公开(公告)号：TW201903932A

公开(公告)日：2019-01-16

申请号：TW106135469

申请日：2017-10-17

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李孟憲 ,  LI, MENG HSIEN ,  呂新賢 ,  LU, HSIN HSIEN

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/30

Abstract: 一種製造半導體裝置的方法，其包括一清洗製程。清洗製程使用具有濕式清洗區以及電漿清洗區之半導體製造機台。半導體裝置被放入濕式清洗區中之濕式清洗腔中，濕式清洗製程係於濕式清洗腔中進行。完成後，在不暴露於大氣的情況下，將半導體裝置自濕式清洗區移出並將其放入電漿清洗區之電漿清洗腔中。接著進行電漿清洗。

Abstract in simplified Chinese: 一种制造半导体设备的方法，其包括一清洗制程。清洗制程使用具有湿式清洗区以及等离子清洗区之半导体制造机台。半导体设备被放入湿式清洗区中之湿式清洗腔中，湿式清洗制程系于湿式清洗腔中进行。完成后，在不暴露于大气的情况下，将半导体设备自湿式清洗区移出并将其放入等离子清洗区之等离子清洗腔中。接着进行等离子清洗。

公开(公告)号：TWI685044B

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：TW106135469

申请日：2017-10-17

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李孟憲 ,  LI, MENG HSIEN ,  呂新賢 ,  LU, HSIN HSIEN

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/30

公开(公告)号：TW201431913A

公开(公告)日：2014-08-16

申请号：TW102116237

申请日：2013-05-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林長生 ,  LIN, CHANGSHENG ,  呂新賢 ,  LU, HSINHSIEN

IPC: C08J5/14 ,  B24B37/24

CPC classification number: B24B37/24 ,  B24B37/26

Abstract: 一種研磨墊用以研磨一基底。研磨墊包括一層之材料，具有一上研磨表面，及一下表面與一鄰近的晶圓平台界面相交。材料包括一導電高分子(CPY)散佈於一介電高分子材料結構中的一種混合物，此混合物係運用一預定之關係式組成。另一實施例提供一種研磨墊具有一層介電高分子材料，具有一上研磨表面，及一下表面與一鄰近的晶圓平台界面相交。一第一組凹槽填充以一導電高分子，從上研磨表面延伸至下表面，第一組凹槽填充以一導電高分子。一第二組較淺的凹槽用以在上研磨表面上提供研磨液流動。第一組凹槽及/或第二組凹槽以一預定圖案形成。

Abstract in simplified Chinese: 一种研磨垫用以研磨一基底。研磨垫包括一层之材料，具有一上研磨表面，及一下表面与一邻近的晶圆平台界面相交。材料包括一导电高分子(CPY)散布于一介电高分子材料结构中的一种混合物，此混合物系运用一预定之关系式组成。另一实施例提供一种研磨垫具有一层介电高分子材料，具有一上研磨表面，及一下表面与一邻近的晶圆平台界面相交。一第一组凹槽填充以一导电高分子，从上研磨表面延伸至下表面，第一组凹槽填充以一导电高分子。一第二组较浅的凹槽用以在上研磨表面上提供研磨液流动。第一组凹槽及/或第二组凹槽以一预定图案形成。

公开(公告)号：TWI518765B

公开(公告)日：2016-01-21

申请号：TW102126934

申请日：2013-07-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 呂新賢 ,  LU, HSINHSIEN ,  林長生 ,  LIN, CHANGSHENG

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/30625 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

公开(公告)号：TWI319203B

公开(公告)日：2010-01-01

申请号：TW094116324

申请日：2005-05-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 呂新賢 ,  郭涵馨 ,  陳盈和 ,  章勳明

IPC: H01L

Abstract: 一種典型用於化學機械研磨製程時清洗晶圓之方法，包括在連續研磨步驟中研磨晶圓上之材料層；在至少一研磨步驟之後，利用新穎的界面活性劑組成溶液潤洗晶圓；以及利用去離子水潤洗晶圓。界面活性劑組成溶液為晶圓上之疏水性材料層，例如低介電常數介電層，賦予一般親水的特性。結果此層變得可經由去離子水清洗，因而顯著促進去除此層上之顆粒，並降低與化學機械研磨製程相關之缺陷數。 A method for the cleaning of wafers typically during a chemical mechanical polishing (CMP) process. The method includes polishing a material layer on a wafer in sequential polishing steps, rinsing the wafer using a novel surfactant composition solution after at least one of the polishing steps and rinsing of the wafer using deionized water, respectively. The surfactant composition solution imparts a generally hydrophilic character to a hydrophobic material layer such as a low-k dielectric layer on the wafer. Consequently, the layer is rendered amenable to cleaning by deionized water, thereby significantly enhancing the removal of particles from the layer and reducing the number of defects related to the CMP process. 【創作特點】 本發明的目的之一就是提供一種新且改善清洗晶圓之方法。
本發明的另一目的則是提供一種在化學機械研磨製程中或之後適用於清洗晶圓之方法。
本發明的又一目的則是提供一種適用於晶圓上具有低介電常數介電層之清洗方法。
本發明的再一目的則是提供一種晶圓上具有疏水層之特別有效地清洗方法。
本發明的又另一目的則是提供一種適用於晶圓上具有金屬層之清洗方法。
本發明的又再一目的則是提供一種清洗方法，其係有效提供親水性表面以促使從親水性表面清除顆粒之方法。
本發明的又更一目的則是提供一種界面活性劑組成溶液，以清除晶圓之一層上的顆粒。
本發明的又另一目的則是提供一種清洗晶圓之方法，其係於化學機械研磨製程中，在一個以上研磨步驟後，利用界面活性劑組成溶液清洗晶圓。
根據本發明上述之目的及優點，本發明提出一種在化學機械研磨製程時用於清洗晶圓之新且改善的方法。此方法包括以數個連續研磨步驟研磨晶圓上之材料層；在此些研磨步驟之至少一者之後；利用新穎的界面活性劑組成溶液潤洗前述晶圓；以及利用去離子水潤洗前述晶圓。界面活性劑組成溶液為晶圓上之疏水性材料層，例如低介電常數介電層，賦予實質上親水的特性。故此，前述疏水性材料層就成為經得起去離子水清洗，從而顯著促進清除此層上之顆粒，並降低與化學機械研磨製程相關之缺陷數量。
本發明之方法包括在化學機械研磨製程序列中，一般以一個以上之研磨步驟研磨此層後，對晶圓上之一層施加至少一次的界面活性劑組成溶液。較佳者，於化學機械研磨製程序列之最後研磨步驟後，對此層施以界面活性劑組成溶液。更佳者，於化學機械研磨製程序列之每一研磨步驟後，對此層施以界面活性劑組成溶液。
依照本發明，上述界面活性劑組成溶液為水性醇類溶液。此醇類為C4至C12之醇類為較佳，而以C10至C12之醇類為更佳。在一實施例中，上述界面活性劑組成溶液包括實質上介於0.01體積百分比至1體積百分比之間的醇類溶於水中。在另一實施例中，上述界面活性劑組成溶液包括體積比1：4之C4至C10之醇類與環氧乙烷的水性混合物。

Abstract in simplified Chinese: 一种典型用于化学机械研磨制程时清洗晶圆之方法，包括在连续研磨步骤中研磨晶圆上之材料层；在至少一研磨步骤之后，利用新颖的界面活性剂组成溶液润洗晶圆；以及利用去离子水润洗晶圆。界面活性剂组成溶液为晶圆上之疏水性材料层，例如低介电常数介电层，赋予一般亲水的特性。结果此层变得可经由去离子水清洗，因而显着促进去除此层上之颗粒，并降低与化学机械研磨制程相关之缺陷数。 A method for the cleaning of wafers typically during a chemical mechanical polishing (CMP) process. The method includes polishing a material layer on a wafer in sequential polishing steps, rinsing the wafer using a novel surfactant composition solution after at least one of the polishing steps and rinsing of the wafer using deionized water, respectively. The surfactant composition solution imparts a generally hydrophilic character to a hydrophobic material layer such as a low-k dielectric layer on the wafer. Consequently, the layer is rendered amenable to cleaning by deionized water, thereby significantly enhancing the removal of particles from the layer and reducing the number of defects related to the CMP process. 【创作特点】 本发明的目的之一就是提供一种新且改善清洗晶圆之方法。 本发明的另一目的则是提供一种在化学机械研磨制程中或之后适用于清洗晶圆之方法。 本发明的又一目的则是提供一种适用于晶圆上具有低介电常数介电层之清洗方法。 本发明的再一目的则是提供一种晶圆上具有疏水层之特别有效地清洗方法。 本发明的又另一目的则是提供一种适用于晶圆上具有金属层之清洗方法。 本发明的又再一目的则是提供一种清洗方法，其系有效提供亲水性表面以促使从亲水性表面清除颗粒之方法。 本发明的又更一目的则是提供一种界面活性剂组成溶液，以清除晶圆之一层上的颗粒。 本发明的又另一目的则是提供一种清洗晶圆之方法，其系于化学机械研磨制程中，在一个以上研磨步骤后，利用界面活性剂组成溶液清洗晶圆。 根据本发明上述之目的及优点，本发明提出一种在化学机械研磨制程时用于清洗晶圆之新且改善的方法。此方法包括以数个连续研磨步骤研磨晶圆上之材料层；在此些研磨步骤之至少一者之后；利用新颖的界面活性剂组成溶液润洗前述晶圆；以及利用去离子水润洗前述晶圆。界面活性剂组成溶液为晶圆上之疏水性材料层，例如低介电常数介电层，赋予实质上亲水的特性。故此，前述疏水性材料层就成为经得起去离子水清洗，从而显着促进清除此层上之颗粒，并降低与化学机械研磨制程相关之缺陷数量。 本发明之方法包括在化学机械研磨制进程列中，一般以一个以上之研磨步骤研磨此层后，对晶圆上之一层施加至少一次的界面活性剂组成溶液。较佳者，于化学机械研磨制进程列之最后研磨步骤后，对此层施以界面活性剂组成溶液。更佳者，于化学机械研磨制进程列之每一研磨步骤后，对此层施以界面活性剂组成溶液。 依照本发明，上述界面活性剂组成溶液为水性醇类溶液。此醇类为C4至C12之醇类为较佳，而以C10至C12之醇类为更佳。在一实施例中，上述界面活性剂组成溶液包括实质上介于0.01体积百分比至1体积百分比之间的醇类溶于水中。在另一实施例中，上述界面活性剂组成溶液包括体积比1：4之C4至C10之醇类与环氧乙烷的水性混合物。

公开(公告)号：TW559990B

公开(公告)日：2003-11-01

申请号：TW091120863

申请日：2002-09-12

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 包天一 ,  呂新賢 ,  黎麗萍 ,  柯忠祁 ,  宋金穎 ,  章勳明

IPC: H01L

Abstract: 一種低介電常數材料之保護層的形成方法，包括下列步驟：沈積一低介電常數材料於一半導體基底上而形成一介電層；以及施行一電漿處理程序，以形成一保護層，其中上述電漿處理程序可以碳氫氣體或是碳氫氣體與氫氣之混合氣體之電漿處理，或是上述處理後再加上一氫氣之電漿處理。

Abstract in simplified Chinese: 一种低介电常数材料之保护层的形成方法，包括下列步骤：沉积一低介电常数材料于一半导体基底上而形成一介电层；以及施行一等离子处理进程，以形成一保护层，其中上述等离子处理进程可以碳氢气体或是碳氢气体与氢气之混合气体之等离子处理，或是上述处理后再加上一氢气之等离子处理。

公开(公告)号：TWI530999B

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：TW102115626

申请日：2013-05-01

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林長生 ,  LIN, CHANGSHENG ,  呂新賢 ,  LU, HSINHSIEN

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04

CPC classification number: B24D9/10 ,  B24B37/16 ,  H01L21/67219

公开(公告)号：TWI509003B

公开(公告)日：2015-11-21

申请号：TW102116237

申请日：2013-05-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林長生 ,  LIN, CHANGSHENG ,  呂新賢 ,  LU, HSINHSIEN

IPC: C08J5/14 ,  B24B37/24

CPC classification number: B24B37/24 ,  B24B37/26

公开(公告)号：TWI508820B

公开(公告)日：2015-11-21

申请号：TW102134319

申请日：2013-09-24

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 連國成 ,  LIEN, KUOCHENG ,  呂新賢 ,  LU, HSINHSIEN

IPC: B24B37/32 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/32 ,  B24B41/067

公开(公告)号：TWI536439B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：TW103146201

申请日：2014-12-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李勝男 ,  LEE, SHEN NAN ,  蔡騰群 ,  TSAI, TENG CHUN ,  呂新賢 ,  LU, HSIN HSIEN ,  林長生 ,  LIN, CHANG SHENG ,  連國成 ,  LIEN, KUO CHENG ,  林國楹 ,  LIN, KUO YIN ,  劉文貴 ,  LIU, WEN KUEI ,  周有偉 ,  CHOU, YU WEI

IPC: H01L21/304 ,  B24B29/02

CPC classification number: H01L21/0209 ,  B24B7/228 ,  B24B9/065 ,  B24B21/002 ,  H01L21/02043 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/02096 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67288 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20