亨俊 , KIM, HYUNG-JOON , 金漢 , KIM, HAN , 金哲奎 , KIM, CHUL-KYU , 沈正虎 , SHIM, JUNG-HO
IPC分类号: H05K1/02
摘要: 根據本發明態樣的一種中介板包括:主體,由包含陶瓷的材料製成;以及金屬引腳,穿過主體而在主體上方及下方突出。
简体摘要: 根据本发明态样的一种中介板包括:主体,由包含陶瓷的材料制成;以及金属引脚,穿过主体而在主体上方及下方突出。
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公开(公告)号:TW202018881A
公开(公告)日:2020-05-16
申请号:TW108115817
申请日:2019-05-08
发明人: 金亨俊 , KIM, HYUNG-JOON , 鄭捧夫 , JUNG, BONG-BU , 金哲奎 , KIM, CHUL-KYU , 金漢 , KIM, HAN
IPC分类号: H01L23/31 , H01L23/488
摘要: 根據本發明的一種封裝結構包括:第一基板及第二基板,彼此藉由中介層垂直地耦合;第一組件,安裝於第一基板的面向第二基板的一表面上;加強構件,位於第一基板的所述一表面上,與第一組件間隔開;以及第二組件,安裝於第二基板的一表面上,定位成與加強構件相對。
简体摘要: 根据本发明的一种封装结构包括:第一基板及第二基板,彼此借由中介层垂直地耦合;第一组件,安装于第一基板的面向第二基板的一表面上;加强构件,位于第一基板的所述一表面上,与第一组件间隔开;以及第二组件,安装于第二基板的一表面上,定位成与加强构件相对。
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公开(公告)号:TWI695478B
公开(公告)日:2020-06-01
申请号:TW108105737
申请日:2019-02-21
发明人: 林裁賢 , LIM, JAE HYUN , 金漢 , KIM, HAN , 金哲奎 , KIM, CHUL KYU , 李尙鍾 , LEE, SANG JONG , 沈正虎 , SHIM, JUNG HO
IPC分类号: H01L23/58
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公开(公告)号:TW201715664A
公开(公告)日:2017-05-01
申请号:TW105114369
申请日:2016-05-10
发明人: 姜丞溫 , KANG, SEUNG ON , 韓宇聲 , HAN, WOO SUNG , 高永寬 , KO, YOUNG GWAN , 金哲奎 , KIM, CHUL KYU , 金漢 , KIM, HAN
IPC分类号: H01L23/31 , H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/498 , H01L21/52
CPC分类号: H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2924/19105
摘要: 一種電子元件封裝,包括:框架,具有空腔;電子元件,安置於框架的空腔中;第一金屬層,安置於框架的空腔的內壁上;囊封劑,囊封電子元件;以及重分佈層,安置於框架及電子元件之下。
简体摘要: 一种电子组件封装,包括:框架,具有空腔;电子组件,安置于框架的空腔中;第一金属层,安置于框架的空腔的内壁上;囊封剂,囊封电子组件;以及重分布层,安置于框架及电子组件之下。
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