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公开(公告)号：TW201921534A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107134391
申请日：2018-09-28
Inventor： 魏俊桓 , WEI, J. H. , 陳思元 , CHEN, SZU YUAN , 陳柏君 , CHEN, PO JUNE , 許品宥 , HSU, PIN YU , 陳冠宇 , CHEN, K. Y.
IPC: H01L21/60
Abstract: 本發明實施例係於後段製程形成三維金屬-絕緣物-金屬電容，其可具有大且可調的電容值，同時不干擾現有的後段製程。在一實施例中，半導體裝置的製作方法包括：形成第一導電結構於半導體基板上；形成第二導電結構於半導體基板上；形成第一通孔結構於第一導電結構上；形成第一金屬化結構於第一通孔結構上，其中第一金屬化結構經由第一通孔結構導電地耦接至第一導電結構；形成導電蝕刻停止結構於第一金屬化結構上；形成第一通孔於導電蝕刻停止結構上，並形成第二通孔於第二導電結構上，其中該第一通孔露出導電蝕刻停止結構，且第二通孔比第一通孔深；以及形成電容於第二通孔中。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例系于后段制程形成三维金属-绝缘物-金属电容，其可具有大且可调的电容值，同时不干擾现有的后段制程。在一实施例中，半导体设备的制作方法包括：形成第一导电结构于半导体基板上；形成第二导电结构于半导体基板上；形成第一通孔结构于第一导电结构上；形成第一金属化结构于第一通孔结构上，其中第一金属化结构经由第一通孔结构导电地耦接至第一导电结构；形成导电蚀刻停止结构于第一金属化结构上；形成第一通孔于导电蚀刻停止结构上，并形成第二通孔于第二导电结构上，其中该第一通孔露出导电蚀刻停止结构，且第二通孔比第一通孔深；以及形成电容于第二通孔中。
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公开(公告)号：TWI420573B
公开(公告)日：2013-12-21
申请号：TW099141867
申请日：2010-12-02
Inventor： 蘇建彰 , SU, CHIEN CHANG , 郭紫微 , KWOK, TSZ-MEI , 林憲信 , LIN, HSIEN HSIN , 宋學昌 , SUNG, HSUEH CHANG , 白易芳 , PAI, YI FANG , 陳冠宇 , CHEN, KUAN YU
IPC: H01L21/20 , H01L21/306 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/02532 , H01L21/02636 , H01L21/823431 , H01L21/823821 , H01L29/785
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公开(公告)号：TW201630127A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104138980
申请日：2015-11-24
Inventor： 林育蔚 , LIN, YU WEI , 陳承先 , CHEN, CHEN SHIEN , 陳冠宇 , CHEN, GUANYU , 郭庭豪 , KUO, TIN HAO , 林彥良 , LIN, YEN LIANG
CPC classification number: H01L24/16 , H01L22/12 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L2224/131 , H01L2224/16105 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/8138 , H01L2224/81815 , H01L2924/14 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 積體電路(IC)封裝基板包括本體、至少一第一導線、至少一第二導線及至少一凸出焊墊。第一導線嵌入本體中。第二導線嵌入本體中。凸出焊墊設置在第一導線上。凸出焊墊自本體凸出，且凸出焊墊配置來與半導體晶片之焊料部電性接觸。根據凸出焊墊之製程偏差，藉由凸出焊墊之寬度及第一導線之寬度決定凸出焊墊與第二導線之間的第一間隔。此外，本揭露亦提供具有IC封裝基板的半導體封裝體及半導體封裝體之製造方法。
Abstract in simplified Chinese: 集成电路(IC)封装基板包括本体、至少一第一导线、至少一第二导线及至少一凸出焊垫。第一导线嵌入本体中。第二导线嵌入本体中。凸出焊垫设置在第一导在线。凸出焊垫自本体凸出，且凸出焊垫配置来与半导体芯片之焊料部电性接触。根据凸出焊垫之制程偏差，借由凸出焊垫之宽度及第一导线之宽度决定凸出焊垫与第二导线之间的第一间隔。此外，本揭露亦提供具有IC封装基板的半导体封装体及半导体封装体之制造方法。
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公开(公告)号：TW201413847A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102129623
申请日：2013-08-19
Inventor： 陳冠宇 , CHEN, GUAN YU , 林育蔚 , LIN, YU WEI , 曾裕仁 , TSENG, YU JEN , 郭庭豪 , KUO, TIN HAO , 陳承先 , CHEN, CHEN SHIEN
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/02 , H01L21/4853 , H01L21/76885 , H01L23/49811 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/02125 , H01L2224/02141 , H01L2224/02145 , H01L2224/0215 , H01L2224/0401 , H01L2224/05114 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05647 , H01L2224/10125 , H01L2224/11013 , H01L2224/11019 , H01L2224/1112 , H01L2224/11462 , H01L2224/11472 , H01L2224/13012 , H01L2224/13015 , H01L2224/13017 , H01L2224/13023 , H01L2224/13026 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/13551 , H01L2224/13564 , H01L2224/13565 , H01L2224/1357 , H01L2224/13582 , H01L2224/136 , H01L2224/13686 , H01L2224/1369 , H01L2224/14051 , H01L2224/16148 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/81007 , H01L2224/81143 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81424 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/8181 , H01L2224/81895 , H01L2224/8192 , H01L2224/81948 , H01L2225/06513 , H01L2924/04941 , H01L2924/07025 , H01L2924/181 , H01L2924/301 , H01L2924/35 , Y10T29/49144 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/05432 , H01L2924/053 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本發明提供一種銅柱導線直連(bump on trace,BOT)結構，包括：一接觸組件受到一積體電路支撐；一凸塊下方金屬化層(UBM)特徵結構電性耦合到該接觸組件；一金屬凸塊位於該凸塊下方金屬化層(UBM)特徵結構之上；以及一基板導線位於一基板之上，其中該基板導線藉由一焊料接合部份與一金屬層間化合物(IMCs)耦合到該金屬凸塊，其中該金屬層間化合物(IMCs)的一第一橫截面面積對該焊料接合部份的一第二橫截面面積之比例大於40%。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种铜柱导线直连(bump on trace,BOT)结构，包括：一接触组件受到一集成电路支撑；一凸块下方金属化层(UBM)特征结构电性耦合到该接触组件；一金属凸块位于该凸块下方金属化层(UBM)特征结构之上；以及一基板导线位于一基板之上，其中该基板导线借由一焊料接合部份与一金属层间化合物(IMCs)耦合到该金属凸块，其中该金属层间化合物(IMCs)的一第一横截面面积对该焊料接合部份的一第二横截面面积之比例大于40%。
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公开(公告)号：TWI569386B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW102145307
申请日：2013-12-10
Inventor： 徐語晨 , HSU, YU CHEN , 陳玉芬 , CHEN, YU FENG , 普翰屏 , PU, HAN PING , 陳孟澤 , CHEN, MENG TSE , 陳冠宇 , CHEN, GUAN YU
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L23/49816 , H01L23/49833 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L2224/13147 , H01L2224/13644 , H01L2224/13655 , H01L2224/13664 , H01L2224/14135 , H01L2224/16225 , H01L2224/2732 , H01L2224/27334 , H01L2224/29013 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73103 , H01L2224/73104 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/83191 , H01L2224/97 , H01L2924/01322 , H01L2924/3511 , H01L24/83 , H01L24/81 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/83 , H01L2224/81
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI529830B
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：TW102129623
申请日：2013-08-19
Inventor： 陳冠宇 , CHEN, GUAN YU , 林育蔚 , LIN, YU WEI , 曾裕仁 , TSENG, YU JEN , 郭庭豪 , KUO, TIN HAO , 陳承先 , CHEN, CHEN SHIEN
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/02 , H01L21/4853 , H01L21/76885 , H01L23/49811 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/02125 , H01L2224/02141 , H01L2224/02145 , H01L2224/0215 , H01L2224/0401 , H01L2224/05114 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05647 , H01L2224/10125 , H01L2224/11013 , H01L2224/11019 , H01L2224/1112 , H01L2224/11462 , H01L2224/11472 , H01L2224/13012 , H01L2224/13015 , H01L2224/13017 , H01L2224/13023 , H01L2224/13026 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/13551 , H01L2224/13564 , H01L2224/13565 , H01L2224/1357 , H01L2224/13582 , H01L2224/136 , H01L2224/13686 , H01L2224/1369 , H01L2224/14051 , H01L2224/16148 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/81007 , H01L2224/81143 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81424 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/8181 , H01L2224/81895 , H01L2224/8192 , H01L2224/81948 , H01L2225/06513 , H01L2924/04941 , H01L2924/07025 , H01L2924/181 , H01L2924/301 , H01L2924/35 , Y10T29/49144 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/05432 , H01L2924/053 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
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公开(公告)号：TW201431014A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102145307
申请日：2013-12-10
Inventor： 徐語晨 , HSU, YU CHEN , 陳玉芬 , CHEN, YU FENG , 普翰屏 , PU, HAN PING , 陳孟澤 , CHEN, MENG TSE , 陳冠宇 , CHEN, GUAN YU
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L23/49816 , H01L23/49833 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L2224/13147 , H01L2224/13644 , H01L2224/13655 , H01L2224/13664 , H01L2224/14135 , H01L2224/16225 , H01L2224/2732 , H01L2224/27334 , H01L2224/29013 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73103 , H01L2224/73104 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/83191 , H01L2224/97 , H01L2924/01322 , H01L2924/3511 , H01L24/83 , H01L24/81 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/83 , H01L2224/81
Abstract: 本發明之結構包括第一封裝構件，以及位於第一封裝構件上並與之接合的第二封構件。支撐材料係位於第一封裝構件與第二封裝構件之間的空隙中。成型材料位於空隙中並包圍支撐材料。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之结构包括第一封装构件，以及位于第一封装构件上并与之接合的第二封构件。支撑材料系位于第一封装构件与第二封装构件之间的空隙中。成型材料位于空隙中并包围支撑材料。
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8.发明专利半導體結構及金氧半元件 SILICON LAYER FOR STOPPING DISLOCATION PROPAGATION 有权半导体结构及金氧半组件 SILICON LAYER FOR STOPPING DISLOCATION PROPAGATION
公开(公告)号：TWI347010B
公开(公告)日：2011-08-11
申请号：TW096124104
申请日：2007-07-03
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L29/66477 , H01L21/02532 , H01L29/165 , H01L29/665 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/7848
Abstract: 本發明提供了一種複合半導體結構及其製造方法。該複合半導體結構，包括：第一含矽化合物層，該第一含矽化合物層包括一元素，該元素大抵選自由鍺及碳所組成之族群；矽層，在第一含矽化合物層之上，其中該矽層包括實質上之純矽；及第二含矽化合物層，包括在矽層上之元素。第一及第二含矽化合物層之矽濃度實質上小於矽層。該複合半導體結構可作為金氧半(MOS)元件之源極/汲極區。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供了一种复合半导体结构及其制造方法。该复合半导体结构，包括：第一含硅化合物层，该第一含硅化合物层包括一元素，该元素大抵选自由锗及碳所组成之族群；硅层，在第一含硅化合物层之上，其中该硅层包括实质上之纯硅；及第二含硅化合物层，包括在硅层上之元素。第一及第二含硅化合物层之硅浓度实质上小于硅层。该复合半导体结构可作为金氧半(MOS)组件之源极/汲极区。
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公开(公告)号：TWI590406B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW104133346
申请日：2015-10-12
Inventor： 陳冠宇 , CHEN, GUAN YU , 林育蔚 , LIN, YU WEI , 郭庭豪 , KUO, TIN HAO , 陳承先 , CHEN, CHEN SHIEN
IPC: H01L23/498 , H01L21/66 , H01L23/00
CPC classification number: H01L23/562 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L23/49811 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49894 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L25/0655 , H01L2224/1308 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/17106 , H01L2224/81191 , H01L2224/814 , H01L2224/81424 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81815 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H01L2924/381 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
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公开(公告)号：TW201626529A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104133346
申请日：2015-10-12
Inventor： 陳冠宇 , CHEN, GUAN YU , 林育蔚 , LIN, YU WEI , 郭庭豪 , KUO, TIN HAO , 陳承先 , CHEN, CHEN SHIEN
IPC: H01L23/498 , H01L21/66 , H01L23/00
CPC classification number: H01L23/562 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L23/49811 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49894 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L25/0655 , H01L2224/1308 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/17106 , H01L2224/81191 , H01L2224/814 , H01L2224/81424 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81815 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H01L2924/381 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
Abstract: 本揭露提供一種製造半導體封裝之方法。該方法包括(1)：在預定溫度範圍內決定晶粒翹曲值；(2)根據該晶粒翹曲值決定基板的頂部金屬密度與底部金屬密度之間的差；以及(3)在該預定溫度範圍內將該晶粒與該基板接合。該頂部金屬包括位於該中間層上方之所有金屬層，而該底部金屬包括位於該中間層下方之所有金屬層。該中間層包括核心層或金屬層。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种制造半导体封装之方法。该方法包括(1)：在预定温度范围内决定晶粒翘曲值；(2)根据该晶粒翘曲值决定基板的顶部金属密度与底部金属密度之间的差；以及(3)在该预定温度范围内将该晶粒与该基板接合。该顶部金属包括位于该中间层上方之所有金属层，而该底部金属包括位于该中间层下方之所有金属层。该中间层包括内核层或金属层。
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