半導體裝置的製作方法
    1.
    发明专利
    半導體裝置的製作方法 审中-公开
    半导体设备的制作方法

    公开(公告)号:TW201921534A

    公开(公告)日:2019-06-01

    申请号:TW107134391

    申请日:2018-09-28

    Abstract: 本發明實施例係於後段製程形成三維金屬-絕緣物-金屬電容,其可具有大且可調的電容值,同時不干擾現有的後段製程。在一實施例中,半導體裝置的製作方法包括:形成第一導電結構於半導體基板上;形成第二導電結構於半導體基板上;形成第一通孔結構於第一導電結構上;形成第一金屬化結構於第一通孔結構上,其中第一金屬化結構經由第一通孔結構導電地耦接至第一導電結構;形成導電蝕刻停止結構於第一金屬化結構上;形成第一通孔於導電蝕刻停止結構上,並形成第二通孔於第二導電結構上,其中該第一通孔露出導電蝕刻停止結構,且第二通孔比第一通孔深;以及形成電容於第二通孔中。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例系于后段制程形成三维金属-绝缘物-金属电容,其可具有大且可调的电容值,同时不干擾现有的后段制程。在一实施例中,半导体设备的制作方法包括:形成第一导电结构于半导体基板上;形成第二导电结构于半导体基板上;形成第一通孔结构于第一导电结构上;形成第一金属化结构于第一通孔结构上,其中第一金属化结构经由第一通孔结构导电地耦接至第一导电结构;形成导电蚀刻停止结构于第一金属化结构上;形成第一通孔于导电蚀刻停止结构上,并形成第二通孔于第二导电结构上,其中该第一通孔露出导电蚀刻停止结构,且第二通孔比第一通孔深;以及形成电容于第二通孔中。

    半導體結構及金氧半元件 SILICON LAYER FOR STOPPING DISLOCATION PROPAGATION
    8.
    发明专利
    半導體結構及金氧半元件 SILICON LAYER FOR STOPPING DISLOCATION PROPAGATION 有权
    半导体结构及金氧半组件 SILICON LAYER FOR STOPPING DISLOCATION PROPAGATION

    公开(公告)号:TWI347010B

    公开(公告)日:2011-08-11

    申请号:TW096124104

    申请日:2007-07-03

    IPC: H01L

    Abstract: 本發明提供了一種複合半導體結構及其製造方法。該複合半導體結構,包括:第一含矽化合物層,該第一含矽化合物層包括一元素,該元素大抵選自由鍺及碳所組成之族群;矽層,在第一含矽化合物層之上,其中該矽層包括實質上之純矽;及第二含矽化合物層,包括在矽層上之元素。第一及第二含矽化合物層之矽濃度實質上小於矽層。該複合半導體結構可作為金氧半(MOS)元件之源極/汲極區。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供了一种复合半导体结构及其制造方法。该复合半导体结构,包括:第一含硅化合物层,该第一含硅化合物层包括一元素,该元素大抵选自由锗及碳所组成之族群;硅层,在第一含硅化合物层之上,其中该硅层包括实质上之纯硅;及第二含硅化合物层,包括在硅层上之元素。第一及第二含硅化合物层之硅浓度实质上小于硅层。该复合半导体结构可作为金氧半(MOS)组件之源极/汲极区。

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