公开(公告)号：TW202022991A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：TW108123042

申请日：2019-07-01

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 余振華 ,  YU, CHEN-HUA ,  蘇安治 ,  SU, AN-JHIH ,  袁嘉男 ,  YUAN, CHIA-NAN ,  沈詩國 ,  SHEN, SHIH-GUO ,  葉德強 ,  YEH, DER-CHYANG ,  林瑀宏 ,  LIN, YU-HUNG ,  葉名世 ,  YEH, MING-SHIH

IPC: H01L21/768 ,  H01S5/20

Abstract: 一種半導體裝置及其製造方法。半導體裝置包括：一第一反射結構，包括由半導體材料構成的複數個第一摻雜層，且交替的第一摻雜層摻雜有p型摻雜物；一 第二反射結構，包括由半導體材料構成的複數個第二摻雜層，且交替的第二摻雜層摻雜有n型摻雜物；一發光半導體區，設置於第一反射結構與第二反射結構之間；一接觸墊，位於第二反射結構上，接觸墊的功函數小於第二反射結構的功函數；一接合層，位於接觸墊上，接合層的功函數大於第二反射結構的功函數;以及一導電連接器，位於接合層上。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备及其制造方法。半导体设备包括：一第一反射结构，包括由半导体材料构成的复数个第一掺杂层，且交替的第一掺杂层掺杂有p型掺杂物；一 第二反射结构，包括由半导体材料构成的复数个第二掺杂层，且交替的第二掺杂层掺杂有n型掺杂物；一发光半导体区，设置于第一反射结构与第二反射结构之间；一接触垫，位于第二反射结构上，接触垫的功函数小于第二反射结构的功函数；一接合层，位于接触垫上，接合层的功函数大于第二反射结构的功函数;以及一导电连接器，位于接合层上。

公开(公告)号：TW201947725A

公开(公告)日：2019-12-16

申请号：TW108116160

申请日：2019-05-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃立賢 ,  HUANG, LI-HSIEN ,  蘇安治 ,  SU, AN-JHIH ,  葉德強 ,  YEH, DER-CHYANG ,  曾華偉 ,  TSENG, HUA-WEI ,  林強 ,  LIN, CHIANG ,  葉名世 ,  YEH, MING-SHIH

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/31

Abstract: 一種重佈線結構包括第一介電層及第一重佈線路層。所述第一介電層包括第一通孔開口。所述第一重佈線路層設置在第一介電層上且包括填充第一通孔開口的通孔部分以及連接通孔部分且在第一介電層之上延伸的電路部分。通孔部分的上表面與電路部分的上表面之間的最大垂直距離實質上等於或小於0.5微米。

Abstract in simplified Chinese: 一种重布线结构包括第一介电层及第一重布线路层。所述第一介电层包括第一通孔开口。所述第一重布线路层设置在第一介电层上且包括填充第一通孔开口的通孔部分以及连接通孔部分且在第一介电层之上延伸的电路部分。通孔部分的上表面与电路部分的上表面之间的最大垂直距离实质上等于或小于0.5微米。

公开(公告)号：TWI483382B

公开(公告)日：2015-05-01

申请号：TW097114627

申请日：2008-04-22

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 葉名世 ,  YEH, MING SHIH ,  包天一 ,  BAO, TIEN I ,  魯定中 ,  LU, DAVID DING CHUNG

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/7684 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849

公开(公告)号：TWI689998B

公开(公告)日：2020-04-01

申请号：TW107119359

申请日：2018-06-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳威宇 ,  CHEN, WEI-YU ,  蘇安治 ,  SU, AN-JHIH ,  葉德強 ,  YEH, DER-CHYANG ,  黃立賢 ,  HUANG, LI-HSIEN ,  葉名世 ,  YEH, MING-SHIH

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498

公开(公告)号：TW201947643A

公开(公告)日：2019-12-16

申请号：TW108108055

申请日：2019-03-11

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 余振華 ,  YU, CHEN-HUA ,  蘇安治 ,  SU, AN-JHIH ,  吳集錫 ,  WU, CHI-HSI ,  葉德強 ,  YEH, DER-CHYANG ,  吳倉聚 ,  WU, TSANG-JIUH ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN-CHIH ,  葉名世 ,  YEH, MING-SHIH

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/60

Abstract: 實施例提供一種用於將垂直取向的組件的頂部電極耦合到基底的高高寬比通孔，其中組件的頂部電極藉由導電橋接件耦合到通孔，且其中組件的底部電極耦合到基底。一些實施例藉由組件晶圓來安裝組件且在將組件安裝到基底的同時將組件分離。一些實施例將各別的組件安裝到基底。

Abstract in simplified Chinese: 实施例提供一种用于将垂直取向的组件的顶部电极耦合到基底的高高宽比通孔，其中组件的顶部电极借由导电桥接件耦合到通孔，且其中组件的底部电极耦合到基底。一些实施例借由组件晶圆来安装组件且在将组件安装到基底的同时将组件分离。一些实施例将各别的组件安装到基底。

公开(公告)号：TWI677036B

公开(公告)日：2019-11-11

申请号：TW106136006

申请日：2017-10-20

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 余振華 ,  YU, CHEN-HUA ,  蘇安治 ,  SU, AN-JHIH ,  吳集錫 ,  WU, CHI-HSI ,  葉德強 ,  YEH, DER-CHYANG ,  郭宏瑞 ,  KUO, HUNG-JUI ,  林俊成 ,  LIN, JING-CHENG ,  葉名世 ,  YEH, MING-SHIH

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/538 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07

公开(公告)号：TWI348203B

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：TW096112047

申请日：2007-04-04

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 余振華 ,  葉名世 ,  林志賢 ,  盧永誠 ,  張惠林

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76826

Abstract: 本發明係提供一種積體電路的製作方法。上述積體電路的製作方法，包含提供一半導體基底。接著，形成一金屬化層於上述半導體基底上方，其中金屬化層包含一金屬圖案，其位於一低介電常數的介電層之中，且上述金屬圖案從低介電常數之介電層的一頂部表面延伸至低介電常數之介電層之中。之後，對該低介電常數之介電層進行一加工處理，以形成一親水性的頂部表面。接著，在一溶液中，電鍍一覆蓋層於上述金屬圖案上。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种集成电路的制作方法。上述集成电路的制作方法，包含提供一半导体基底。接着，形成一金属化层于上述半导体基底上方，其中金属化层包含一金属图案，其位于一低介电常数的介电层之中，且上述金属图案从低介电常数之介电层的一顶部表面延伸至低介电常数之介电层之中。之后，对该低介电常数之介电层进行一加工处理，以形成一亲水性的顶部表面。接着，在一溶液中，电镀一覆盖层于上述金属图案上。

公开(公告)号：TW202008545A

公开(公告)日：2020-02-16

申请号：TW108120471

申请日：2019-06-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 盧貫中 ,  LU, KUAN-CHUNG ,  蘇安治 ,  SU, AN-JHIH ,  葉德強 ,  YEH, DER-CHYANG ,  黃立賢 ,  HUANG, LI-HSIEN ,  林岳霆 ,  LIN, YUEH-TING ,  葉名世 ,  YEH, MING-SHIH

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/52

Abstract: 提供一種半導體裝置及其製造方法。所述半導體裝置包括封裝結構、第一晶粒、第一圍阻結構、預填充層及多個導電端子。封裝結構包括附接區、位於附接區周圍的排除區。第一晶粒設置在附接區中的封裝結構上且電性地連接到封裝結構。第一圍阻結構設置在封裝結構的排除區內且環繞第一晶粒。預填充層設置在封裝結構與第一晶粒之間且設置在第一圍阻結構與第一晶粒之間，其中預填充層被限制在第一圍阻結構內。導電端子設置在封裝結構上，分佈在封裝結構的排除區周圍且電性地連接到封裝結構。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种半导体设备及其制造方法。所述半导体设备包括封装结构、第一晶粒、第一围阻结构、预填充层及多个导电端子。封装结构包括附接区、位于附接区周围的排除区。第一晶粒设置在附接区中的封装结构上且电性地连接到封装结构。第一围阻结构设置在封装结构的排除区内且环绕第一晶粒。预填充层设置在封装结构与第一晶粒之间且设置在第一围阻结构与第一晶粒之间，其中预填充层被限制在第一围阻结构内。导电端子设置在封装结构上，分布在封装结构的排除区周围且电性地连接到封装结构。

公开(公告)号：TW201841270A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：TW106136006

申请日：2017-10-20

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 余振華 ,  YU, CHEN-HUA ,  蘇安治 ,  SU, AN-JHIH ,  吳集錫 ,  WU, CHI-HSI ,  葉德強 ,  YEH, DER-CHYANG ,  郭宏瑞 ,  KUO, HUNG-JUI ,  林俊成 ,  LIN, JING-CHENG ,  葉名世 ,  YEH, MING-SHIH

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/538 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07

Abstract: 一種封裝的製造方法包括：形成延伸到介電層的開口中的金屬層，以接觸第一及第二金屬墊；以及將元件裝置的底部端子接合到所述金屬層。所述金屬層具有直接位於所述元件裝置之下且接合到所述元件裝置的第一部分。在所述金屬層上形成凸起通孔，且所述金屬層具有直接位於所述凸起通孔之下的第二部分。刻蝕所述金屬層，以將所述金屬層的所述第一部分與所述第二部分彼此分離。所述方法進一步包括：以介電層塗布所述凸起通孔及所述元件裝置；顯露出所述凸起通孔及所述元件裝置的頂部端子；以及形成將所述凸起通孔連接到所述頂部端子的重佈線。

Abstract in simplified Chinese: 一种封装的制造方法包括：形成延伸到介电层的开口中的金属层，以接触第一及第二金属垫；以及将组件设备的底部端子接合到所述金属层。所述金属层具有直接位于所述组件设备之下且接合到所述组件设备的第一部分。在所述金属层上形成凸起通孔，且所述金属层具有直接位于所述凸起通孔之下的第二部分。刻蚀所述金属层，以将所述金属层的所述第一部分与所述第二部分彼此分离。所述方法进一步包括：以介电层涂布所述凸起通孔及所述组件设备；显露出所述凸起通孔及所述组件设备的顶部端子；以及形成将所述凸起通孔连接到所述顶部端子的重布线。

公开(公告)号：TWI350576B

公开(公告)日：2011-10-11

申请号：TW096142259

申请日：2007-11-08

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 蕭義理 ,  余振華 ,  汪青蓉 ,  洪瑞斌 ,  葉名世

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/67373 ,  H01L21/67376 ,  H01L21/67389

Abstract: 一種儲存基材之設備，包含一盒體以及一配置用以密封住盒體之盒門，其中盒門包含一板材，板材上設置有一旋轉裝置。第一構件具有第一臂桿以及第一肋條，其中第一臂桿係從第一肋條延伸出且連接於旋轉裝置。第二構件具有第二臂桿以及第二肋條，其中第二臂桿係從第二肋條延伸出且連接於旋轉裝置。轉角構件具有對應於框架轉角形狀之邊緣。轉角構件與第三臂桿的一端相連接，而第三臂桿的另一端與旋轉裝置相連接。密封元件係沿著第一肋條之長邊以及第二肋條之長邊設置。

Abstract in simplified Chinese: 一种存储基材之设备，包含一盒体以及一配置用以密封住盒体之盒门，其中盒门包含一板材，板材上设置有一旋转设备。第一构件具有第一臂杆以及第一肋条，其中第一臂杆系从第一肋条延伸出且连接于旋转设备。第二构件具有第二臂杆以及第二肋条，其中第二臂杆系从第二肋条延伸出且连接于旋转设备。转角构件具有对应于框架转角形状之边缘。转角构件与第三臂杆的一端相连接，而第三臂杆的另一端与旋转设备相连接。密封组件系沿着第一肋条之长边以及第二肋条之长边设置。