公开(公告)号：TW559990B

公开(公告)日：2003-11-01

申请号：TW091120863

申请日：2002-09-12

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 包天一 ,  呂新賢 ,  黎麗萍 ,  柯忠祁 ,  宋金穎 ,  章勳明

IPC: H01L

Abstract: 一種低介電常數材料之保護層的形成方法，包括下列步驟：沈積一低介電常數材料於一半導體基底上而形成一介電層；以及施行一電漿處理程序，以形成一保護層，其中上述電漿處理程序可以碳氫氣體或是碳氫氣體與氫氣之混合氣體之電漿處理，或是上述處理後再加上一氫氣之電漿處理。

Abstract in simplified Chinese: 一种低介电常数材料之保护层的形成方法，包括下列步骤：沉积一低介电常数材料于一半导体基底上而形成一介电层；以及施行一等离子处理进程，以形成一保护层，其中上述等离子处理进程可以碳氢气体或是碳氢气体与氢气之混合气体之等离子处理，或是上述处理后再加上一氢气之等离子处理。