公开(公告)号：TWI476960B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：TW100135713

申请日：2011-10-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李孝文 ,  LEE, HSIAO WEN ,  蔡尚祐 ,  TSAI, SHANG YU ,  林天敏 ,  LIN, TIEN MING ,  陳其賢 ,  CHERN, CHYI SHYUAN ,  吳欣賢 ,  WU, HSIN HSIEN ,  劉福文 ,  LIU, FU WEN ,  賴懷恩 ,  LAI, HUAI EN ,  湯友聖 ,  TANG, YU SHENG

IPC: H01L33/48

CPC classification number: H01L33/54 ,  H01L33/44 ,  H01L33/504 ,  H01L33/507 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2933/005 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：TW201316560A

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：TW101129670

申请日：2012-08-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳其賢 ,  CHERN, CHYI SHYUAN ,  吳欣賢 ,  WU, HSIN HSIEN ,  余致廣 ,  YU, CHIH KUANG ,  郭鴻毅 ,  KUO, HUNG YI

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L23/49513 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/08 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種發光二極體封裝方法，包括連接複數個發光二極體晶粒至一基座上相對應的焊墊。一具有凹槽以安置發光二極體晶粒的模具裝置被放置於基座上。基座、發光二極體晶粒、及模具裝置在一熱回焊爐中被加熱以接合發光二極體晶粒至焊墊。在加熱時每一個凹槽實質限制發光二極體晶粒相對於焊墊的移動。

Abstract in simplified Chinese: 一种发光二极管封装方法，包括连接复数个发光二极管晶粒至一基座上相对应的焊垫。一具有凹槽以安置发光二极管晶粒的模具设备被放置于基座上。基座、发光二极管晶粒、及模具设备在一热回焊炉中被加热以接合发光二极管晶粒至焊垫。在加热时每一个凹槽实质限制发光二极管晶粒相对于焊垫的移动。

公开(公告)号：TWI649775B

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：TW107100101

申请日：2018-01-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林宜靜 ,  LIN, I CHING ,  陳其賢 ,  CHERN, CHYI SHYUAN ,  吳欣賢 ,  WU, EVAN ,  張鈞琳 ,  CHANG, CHUN LIN

IPC: H01J37/16 ,  H01J37/317

公开(公告)号：TWI464912B

公开(公告)日：2014-12-11

申请号：TW101111001

申请日：2012-03-29

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 吳欣賢 ,  WU, HSIN HSIEN ,  陳其賢 ,  CHERN, CHYI SHYUAN ,  張鈞琳 ,  CHANG, CHUN LIN ,  蕭景文 ,  HSIAO, CHING WEN ,  徐光宏 ,  HSU, KUANG HUAN

IPC: H01L33/22

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/26593 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

公开(公告)号：TW201248920A

公开(公告)日：2012-12-01

申请号：TW101111001

申请日：2012-03-29

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 吳欣賢 ,  陳其賢 ,  張鈞琳 ,  蕭景文 ,  徐光宏

IPC: H01L

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/26593 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 一種發光二極體元件之製造方法,包括提供一垂直結構型發光二極體元件,其具有設置於一基板上之一氮化鎵層。該氮化鎵層係經過處理。該處理包括於該氮化鎵層上施行一離子佈値程序及施行一巨粗糙化處理。該離子佈植程序可於該氮化鎵層上形成一經粗糙化表面區。於一實施例中,該離子佈植程序係於低於約攝氏25度之一溫度下施行。於另一實施例中,於施行該離子佈値程序時,該基板係處於低於約攝氏0度之一溫度。

Abstract in simplified Chinese: 一种发光二极管组件之制造方法,包括提供一垂直结构型发光二极管组件,其具有设置于一基板上之一氮化镓层。该氮化镓层系经过处理。该处理包括于该氮化镓层上施行一离子布値进程及施行一巨粗糙化处理。该离子布植进程可于该氮化镓层上形成一经粗糙化表面区。于一实施例中,该离子布植进程系于低于约摄氏25度之一温度下施行。于另一实施例中,于施行该离子布値进程时,该基板系处于低于约摄氏0度之一温度。

公开(公告)号：TW201218441A

公开(公告)日：2012-05-01

申请号：TW100135713

申请日：2011-10-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 李孝文 ,  蔡尚祐 ,  林天敏 ,  陳其賢 ,  吳欣賢 ,  劉福文 ,  賴懷恩 ,  湯友聖

IPC: H01L

CPC classification number: H01L33/54 ,  H01L33/44 ,  H01L33/504 ,  H01L33/507 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2933/005 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本發明一實施例藉由將黏膠材料(glue material)注入發光二極體晶粒上的鑄模中,並固化黏膠材料,而在封裝發光二極體晶粒上形成二或多個模造橢球體透鏡(molded ellipsoid lenses)。在固化後,與發光二極體晶粒接觸的透鏡之折射指數(refractive index)大於未與發光二極體晶粒接觸的透鏡之折射指數。由於至少一個透鏡並未直接接觸發光二極體晶粒,黏膠材料包含至少一種磷材料(phosphor material)。直接接觸發光二極體晶粒的透鏡也可包括一或多種磷材料。在發光二極體晶粒及透鏡間可具有高折射指數塗層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明一实施例借由将黏胶材料(glue material)注入发光二极管晶粒上的铸模中,并固化黏胶材料,而在封装发光二极管晶粒上形成二或多个模造椭球体透镜(molded ellipsoid lenses)。在固化后,与发光二极管晶粒接触的透镜之折射指数(refractive index)大于未与发光二极管晶粒接触的透镜之折射指数。由于至少一个透镜并未直接接触发光二极管晶粒,黏胶材料包含至少一种磷材料(phosphor material)。直接接触发光二极管晶粒的透镜也可包括一或多种磷材料。在发光二极管晶粒及透镜间可具有高折射指数涂层。