公开(公告)号：TW201818491A

公开(公告)日：2018-05-16

申请号：TW105137022

申请日：2016-11-14

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張簡秀峰 ,  CHANG CHIEN, SHIOW FENG ,  劉又誠 ,  LIU, YU CHENG ,  呂禎祥 ,  LU, CHEN HSIANG ,  張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/673 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306

Abstract: 提供了半導體裝置的製程設備及其製造方法。此半導體製程設備包括載台以及環繞載台之邊緣環。此邊緣環包括具有第一粗糙度之主表面。邊緣環還包括連接主表面之第一側壁。此第一側壁具有第二粗糙度，且上述第一粗糙度大於此第二粗糙度。

Abstract in simplified Chinese: 提供了半导体设备的制程设备及其制造方法。此半导体制程设备包括载台以及环绕载台之边缘环。此边缘环包括具有第一粗糙度之主表面。边缘环还包括连接主表面之第一侧壁。此第一侧壁具有第二粗糙度，且上述第一粗糙度大于此第二粗糙度。

公开(公告)号：TWI584472B

公开(公告)日：2017-05-21

申请号：TW104138902

申请日：2015-11-24

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  莊瑞萍 ,  CHUANG, JUI PING ,  呂禎祥 ,  LU, CHEN HSIANG ,  陳威廷 ,  CHEN, WEI TING ,  劉又誠 ,  LIU, YU CHENG

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

公开(公告)号：TW201642326A

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：TW104139095

申请日：2015-11-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  莊瑞萍 ,  CHUANG, JUI PING ,  呂禎祥 ,  LU, CHEN HSIANG ,  陳威廷 ,  CHEN, WEI TING ,  劉又誠 ,  LIU, YU CHENG

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

Abstract: 本揭露提供一種半導體元件結構，包括：一鰭狀結構，位於一半導體基板之上；一閘極堆疊，覆蓋鰭狀結構的一部分，其中閘極堆疊包括一功函數層和位於功函數層之上的一金屬填充；以及一隔離元件，位於半導體基板之上且相鄰閘極堆疊，其中隔離元件與功函數層和金屬填充直接接觸。本揭露也提供一種半導體元件結構的形成方法。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种半导体组件结构，包括：一鳍状结构，位于一半导体基板之上；一闸极堆栈，覆盖鳍状结构的一部分，其中闸极堆栈包括一功函数层和位于功函数层之上的一金属填充；以及一隔离组件，位于半导体基板之上且相邻闸极堆栈，其中隔离组件与功函数层和金属填充直接接触。本揭露也提供一种半导体组件结构的形成方法。

公开(公告)号：TW575943B

公开(公告)日：2004-02-11

申请号：TW091118843

申请日：2002-08-20

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳世明 ,  丁國强 ,  呂禎祥

IPC: H01L

Abstract: 一種快閃記憶體之浮置閘氧化層的形成方法，其至少包括下列步驟：形成閘極氧化層於一半導體基底上；形成摻雜多晶矽層於閘極氧化層上；形成氧化層於摻雜多晶矽層上；形成氮化層於氧化層上；除去位於欲定義浮置閘處的部份氮化層，以曝露出部份氧化層；以氮化層為蝕刻罩幕，濕蝕刻氧化層，以除去沒有被氮化層遮蓋的部份氧化層以及位於氮化層正下方的部份氧化層，而曝露出部份摻雜多晶矽層；氧化摻雜多晶矽層，以使曝露出來的部份摻雜多晶矽層之上形成浮置閘氧化層。

Abstract in simplified Chinese: 一种闪存之浮置闸氧化层的形成方法，其至少包括下列步骤：形成闸极氧化层于一半导体基底上；形成掺杂多晶硅层于闸极氧化层上；形成氧化层于掺杂多晶硅层上；形成氮化层于氧化层上；除去位于欲定义浮置闸处的部份氮化层，以曝露出部份氧化层；以氮化层为蚀刻罩幕，湿蚀刻氧化层，以除去没有被氮化层遮盖的部份氧化层以及位于氮化层正下方的部份氧化层，而曝露出部份掺杂多晶硅层；氧化掺杂多晶硅层，以使曝露出来的部份掺杂多晶硅层之上形成浮置闸氧化层。

公开(公告)号：TWI634609B

公开(公告)日：2018-09-01

申请号：TW105137022

申请日：2016-11-14

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張簡秀峰 ,  CHANG CHIEN, SHIOW FENG ,  劉又誠 ,  LIU, YU CHENG ,  呂禎祥 ,  LU, CHEN HSIANG ,  張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/673 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306

公开(公告)号：TW201642465A

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：TW104138902

申请日：2015-11-24

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  莊瑞萍 ,  CHUANG, JUI PING ,  呂禎祥 ,  LU, CHEN HSIANG ,  陳威廷 ,  CHEN, WEI TING ,  劉又誠 ,  LIU, YU CHENG

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

Abstract: 本揭露提供一種半導體元件結構，包括：一鰭狀結構，位於一半導體基板之上；一閘極堆疊，覆蓋鰭狀結構的一部分，其中閘極堆疊包括一功函數層和一閘極介電層；以及一隔離元件，位於半導體基板之上且相鄰閘極堆疊，其中隔離元件與功函數層和閘極介電層直接接觸，且隔離元件的一較低的寬度大於隔離元件的一較高的寬度。本揭露也提供一種半導體元件結構的形成方法。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种半导体组件结构，包括：一鳍状结构，位于一半导体基板之上；一闸极堆栈，覆盖鳍状结构的一部分，其中闸极堆栈包括一功函数层和一闸极介电层；以及一隔离组件，位于半导体基板之上且相邻闸极堆栈，其中隔离组件与功函数层和闸极介电层直接接触，且隔离组件的一较低的宽度大于隔离组件的一较高的宽度。本揭露也提供一种半导体组件结构的形成方法。

公开(公告)号：TWI591694B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：TW104139095

申请日：2015-11-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  莊瑞萍 ,  CHUANG, JUI PING ,  呂禎祥 ,  LU, CHEN HSIANG ,  陳威廷 ,  CHEN, WEI TING ,  劉又誠 ,  LIU, YU CHENG

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

公开(公告)号：TWI579969B

公开(公告)日：2017-04-21

申请号：TW104139873

申请日：2015-11-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳威廷 ,  CHEN, WEI TING ,  張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  呂禎祥 ,  LU, CHEN HSIANG ,  劉又誠 ,  LIU, YU CHENG

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L21/76804 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/53295

公开(公告)号：TW201635436A

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW104139873

申请日：2015-11-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳威廷 ,  CHEN, WEI TING ,  張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  呂禎祥 ,  LU, CHEN HSIANG ,  劉又誠 ,  LIU, YU CHENG

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L21/76804 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/53295

Abstract: 提供一種半導體裝置結構。半導體裝置結構包括基底。半導體裝置結構包括位於基底上方的介電層。介電層具有溝槽。半導體裝置結構包括位於該溝槽中的導線。導線具有第一端部及第二端部。第一端部面向基底。第二端部背對基底。第一端部的第一寬度大於第二端部的第二寬度。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种半导体设备结构。半导体设备结构包括基底。半导体设备结构包括位于基底上方的介电层。介电层具有沟槽。半导体设备结构包括位于该沟槽中的导线。导线具有第一端部及第二端部。第一端部面向基底。第二端部背对基底。第一端部的第一宽度大于第二端部的第二宽度。

公开(公告)号：TW442908B

公开(公告)日：2001-06-23

申请号：TW087121852A02

申请日：1999-10-29

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 呂禎祥 ,  方文良 ,  王治平 ,  李宙峰

IPC: H01L

Abstract: 一種除去製作銲墊(bonding pad)接觸窗光阻之方法(發明專利申請案號第八七一二一八五二號)之追加二,係針對母案中形成一自然氧化層於銲墊表面前，配合一電漿處理步驟;或於母案中之移除光阻製程完成後，配合一濕式清洗步驟，將銲墊表面上之含氟物質清除，解決銲墊表面因為含氟物質所造成之晶格缺陷(crystal defects)的問題，避免銲墊在進行打線程序時，因所述晶格缺陷而產生銲墊表面與接線接觸不良而容易脫落或打線失敗的現象，所述現象將導致元件品質及產品良率降低。

Abstract in simplified Chinese: 一种除去制作焊垫(bonding pad)接触窗光阻之方法(发明专利申请案号第八七一二一八五二号)之追加二,系针对母案中形成一自然氧化层于焊垫表面前，配合一等离子处理步骤;或于母案中之移除光阻制程完成后，配合一湿式清洗步骤，将焊垫表面上之含氟物质清除，解决焊垫表面因为含氟物质所造成之晶格缺陷(crystal defects)的问题，避免焊垫在进行打线进程时，因所述晶格缺陷而产生焊垫表面与接线接触不良而容易脱落或打线失败的现象，所述现象将导致组件品质及产品良率降低。