公开(公告)号：TWI348203B

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：TW096112047

申请日：2007-04-04

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 余振華 ,  葉名世 ,  林志賢 ,  盧永誠 ,  張惠林

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76826

Abstract: 本發明係提供一種積體電路的製作方法。上述積體電路的製作方法，包含提供一半導體基底。接著，形成一金屬化層於上述半導體基底上方，其中金屬化層包含一金屬圖案，其位於一低介電常數的介電層之中，且上述金屬圖案從低介電常數之介電層的一頂部表面延伸至低介電常數之介電層之中。之後，對該低介電常數之介電層進行一加工處理，以形成一親水性的頂部表面。接著，在一溶液中，電鍍一覆蓋層於上述金屬圖案上。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种集成电路的制作方法。上述集成电路的制作方法，包含提供一半导体基底。接着，形成一金属化层于上述半导体基底上方，其中金属化层包含一金属图案，其位于一低介电常数的介电层之中，且上述金属图案从低介电常数之介电层的一顶部表面延伸至低介电常数之介电层之中。之后，对该低介电常数之介电层进行一加工处理，以形成一亲水性的顶部表面。接着，在一溶液中，电镀一覆盖层于上述金属图案上。

公开(公告)号：TWI374501B

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：TW097109300

申请日：2008-03-17

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 張惠林 ,  盧永誠 ,  章勳明

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種積體電路結構之形成方法，包括：提供一半導體基板；形成一介電層於該半導體基板上；於該介電層內形成一開口；形成一晶種層於該開口內；形成一銅導線於該晶種層上，其中至少該晶種層與該銅導線之一包括一合金化材料；以及形成一蝕刻停止層於該銅導線之上。

Abstract in simplified Chinese: 一种集成电路结构之形成方法，包括：提供一半导体基板；形成一介电层于该半导体基板上；于该介电层内形成一开口；形成一晶种层于该开口内；形成一铜导线于该晶种层上，其中至少该晶种层与该铜导线之一包括一合金化材料；以及形成一蚀刻停止层于该铜导线之上。

公开(公告)号：TWI338933B

公开(公告)日：2011-03-11

申请号：TW095132338

申请日：2006-09-01

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 張惠林 ,  盧永誠 ,  包天一

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種半導體結構，包括：一低介電常數介電層；一上蓋層，位於該低介電常數介電層上，其中該上蓋層包括擇自由包括CNx、SiCN、SiCO、SiC及其組合物所組成族群之一材料；一介層物位於該低介電常數層中；以及一金屬導線位於該低介電常數介電層中並覆蓋該介層物，該金屬導線實體接觸該介層物。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体结构，包括：一低介电常数介电层；一上盖层，位于该低介电常数介电层上，其中该上盖层包括择自由包括CNx、SiCN、SiCO、SiC及其组合物所组成族群之一材料；一介层物位于该低介电常数层中；以及一金属导线位于该低介电常数介电层中并覆盖该介层物，该金属导线实体接触该介层物。

公开(公告)号：TWI331789B

公开(公告)日：2010-10-11

申请号：TW096105450

申请日：2007-02-14

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 余振華 ,  盧永誠 ,  張惠林 ,  沈定宇 ,  蔡宏駿

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76864 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明提供一種積體電路的內連線結構及其製造方法。該內連線結構包括一半導體基板、一低介電常數(low－k)材料層於該半導體基板上、一導體於該低介電常數(low－k)材料層中，以及一頂蓋層於該導體上。該頂蓋層具有至少一頂部，其包括一金屬矽化物/鍺化物。 An interconnect structure of an integrated circuit and a method for forming the same are provided. The interconnect structure includes a semiconductor substrate, a low－k dielectric layer over the semiconductor substrate, a conductor in the low－k dielectric layer, and a cap layer on the conductor. The cap layer has at least a top portion comprising a metal silicide/germanide. 【創作特點】 有鑑於此，本發明之一樣態在於提供一種積體電路的內連線結構，包括：一半導體基板；一低介電常數(low－k)材料層於該半導體基板上；一導體於該低介電常數(low－k)材料層中；以及一頂蓋層於該導體上，其中該頂蓋層包括至少一頂部，其包括一金屬矽化物/鍺化物。
本發明之另一樣態在於提供一種鑲嵌式結構，包括：一第一低介電常數(low－k)材料層；一開口於該第一低介電常數(low－k)材料層中，其中該開口自該第一低介電常數(low－k)材料層的一頂表面延伸至一底表面；一第一銅結構填入該開口；以及一金屬頂蓋層於該第一銅結構上，其中該金屬頂蓋層包括矽化物/鍺化物。
本發明之另一樣態在於提供一半導體結構，包括：一半導體基板；一低介電常數(low－k)材料層於該半導體基板上；一導體於該低介電常數(low－k)材料層中；一頂蓋層於該導體上，其中該頂蓋層包括至少一頂部，其包括一金屬矽化物/鍺化物；以及一蝕刻停止層於該低介電常數(low－k)材料層上。
本發明又一樣態在於提供一種內連線結構的製造方法，包括：提供一低介電常數(low－k)材料層；形成一開口於該低介電常數(low－k)材料層中；形成一導體延伸自該低介電常數(low－k)材料層的頂表面至其底表面；以及形成一頂蓋層於該導體層上，其中該頂蓋層包括至少一頂部，其包括一金屬矽化物/鍺化物。
本發明又一樣態在於提供一種內連線結構的製造方法，包括：提供一低介電常數(low－k)材料層；形成一開口於該低介電常數(low－k)材料層中；形成一銅結構自該低介電常數(low－k)材料層的頂表面延伸至其底表面；形成一導電頂蓋層於該銅結構上；以及施以矽化/鍺化步驟使該導電頂蓋層的至少一頂部形成金屬矽化物/鍺化物。
本發明又一樣態在於提供一種內連線結構的製造方法，包括：提供一含矽的低介電常數(low－k)材料層；形成一開口於該低介電常數(low－k)材料層中；形成一銅結構自該低介電常數(low－k)材料層的頂表面延伸至其底表面；形成一導電頂蓋層於該銅結構上；施以一矽化步驟於該導電頂蓋層的至少一頂部形成矽化物層；以及施以一電漿處理步驟於該矽化物層與該低介電常數(low－k)材料層上以形成一蝕刻停止層。
藉由在銅導線的頂部上形成矽化物/鍺化物層，使得內連線結構整體的電阻率及可靠度得以提升
為使本發明之上述目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种集成电路的内连接结构及其制造方法。该内连接结构包括一半导体基板、一低介电常数(low－k)材料层于该半导体基板上、一导体于该低介电常数(low－k)材料层中，以及一顶盖层于该导体上。该顶盖层具有至少一顶部，其包括一金属硅化物/锗化物。 An interconnect structure of an integrated circuit and a method for forming the same are provided. The interconnect structure includes a semiconductor substrate, a low－k dielectric layer over the semiconductor substrate, a conductor in the low－k dielectric layer, and a cap layer on the conductor. The cap layer has at least a top portion comprising a metal silicide/germanide. 【创作特点】 有鉴于此，本发明之一样态在于提供一种集成电路的内连接结构，包括：一半导体基板；一低介电常数(low－k)材料层于该半导体基板上；一导体于该低介电常数(low－k)材料层中；以及一顶盖层于该导体上，其中该顶盖层包括至少一顶部，其包括一金属硅化物/锗化物。 本发明之另一样态在于提供一种镶嵌式结构，包括：一第一低介电常数(low－k)材料层；一开口于该第一低介电常数(low－k)材料层中，其中该开口自该第一低介电常数(low－k)材料层的一顶表面延伸至一底表面；一第一铜结构填入该开口；以及一金属顶盖层于该第一铜结构上，其中该金属顶盖层包括硅化物/锗化物。 本发明之另一样态在于提供一半导体结构，包括：一半导体基板；一低介电常数(low－k)材料层于该半导体基板上；一导体于该低介电常数(low－k)材料层中；一顶盖层于该导体上，其中该顶盖层包括至少一顶部，其包括一金属硅化物/锗化物；以及一蚀刻停止层于该低介电常数(low－k)材料层上。 本发明又一样态在于提供一种内连接结构的制造方法，包括：提供一低介电常数(low－k)材料层；形成一开口于该低介电常数(low－k)材料层中；形成一导体延伸自该低介电常数(low－k)材料层的顶表面至其底表面；以及形成一顶盖层于该导体层上，其中该顶盖层包括至少一顶部，其包括一金属硅化物/锗化物。 本发明又一样态在于提供一种内连接结构的制造方法，包括：提供一低介电常数(low－k)材料层；形成一开口于该低介电常数(low－k)材料层中；形成一铜结构自该低介电常数(low－k)材料层的顶表面延伸至其底表面；形成一导电顶盖层于该铜结构上；以及施以硅化/锗化步骤使该导电顶盖层的至少一顶部形成金属硅化物/锗化物。 本发明又一样态在于提供一种内连接结构的制造方法，包括：提供一含硅的低介电常数(low－k)材料层；形成一开口于该低介电常数(low－k)材料层中；形成一铜结构自该低介电常数(low－k)材料层的顶表面延伸至其底表面；形成一导电顶盖层于该铜结构上；施以一硅化步骤于该导电顶盖层的至少一顶部形成硅化物层；以及施以一等离子处理步骤于该硅化物层与该低介电常数(low－k)材料层上以形成一蚀刻停止层。 借由在铜导线的顶部上形成硅化物/锗化物层，使得内连接结构整体的电阻率及可靠度得以提升 为使本发明之上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

公开(公告)号：TWI315558B

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：TW092122715

申请日：2003-08-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 張惠林 ,  柯忠祁 ,  包天一 ,  盧永誠

IPC: H01L

Abstract: 本發明提供一種介電層之改質方法。包括下列步驟：提供一基底，形成一含氧-矽-碳基鍵之介電層於該基底上，其中各氧矽鍵之間未相互交連。對該介電層進行一包含氦氣與氫氣之電漿程序，以將該介電層中之矽-碳基鍵取代為矽-氫鍵，且形成各氧-矽鍵之間相互交連之結構。本發明亦可應用於鑲嵌式金屬之製造。 A method of modifying a dielectric layer. A substrate is provided on which dielectric layer and non-linked structure containing oxygen-silicon-hydrocarbyl bonds are formed. A plasma procedure comprising helium and hydrogen plasma is performed. Then, a linked dielectric layer structure is formed. Meanwhile, a silicon-hydrocarbyl bond is replaced by a silicon-hydrogen bond. Employing the method in a damascene structure fabrication is also disclosed.

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种介电层之改质方法。包括下列步骤：提供一基底，形成一含氧-硅-碳基键之介电层于该基底上，其中各氧硅键之间未相互交连。对该介电层进行一包含氦气与氢气之等离子进程，以将该介电层中之硅-碳基键取代为硅-氢键，且形成各氧-硅键之间相互交连之结构。本发明亦可应用于镶嵌式金属之制造。 A method of modifying a dielectric layer. A substrate is provided on which dielectric layer and non-linked structure containing oxygen-silicon-hydrocarbyl bonds are formed. A plasma procedure comprising helium and hydrogen plasma is performed. Then, a linked dielectric layer structure is formed. Meanwhile, a silicon-hydrocarbyl bond is replaced by a silicon-hydrogen bond. Employing the method in a damascene structure fabrication is also disclosed.