-
公开(公告)号：TW201824449A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106116003
申请日：2017-05-15
Inventor： 楊育佳 , YEO, YEE-CHIA , 蔡騰群 , TSAI, TENG CHUN , 奧野泰利 , OKUNO, YASUTOSHI
IPC: H01L21/768
Abstract: 本揭露描述一種形成取代接觸窗的方法。舉例而言，取代接觸窗可包含具有一或多個第一側壁表面及頂表面的金屬。形成第一介電質，其中第一介電質係鄰接金屬之一或多個第一側壁表面。形成第二介電質在第一介電質及金屬的頂表面上。形成開口在第二介電質內。金屬氧化物結構可選擇性地成長在金屬的頂表面上，其中金屬氧化物結構具有一或多個第二側壁表面。形成一或多個間隙壁，其中前述間隙壁係鄰接金屬氧化物結構之一或多個第二側壁表面。再者，移除金屬氧化物結構。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露描述一种形成取代接触窗的方法。举例而言，取代接触窗可包含具有一或多个第一侧壁表面及顶表面的金属。形成第一介电质，其中第一介电质系邻接金属之一或多个第一侧壁表面。形成第二介电质在第一介电质及金属的顶表面上。形成开口在第二介电质内。金属氧化物结构可选择性地成长在金属的顶表面上，其中金属氧化物结构具有一或多个第二侧壁表面。形成一或多个间隙壁，其中前述间隙壁系邻接金属氧化物结构之一或多个第二侧壁表面。再者，移除金属氧化物结构。
-
公开(公告)号：TW202015132A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108131605
申请日：2019-09-03
Inventor： 柯德博 莫如娜 阿比里杰斯 , KHADERBAD, MRUNAL ABHIJITH , 奧野泰利 , OKUNO, YASUTOSHI , 蔡邦彥 , TSAI, PANG-YEN
IPC: H01L21/335 , H01L29/772
Abstract: 選擇性形成第一介電層，使得第一介電層形成於第一型電晶體的源極/汲極上，而不形成於第二型電晶體的源極/汲極上。第一型和第二型電晶體具有不同的導電型態。選擇性形成第一矽化物層，使得第一矽化物層形成於第二型電晶體的源極/汲極上，而不形成於第一型電晶體的源極/汲極上。去除第一介電層。第二矽化物層形成於第一型電晶體的源極/汲極上。
Abstract in simplified Chinese: 选择性形成第一介电层，使得第一介电层形成于第一型晶体管的源极/汲极上，而不形成于第二型晶体管的源极/汲极上。第一型和第二型晶体管具有不同的导电型态。选择性形成第一硅化物层，使得第一硅化物层形成于第二型晶体管的源极/汲极上，而不形成于第一型晶体管的源极/汲极上。去除第一介电层。第二硅化物层形成于第一型晶体管的源极/汲极上。
-
公开(公告)号：TW201421597A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102140983
申请日：2013-11-12
Inventor： 萬幸仁 , WANN, CLEMENT HSINGJEN , 奧野泰利 , OKUNO, YASUTOSHI , 葉凌彥 , YEH, LING YEN , 施啓元 , SHIH, CHI YUAN , 邵元輔 , SHAO, YUAN FU , 蔡偉駿 , TSAI, WEI CHUN
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/14 , H01L21/30625 , H01L22/34 , H01L29/0642 , H01L29/0649 , H01L29/161 , H01L29/66795
Abstract: 一種半導體鰭部內載子濃度之測定方法，包括：使用一四點探針頭探測至少一半導體鰭部，使該四點探針之四個探針接觸該至少一半導體鰭部；量測該至少一半導體鰭部之一電阻；以及由該電阻計算出該半導體鰭部之一載子濃度。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体鳍部内载子浓度之测定方法，包括：使用一四点探针头探测至少一半导体鳍部，使该四点探针之四个探针接触该至少一半导体鳍部；量测该至少一半导体鳍部之一电阻；以及由该电阻计算出该半导体鳍部之一载子浓度。
-
公开(公告)号：TW201729237A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105135457
申请日：2016-11-02
Inventor： 葉哲宇 , YEH, CHE YU , 吳忠政 , WU, CHUNG CHENG , 陳振隆 , CHEN, CHENG LONG , 張廣興 , CHANG, GWAN SIN , 蔡邦彥 , TSAI, PANG YEN , 陳燕銘 , CHEN, YEN MING , 奧野泰利 , OKUNO, YASUTOSHI , 王櫻璇 , WANG, YING HSUAN
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L29/165 , H01L29/66
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/02532 , H01L21/02639 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L29/1054 , H01L29/165 , H01L29/66545 , H01L29/7848
Abstract: 本揭露提供半導體結構的製造方法，半導體結構的製造方法包含形成硬遮罩結構在基底上方，以及通過硬遮罩結構的開口蝕刻基底以形成溝槽。半導體結構的製造方法還包含移除硬遮罩結構的一部分以擴大開口，以及在開口和溝槽中形成磊晶成長結構。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供半导体结构的制造方法，半导体结构的制造方法包含形成硬遮罩结构在基底上方，以及通过硬遮罩结构的开口蚀刻基底以形成沟槽。半导体结构的制造方法还包含移除硬遮罩结构的一部分以扩大开口，以及在开口和沟槽中形成磊晶成长结构。
-
公开(公告)号：TW201725658A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105131737
申请日：2016-09-30
Inventor： 奧野泰利 , OKUNO, YASUTOSHI , 陳振隆 , CHEN, CHENG LONG , 張孟淳 , CHANG, MENG CHUN , 王菘豊 , WANG, SUNG LI , 白易芳 , PAI, YI FANG , 鬼木悠丞 , ONIKI, YUSUKE
IPC: H01L21/768 , H01L23/535 , H01L29/04 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/24 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L21/76805 , H01L21/76895 , H01L21/76897 , H01L23/485 , H01L23/535 , H01L29/045 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/24 , H01L29/665 , H01L29/66795 , H01L29/7851
Abstract: 一種形成半導體結構的方法包括以下操作：(i)在基板上形成鰭式結構；(ii)從鰭式結構磊晶生長磊晶結構；(iii)形成圍繞磊晶結構的犧牲結構；(iv)形成覆蓋犧牲結構的介電層；(v)形成穿過介電層的開口以部分地曝露犧牲結構；(vi)移除犧牲結構的一部分以曝露磊晶結構的一部分；以及(vii)形成與磊晶結構的曝露部分接觸的接觸結構。本文亦揭示一種半導體結構。
Abstract in simplified Chinese: 一种形成半导体结构的方法包括以下操作：(i)在基板上形成鳍式结构；(ii)从鳍式结构磊晶生长磊晶结构；(iii)形成围绕磊晶结构的牺牲结构；(iv)形成覆盖牺牲结构的介电层；(v)形成穿过介电层的开口以部分地曝露牺牲结构；(vi)移除牺牲结构的一部分以曝露磊晶结构的一部分；以及(vii)形成与磊晶结构的曝露部分接触的接触结构。本文亦揭示一种半导体结构。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW202008428A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108116975
申请日：2019-05-16
Inventor： 王菘豊 , WANG, SUNG LI , 卡迪爾巴德 姆魯尼爾A , KHADERBAD, MRUNAL A. , 奧野泰利 , OKUNO, YASUTOSHI
IPC: H01L21/20
Abstract: 一種半導體元件包含第一半導體鰭片、第一磊晶層、第一合金層以及接觸栓塞。第一半導體鰭片位於基材上。第一磊晶層位於第一半導體鰭片上。第一合金層位於第一磊晶層上方。第一合金層的材質包含一或多個IV族元素以及一或多個金屬元素，且第一合金層包含第一側壁及第二側壁，第二側壁自第一側壁之底部沿著不平行於第一側壁之方向向下延伸。接觸栓塞接觸於第一合金層之第一側壁以及第二側壁。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体组件包含第一半导体鳍片、第一磊晶层、第一合金层以及接触栓塞。第一半导体鳍片位于基材上。第一磊晶层位于第一半导体鳍片上。第一合金层位于第一磊晶层上方。第一合金层的材质包含一或多个IV族元素以及一或多个金属元素，且第一合金层包含第一侧壁及第二侧壁，第二侧壁自第一侧壁之底部沿着不平行于第一侧壁之方向向下延伸。接触栓塞接触于第一合金层之第一侧壁以及第二侧壁。
-
公开(公告)号：TWI653761B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW106135536
申请日：2017-10-17
Inventor： 奧野泰利 , OKUNO, YASUTOSHI , 彭成毅 , PENG, CHENG YI , 方子韋 , FANG, ZI-WEI , 張毅敏 , CHANG, I MING , 峰地輝 , MINEJI, AKIRA , 林佑明 , LIN, YU MING , 蕭孟軒 , HSIAO, MENG HSUAN
-
公开(公告)号：TWI521709B
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：TW102145068
申请日：2013-12-09
Inventor： 姚亮吉 , YAO, LIANG GI , 張毅敏 , CHANG, I MING , 奧野泰利 , OKUNO, YASUTOSHI , 張志豪 , CHANG, CHIH HAO , 張守仁 , CHANG, SHOU ZEN , 萬幸仁 , WANN, CLEMENT HSINGJEN
CPC classification number: H01L21/2807 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L29/1054 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/66651 , H01L29/785
-
公开(公告)号：TW202023024A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108124896
申请日：2019-07-15
Inventor： 藤原英弘 , FUJIWARA, HIDEHIRO , 廖宏仁 , LIAO, HUNG-JEN , 潘顯裕 , PAN, HSIEN-YU , 林志宇 , LIN, CHIH-YU , 陳炎輝 , CHEN, YEN-HUEI , 奧野泰利 , OKUNO, YASUTOSHI
IPC: H01L27/11 , H01L21/8244
Abstract: 一種記憶胞，包含：第一上拉電晶體及第二上拉電晶體；第一傳輸閘極電晶體及第二傳輸閘極電晶體；以及金屬接觸窗。第一上拉電晶體具有在第一方向上延伸的第一主動區。第一傳輸閘極電晶體具有在第一方向上延伸且在第二方向上與第一主動區分隔開的第二主動區。第二主動區與第一主動區相鄰。第二傳輸閘極電晶體耦接至第二上拉電晶體。金屬接觸窗在第二方向上延伸，且自第一主動區延伸至第二主動區。金屬接觸窗將第一上拉電晶體的汲極與第一傳輸閘極電晶體的汲極耦接。第一傳輸閘極電晶體及第二傳輸閘極電晶體以及第一上拉電晶體及第二上拉電晶體為四電晶體記憶胞的一部分。
Abstract in simplified Chinese: 一种记忆胞，包含：第一上拉晶体管及第二上拉晶体管；第一传输闸极晶体管及第二传输闸极晶体管；以及金属接触窗。第一上拉晶体管具有在第一方向上延伸的第一主动区。第一传输闸极晶体管具有在第一方向上延伸且在第二方向上与第一主动区分隔开的第二主动区。第二主动区与第一主动区相邻。第二传输闸极晶体管耦接至第二上拉晶体管。金属接触窗在第二方向上延伸，且自第一主动区延伸至第二主动区。金属接触窗将第一上拉晶体管的汲极与第一传输闸极晶体管的汲极耦接。第一传输闸极晶体管及第二传输闸极晶体管以及第一上拉晶体管及第二上拉晶体管为四晶体管记忆胞的一部分。
-
公开(公告)号：TWI685895B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：TW107138234
申请日：2018-10-29
Inventor： 奧野泰利 , OKUNO, YASUTOSHI , 蔡騰群 , TSAI, TENG CHUN , 方子韋 , FANG, ZI-WEI , 顏甫庭 , YEN, FU TING
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.023 seconds)
