公开(公告)号：TWI619174B

公开(公告)日：2018-03-21

申请号：TW104138302

申请日：2015-11-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 江國誠 ,  CHING, KUO CHENG ,  蔡慶威 ,  TSAI, CHING WEI ,  卡羅司 迪亞玆 ,  DIAZ, CARLOS H. ,  王志豪 ,  WANG, CHIH HAO ,  連萬益 ,  LIEN, WAI YI ,  梁英強 ,  LEUNG, YING-KEUNG

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7851

公开(公告)号：TW201637202A

公开(公告)日：2016-10-16

申请号：TW105101102

申请日：2016-01-14

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 郭大鵬 ,  GUO, TA PEN ,  卡羅司 迪亞玆 ,  DIAZ, CARLOS H. ,  王志豪 ,  WANG, CHIH HAO ,  珍 皮爾 柯林 ,  COLINGE, JEAN-PIERRE

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L27/06 ,  H01L27/092 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L27/0688 ,  H01L21/8221 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823885 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

Abstract: 本揭示描述堆疊元件及由堆疊元件形成的電路。根據一些實施例，半導體柱自基板垂直延伸。第一源極/汲極區域處於半導體柱中。第一閘電極層橫向圍繞半導體柱及處於第一源極/汲極區域垂直上方。在第一閘電極層與半導體柱之間插入第一閘極介電層。第二源極/汲極區域處於第一半導體柱中及處於第一閘電極層垂直上方。將第二源極/汲極區域連接至電源節點。第二閘電極層橫向圍繞半導體柱及處於第二源極/汲極區域垂直上方。在第二閘電極層與半導體柱之間插入第二閘極介電層。第三源極/汲極區域處於半導體柱中及處於第二閘電極層垂直上方。

Abstract in simplified Chinese: 本揭示描述堆栈组件及由堆栈组件形成的电路。根据一些实施例，半导体柱自基板垂直延伸。第一源极/汲极区域处于半导体柱中。第一闸电极层横向围绕半导体柱及处于第一源极/汲极区域垂直上方。在第一闸电极层与半导体柱之间插入第一闸极介电层。第二源极/汲极区域处于第一半导体柱中及处于第一闸电极层垂直上方。将第二源极/汲极区域连接至电源节点。第二闸电极层横向围绕半导体柱及处于第二源极/汲极区域垂直上方。在第二闸电极层与半导体柱之间插入第二闸极介电层。第三源极/汲极区域处于半导体柱中及处于第二闸电极层垂直上方。

公开(公告)号：TWI567875B

公开(公告)日：2017-01-21

申请号：TW104100556

申请日：2015-01-08

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 江國誠 ,  CHING, KUOCHENG ,  馮家馨 ,  FUNG, KAHING ,  吳志強 ,  WU, ZHIQIANG ,  卡羅司 迪亞玆 ,  DIAZ, CARLOS H.

IPC: H01L21/8244 ,  H01L27/11

CPC classification number: H01L29/7849 ,  H01L21/02161 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1104 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7858

公开(公告)号：TW201701359A

公开(公告)日：2017-01-01

申请号：TW104138302

申请日：2015-11-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 江國誠 ,  CHING, KUO CHENG ,  蔡慶威 ,  TSAI, CHING WEI ,  卡羅司 迪亞玆 ,  DIAZ, CARLOS H. ,  王志豪 ,  WANG, CHIH HAO ,  連萬益 ,  LIEN, WAI YI ,  梁英強 ,  LEUNG, YING-KEUNG

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7851

Abstract: 一種半導體元件的製造方法，包含形成從基材延伸之鰭片並具有源極/汲極區域和通道區域。鰭片包含具有第一組成的第一磊晶層和位於第一磊晶層之上的第二磊晶層，而第二磊晶層具有第二組成。從鰭片之閘極/源極區域移除第二磊晶層以形成間隙。填充介電材料於間隙中。於第一磊晶層之至少兩個表面上形成另一磊晶層以形成源極/汲極特徵。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体组件的制造方法，包含形成从基材延伸之鳍片并具有源极/汲极区域和信道区域。鳍片包含具有第一组成的第一磊晶层和位于第一磊晶层之上的第二磊晶层，而第二磊晶层具有第二组成。从鳍片之闸极/源极区域移除第二磊晶层以形成间隙。填充介电材料于间隙中。于第一磊晶层之至少两个表面上形成另一磊晶层以形成源极/汲极特征。

公开(公告)号：TWI602294B

公开(公告)日：2017-10-11

申请号：TW105101102

申请日：2016-01-14

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 郭大鵬 ,  GUO, TA PEN ,  卡羅司 迪亞玆 ,  DIAZ, CARLOS H. ,  王志豪 ,  WANG, CHIH HAO ,  珍 皮爾 柯林 ,  COLINGE, JEAN-PIERRE

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L27/06 ,  H01L27/092 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L27/0688 ,  H01L21/8221 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823885 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

公开(公告)号：TW201601257A

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW104100556

申请日：2015-01-08

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 江國誠 ,  CHING, KUOCHENG ,  馮家馨 ,  FUNG, KAHING ,  吳志強 ,  WU, ZHIQIANG ,  卡羅司 迪亞玆 ,  DIAZ, CARLOS H.

IPC: H01L21/8244 ,  H01L27/11

CPC classification number: H01L29/7849 ,  H01L21/02161 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1104 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7858

Abstract: 一種半導體元件，包含一第一鰭狀結構，位於一基板的一N型鰭式場效電晶體區域之上。第一鰭狀結構包含一矽層，一矽化鍺氧化層位於矽層上以及一鍺特徵結構位於矽化鍺氧化層上。半導體元件更包含一第二鰭狀結構，位於基板的一P型鰭式場效電晶體區域之上，第二鰭狀結構包含矽層，矽化鍺氧化層位於矽層之上，一矽化鍺磊晶層位於矽化鍺氧化層上以及鍺特徵結構位於矽化鍺磊晶層上。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体组件，包含一第一鳍状结构，位于一基板的一N型鳍式场效应管区域之上。第一鳍状结构包含一硅层，一硅化锗氧化层位于硅层上以及一锗特征结构位于硅化锗氧化层上。半导体组件更包含一第二鳍状结构，位于基板的一P型鳍式场效应管区域之上，第二鳍状结构包含硅层，硅化锗氧化层位于硅层之上，一硅化锗磊晶层位于硅化锗氧化层上以及锗特征结构位于硅化锗磊晶层上。