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公开(公告)号：TWI587486B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW105103805
申请日：2016-02-04
发明人： 李宜靜 , LEE, YI JING , 郭紫微 , KWOK, TSZ-MEI , 游明華 , YU, MING HUA , 李昆穆 , LI, KUN MU
IPC分类号： H01L27/11 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L27/1104 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823878 , H01L27/0207 , H01L27/0924 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/7853
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公开(公告)号：TWI543232B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW103146034
申请日：2014-12-29
发明人： 郭 紫微 , KWOK, TSZ-MEI , 宋學昌 , SUNG, HSUEH CHANG , 李昆穆 , LI, KUN MU , 李啓弘 , LI, CHII HORNG , 李資良 , LEE, TZE LIANG
CPC分类号： H01L29/66636 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/26586 , H01L29/0847 , H01L29/1054 , H01L29/165 , H01L29/167 , H01L29/7378 , H01L29/7842 , H01L29/7847 , H01L29/7848
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公开(公告)号：TW202011458A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108130944
申请日：2019-08-29
发明人： 郭 紫微 , KWOK, TSZ-MEI , 楊宗熺 , YANG, TSUNG-HSI , 游政衛 , YU, JENG-WEI , 周立維 , CHOU, LI-WEI , 游明華 , YU, MING-HUA , 李啟弘 , LI, CHII-HORNG
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/31 , H01L21/336
摘要： 半導體裝置包括第一半導體鰭狀物，自基板延伸；第一介電鰭狀物，自基板延伸並與第一半導體鰭狀物的第一側相鄰；第二介電鰭狀物，自基板延伸並與第一半導體鰭狀物的第二側相鄰；第一閘極堆疊，沿著第一半導體鰭狀物、第一介電鰭狀物、與第二介電鰭狀物的側壁，並位於第一半導體鰭狀物、第一介電鰭狀物、與第二介電鰭狀物上；第一磊晶的源極/汲極區，位於第一半導體鰭狀物中，並自第一介電鰭狀物延伸至第二介電鰭狀物；以及氣隙，位於第一磊晶的源極/汲極區與基板之間，且氣隙延伸於第一介電鰭狀物與第二介電鰭狀物之間。
简体摘要： 半导体设备包括第一半导体鳍状物，自基板延伸；第一介电鳍状物，自基板延伸并与第一半导体鳍状物的第一侧相邻；第二介电鳍状物，自基板延伸并与第一半导体鳍状物的第二侧相邻；第一闸极堆栈，沿着第一半导体鳍状物、第一介电鳍状物、与第二介电鳍状物的侧壁，并位于第一半导体鳍状物、第一介电鳍状物、与第二介电鳍状物上；第一磊晶的源极/汲极区，位于第一半导体鳍状物中，并自第一介电鳍状物延伸至第二介电鳍状物；以及气隙，位于第一磊晶的源极/汲极区与基板之间，且气隙延伸于第一介电鳍状物与第二介电鳍状物之间。
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公开(公告)号：TW201839994A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW106130130
申请日：2017-09-04
发明人： 李宜靜 , LEE, YI JING , 游政衛 , YU, JENG WEI , 周立維 , CHOU, LI WEI , 郭 紫微 , KWOK, TSZ-MEI , 游明華 , YU, MING HUA
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
摘要： 本發明實施例揭露半導體裝置與其形成方法。半導體裝置包括基板、基板上的兩個半導體鰭狀物、以及兩個半導體鰭狀物上的半導體結構。半導體結構包含兩個下部與一上部。兩個下部分別直接位於兩個半導體鰭狀物上。上部位於兩個下部上。上部的下表面具有弧狀的剖面形狀。
简体摘要： 本发明实施例揭露半导体设备与其形成方法。半导体设备包括基板、基板上的两个半导体鳍状物、以及两个半导体鳍状物上的半导体结构。半导体结构包含两个下部与一上部。两个下部分别直接位于两个半导体鳍状物上。上部位于两个下部上。上部的下表面具有弧状的剖面形状。
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公开(公告)号：TW201714287A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW105100079
申请日：2016-01-04
发明人： 李宜靜 , LEE, YI JING , 李昆穆 , LI, KUN MU , 游明華 , YU, MING HUA , 郭紫微 , KWOK, TSZ-MEI
IPC分类号： H01L27/118 , H01L21/77
CPC分类号： H01L27/0886 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823468 , H01L29/0649
摘要： 積體電路包含第一半導體鰭狀物、第一磊晶結構，及至少二第一介電鰭狀物側壁結構。第一磊晶結構置於第一半導體鰭狀物上。第一介電鰭狀物側壁結構置於第一磊晶結構之相對側壁上。第一介電鰭狀物側壁結構具有不同的高度。
简体摘要： 集成电路包含第一半导体鳍状物、第一磊晶结构，及至少二第一介电鳍状物侧壁结构。第一磊晶结构置于第一半导体鳍状物上。第一介电鳍状物侧壁结构置于第一磊晶结构之相对侧壁上。第一介电鳍状物侧壁结构具有不同的高度。
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公开(公告)号：TWI588977B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW105100079
申请日：2016-01-04
发明人： 李宜靜 , LEE, YI JING , 李昆穆 , LI, KUN MU , 游明華 , YU, MING HUA , 郭紫微 , KWOK, TSZ-MEI
IPC分类号： H01L27/118 , H01L21/77
CPC分类号： H01L27/0886 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823468 , H01L29/0649
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公开(公告)号：TW201539528A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103146034
申请日：2014-12-29
发明人： 郭 紫微 , KWOK, TSZ-MEI , 宋學昌 , SUNG, HSUEH CHANG , 李昆穆 , LI, KUN MU , 李啓弘 , LI, CHII HORNG , 李資良 , LEE, TZE LIANG
CPC分类号： H01L29/66636 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/26586 , H01L29/0847 , H01L29/1054 , H01L29/165 , H01L29/167 , H01L29/7378 , H01L29/7842 , H01L29/7847 , H01L29/7848
摘要： 電晶體裝置包括閘極結構設置於半導體基板之通道區域之上。源極/汲極開口凹口沿著該閘極結構之一側排列於該半導體基板中。經摻雜之矽鍺區域，設置於該源極/汲極凹口中且其具有相對於該通道之摻雜類型。一未摻雜之矽鍺區域設置於該源極/汲極凹口中。未摻雜之矽鍺區域位於該經摻雜之應變誘發區域之下且在該源極/汲極凹口中的不同位置的該未摻雜之應變誘發區域包括不同鍺濃度。
简体摘要： 晶体管设备包括闸极结构设置于半导体基板之信道区域之上。源极/汲极开口凹口沿着该闸极结构之一侧排列于该半导体基板中。经掺杂之硅锗区域，设置于该源极/汲极凹口中且其具有相对于该信道之掺杂类型。一未掺杂之硅锗区域设置于该源极/汲极凹口中。未掺杂之硅锗区域位于该经掺杂之应变诱发区域之下且在该源极/汲极凹口中的不同位置的该未掺杂之应变诱发区域包括不同锗浓度。
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公开(公告)号：TW201505185A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW103116196
申请日：2014-05-07
发明人： 宋學昌 , SUNG, HSUEH CHANG , 郭紫微 , KWOK, TSZ-MEI , 李昆穆 , LI, KUN MU , 李資良 , LEE, TZE LIANG , 李啓弘 , LI, CHII HORNG
CPC分类号： H01L29/66636 , H01L21/02057 , H01L21/28 , H01L21/28518 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L21/823425 , H01L27/088 , H01L29/165 , H01L29/41766 , H01L29/66492 , H01L29/66545 , H01L29/66628 , H01L29/7834 , H01L29/7848
摘要： 本發明是揭露一種積體電路結構，其包含在一半導體基底的上方的一閘極堆疊結構以及延伸而進入上述半導體基底內的一開口，其中上述開口鄰接上述閘極堆疊結構。一第一矽鍺區是置於上述開口中，其中上述第一矽鍺區具有一第一鍺含量百分比。一第二矽鍺區是在上述第一矽鍺區的上方，其中上述第二矽鍺區具有在該開口內的一部分，且上述第二矽鍺區具有大於上述第一鍺含量百分比之一第二鍺含量百分比。一矽蓋是在上述第二矽鍺區的上方，上述矽蓋實質上不含鍺。
简体摘要： 本发明是揭露一种集成电路结构，其包含在一半导体基底的上方的一闸极堆栈结构以及延伸而进入上述半导体基底内的一开口，其中上述开口邻接上述闸极堆栈结构。一第一硅锗区是置于上述开口中，其中上述第一硅锗区具有一第一锗含量百分比。一第二硅锗区是在上述第一硅锗区的上方，其中上述第二硅锗区具有在该开口内的一部分，且上述第二硅锗区具有大于上述第一锗含量百分比之一第二锗含量百分比。一硅盖是在上述第二硅锗区的上方，上述硅盖实质上不含锗。
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公开(公告)号：TWI456760B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW099132977
申请日：2010-09-29
发明人： 賴理學 , LAI, LI SHYUE , 郭紫微 , KWOK, TSZ-MEI , 葉致鍇 , YEH, CHIH CHIEH , 萬幸仁 , WANN, CLEMENT HSINGJEN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/785 , H01L29/41791 , H01L29/66795 , H01L2029/7858
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公开(公告)号：TWI597846B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105125477
申请日：2016-08-10
发明人： 李宜靜 , LEE, YI JING , 郭紫微 , KWOK, TSZ-MEI , 游明華 , YU, MING HUA
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/0924 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/66545 , H01L29/66636
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