公开(公告)号：TW405219B

公开(公告)日：2000-09-11

申请号：TW087105216

申请日：1998-04-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 蔡肇杰 ,  孫元成 ,  賀慶雄

IPC: H01L

Abstract: 本發明提出一種無邊陲銜接通道之製程，其步驟包括:提供一包含有元件之半導體基底;形成一內金屬介電層於該半導體基底上;施一平坦化程序;形成一硬罩幕層於該內金屬介電層上;定義該硬罩幕層，並在預定形成銜接通道的區域形成一裸露出該介電層表面的長條形窗口;在該些長條形窗口下方預定形成銜接通道處形成一連接該元件的接觸開口;在該接觸開口內填入一第一導電層;去除部分未被該硬罩幕層所覆蓋之該內金屬介電層;以及填入一第二導電層於該第一導電層上，並將該接觸開口填滿，完成無邊陲銜接通道之製程。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提出一种无边陲衔接信道之制程，其步骤包括:提供一包含有组件之半导体基底;形成一内金属介电层于该半导体基底上;施一平坦化进程;形成一硬罩幕层于该内金属介电层上;定义该硬罩幕层，并在预定形成衔接信道的区域形成一裸露出该介电层表面的长条形窗口;在该些长条形窗口下方预定形成衔接信道处形成一连接该组件的接触开口;在该接触开口内填入一第一导电层;去除部分未被该硬罩幕层所覆盖之该内金属介电层;以及填入一第二导电层于该第一导电层上，并将该接触开口填满，完成无边陲衔接信道之制程。

公开(公告)号：TWI613700B

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：TW105108044

申请日：2016-03-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 楊 育佳 ,  YEO, YEE-CHIA ,  葉凌彥 ,  YEH, LING YEN ,  孫元成 ,  SUN, YUAN CHEN

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66 ,  H01L29/772 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/461 ,  H01L21/8256 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/785

公开(公告)号：TWI607544B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：TW105136918

申请日：2016-11-11

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 楊育佳 ,  YEO, YEE-CHIA ,  卡羅司 迪亞茲 ,  DIAZ, CARLOS H. ,  王志豪 ,  WANG, CHIH HAO ,  葉凌彥 ,  YEH, LING YEN ,  孫元成 ,  SUN, YUAN CHEN

IPC: H01L23/535 ,  H01L29/04 ,  H01L29/167 ,  H01L29/201 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/41791 ,  H01L21/30604 ,  H01L23/535 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/167 ,  H01L29/201 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/785

公开(公告)号：TW420856B

公开(公告)日：2001-02-01

申请号：TW088100470

申请日：1999-01-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 蔡肇杰 ,  孫元成

IPC: H01L

Abstract: 一種淺渠溝隔離製程，其利用氮離子植入在隔離渠溝側邊形成一阻障層，藉以降低反窄通道效應。這種製程的步驟包括:首先，提供一半導體基底(如矽基底)，並在其表面依序形成第一介電層(如氧化層)及第二介電層(如氮化層)。接著，定義第二介電層、第一介電層、半導體基底，藉以形成一隔離渠溝。然後，以預定角度(如45。)植入氮離子，藉以在隔離渠溝側邊形成一阻障層。以及，形成一第三介電層，藉以覆蓋隔離渠溝。

Abstract in simplified Chinese: 一种浅渠沟隔离制程，其利用氮离子植入在隔离渠沟侧边形成一阻障层，借以降低反窄信道效应。这种制程的步骤包括:首先，提供一半导体基底(如硅基底)，并在其表面依序形成第一介电层(如氧化层)及第二介电层(如氮化层)。接着，定义第二介电层、第一介电层、半导体基底，借以形成一隔离渠沟。然后，以预定角度(如45。)植入氮离子，借以在隔离渠沟侧边形成一阻障层。以及，形成一第三介电层，借以覆盖隔离渠沟。

公开(公告)号：TW364187B

公开(公告)日：1999-07-11

申请号：TW087104850

申请日：1998-03-31

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 孫元成 ,  賀慶雄 ,  蔡肇杰

IPC: H01L

Abstract: 本發明提出一種無邊陲銜接的雙溝渠連接通道之製程，其步驟包括：提供一包含有元件之半導體基底；形成一內金屬介電層於該半導體基底上；施一平坦化程序；形成一硬罩幕層於該內金屬介電層上；定義該硬罩幕層，在預定形成內連線的區域形成一長條形開口；以該硬罩幕層為蝕刻罩幕，去除開口下方所裸露的部分內金屬介電層，形成一長度遠大於該些通道而寬度相同的長條狀溝渠；以微影程序及蝕刻技術在該長條狀溝渠中預定形成接觸開口的區域，定義出一連接該元件之接觸開口；以及在該接觸開口填入一導電層，完成無邊陲銜接雙溝渠連接通道之製程。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提出一种无边陲衔接的双沟渠连接信道之制程，其步骤包括：提供一包含有组件之半导体基底；形成一内金属介电层于该半导体基底上；施一平坦化进程；形成一硬罩幕层于该内金属介电层上；定义该硬罩幕层，在预定形成内连接的区域形成一长条形开口；以该硬罩幕层为蚀刻罩幕，去除开口下方所裸露的部分内金属介电层，形成一长度远大于该些信道而宽度相同的长条状沟渠；以微影进程及蚀刻技术在该长条状沟渠中预定形成接触开口的区域，定义出一连接该组件之接触开口；以及在该接触开口填入一导电层，完成无边陲衔接双沟渠连接信道之制程。

公开(公告)号：TW201735309A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105136918

申请日：2016-11-11

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 楊育佳 ,  YEO, YEE-CHIA ,  卡羅司 迪亞茲 ,  DIAZ, CARLOS H. ,  王志豪 ,  WANG, CHIH HAO ,  葉凌彥 ,  YEH, LING YEN ,  孫元成 ,  SUN, YUAN CHEN

IPC: H01L23/535 ,  H01L29/04 ,  H01L29/167 ,  H01L29/201 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/41791 ,  H01L21/30604 ,  H01L23/535 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/167 ,  H01L29/201 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/785

Abstract: 一種半導體元件包括具有第一半導體材料之鰭。該鰭包括源極/汲極(S/D)區域及通道區域。S/D區域提供頂表面及兩個側壁表面。S/D區域之寬度小於通道區域之寬度。半導體元件進一步包括S/D區域上方的且具有經摻雜第二半導體材料的半導體薄膜。半導體薄膜提供分別大體上平行於S/D區域之頂表面及兩個側壁表面的頂表面及兩個側壁表面。半導體元件進一步包括金屬接點，金屬接點在半導體薄膜之頂表面及兩個側壁表面上方且可操作以與S/D區域電氣連通。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体组件包括具有第一半导体材料之鳍。该鳍包括源极/汲极(S/D)区域及信道区域。S/D区域提供顶表面及两个侧壁表面。S/D区域之宽度小于信道区域之宽度。半导体组件进一步包括S/D区域上方的且具有经掺杂第二半导体材料的半导体薄膜。半导体薄膜提供分别大体上平行于S/D区域之顶表面及两个侧壁表面的顶表面及两个侧壁表面。半导体组件进一步包括金属接点，金属接点在半导体薄膜之顶表面及两个侧壁表面上方且可操作以与S/D区域电气连通。

公开(公告)号：TW201707053A

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：TW105108044

申请日：2016-03-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 楊 育佳 ,  YEO, YEE-CHIA ,  葉凌彥 ,  YEH, LING YEN ,  孫元成 ,  SUN, YUAN CHEN

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66 ,  H01L29/772 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/461 ,  H01L21/8256 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/785

Abstract: 提供一種電晶體，其係以過渡金屬二硫族化物材料所形成。利用直接沉積製程形成過渡金屬二硫族化物材料，並將其圖案化成為一或多個鰭板。在一或多個鰭板上形成閘極介電質及閘極電極。或者，可藉由沉積非過渡金屬二硫族化物材料後再進行處理形成過渡金屬二硫族化物材料。此外，利用過渡金屬二硫族化物材料所形成的鰭板的側壁可為垂直於基板或可相對於基板傾斜。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种晶体管，其系以过渡金属二硫族化物材料所形成。利用直接沉积制程形成过渡金属二硫族化物材料，并将其图案化成为一或多个鳍板。在一或多个鳍板上形成闸极介电质及闸极电极。或者，可借由沉积非过渡金属二硫族化物材料后再进行处理形成过渡金属二硫族化物材料。此外，利用过渡金属二硫族化物材料所形成的鳍板的侧壁可为垂直于基板或可相对于基板倾斜。

公开(公告)号：TWI334178B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：TW096118497

申请日：2007-05-24

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 鄭光茗 ,  莊學理 ,  孫元成

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

Abstract: 本發明提供一種積體電路，包括：一半導體基底，其具有一第一區；至少一p型區，在該半導體基底中，且複數個矽鍺區形成在該p型區中；至少一n型區，在該半導體基底中；其中在該第一區中的所有該矽鍺區具有一第一總面積，在該第一區中的所有該p型區具有一第二總面積，在該第一區中的所有該n型區具有一第三總面積；以及其中該第一總面積與該第二及第三總面積之總合的一比率約介於5%至50%之間。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种集成电路，包括：一半导体基底，其具有一第一区；至少一p型区，在该半导体基底中，且复数个硅锗区形成在该p型区中；至少一n型区，在该半导体基底中；其中在该第一区中的所有该硅锗区具有一第一总面积，在该第一区中的所有该p型区具有一第二总面积，在该第一区中的所有该n型区具有一第三总面积；以及其中该第一总面积与该第二及第三总面积之总合的一比率约介于5%至50%之间。