公开(公告)号：TWI700779B

公开(公告)日：2020-08-01

申请号：TW107134134

申请日：2018-09-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 姆魯凱森 卡迪克 ,  MURUKESAN, KARTHICK ,  江文智 ,  CHIANG, WEN-CHIH ,  蔡俊琳 ,  TSAI, CHUN-LIN ,  霍克孝 ,  HUO, KER-HSIAO ,  吳國銘 ,  WU, KUO-MING ,  陳柏智 ,  CHEN, PO-CHIH ,  蘇如意 ,  SU, RU-YI ,  林炫政 ,  LIN, SHIUAN-JENG ,  陳益民 ,  CHEN, YI-MIN ,  林宏洲 ,  LIN, HUNG-CHOU ,  邱奕正 ,  CHIU, YI-CHENG

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/82

公开(公告)号：TW201921588A

公开(公告)日：2019-06-01

申请号：TW107134134

申请日：2018-09-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 姆魯凱森 卡迪克 ,  MURUKESAN, KARTHICK ,  江文智 ,  CHIANG, WEN-CHIH ,  蔡俊琳 ,  TSAI, CHUN-LIN ,  霍克孝 ,  HUO, KER-HSIAO ,  吳國銘 ,  WU, KUO-MING ,  陳柏智 ,  CHEN, PO-CHIH ,  蘇如意 ,  SU, RU-YI ,  林炫政 ,  LIN, SHIUAN-JENG ,  陳益民 ,  CHEN, YI-MIN ,  林宏洲 ,  LIN, HUNG-CHOU ,  邱奕正 ,  CHIU, YI-CHENG

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/82

Abstract: 本申請案的各種實施例是關於一種積體電路（IC），其中高壓金氧半導體（HVMOS）裝置與高壓接面終端（HVJT）裝置整合在一起。在一些實施例中，第一漂移井及第二漂移井位於基底中。第一漂移井及第二漂移井以環形圖案毗連且具有第一摻雜類型。周邊井位於基底中且具有與第一摻雜類型相反的第二摻雜類型。周邊井環繞且分隔第一漂移井與第二漂移井。主體井位於基底中且具有第二摻雜類型。另外，主體井上覆第一漂移井且藉由第一漂移井與周邊井分隔。閘電極上覆第一漂移井與主體井之間的接面。

Abstract in simplified Chinese: 本申请案的各种实施例是关于一种集成电路（IC），其中高压金属氧化物半导体（HVMOS）设备与高压接面终端（HVJT）设备集成在一起。在一些实施例中，第一漂移井及第二漂移井位于基底中。第一漂移井及第二漂移井以环形图案毗连且具有第一掺杂类型。周边井位于基底中且具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型。周边井环绕且分隔第一漂移井与第二漂移井。主体井位于基底中且具有第二掺杂类型。另外，主体井上覆第一漂移井且借由第一漂移井与周边井分隔。闸电极上覆第一漂移井与主体井之间的接面。

公开(公告)号：TW201919234A

公开(公告)日：2019-05-16

申请号：TW107138447

申请日：2018-10-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 姆魯凱森 卡迪克 ,  MURUKESAN, KARTHICK ,  江文智 ,  CHIANG, WEN-CHIH ,  鍾久華 ,  CHUNG, CHIU-HUA ,  蔡俊琳 ,  TSAI, CHUN-LIN ,  吳國銘 ,  WU, KUO-MING ,  林炫政 ,  LIN, SHIUAN-JENG ,  林天聲 ,  LIN, TIAN-SHENG ,  陳益民 ,  CHEN, YI-MIN ,  林宏洲 ,  LIN, HUNG-CHOU ,  邱奕正 ,  CHIU, YI-CHENG

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66 ,  H01L21/22

Abstract: 本申請的各種實施例關於一種積體電路（IC），其中自舉金屬氧化物半導體（MOS）元件與高壓金屬氧化物半導體（HVMOS）元件和高壓接面終端（HVJT）元件整合。在一些實施例中，漂移井在半導體基底中。漂流井具有第一摻雜型並具有環形頂佈局。第一切換元件在漂移井上。第二切換元件在半導體基底上，在漂移井的側壁的凹口處。周邊井在半導體基底中，並具有與第一摻雜型相反的第二摻雜型。周邊井圍繞漂移井、第一切換元件和第二切換元件，並進一步將第二切換元件與漂移井和第一切換元件分開。

Abstract in simplified Chinese: 本申请的各种实施例关于一种集成电路（IC），其中自举金属氧化物半导体（MOS）组件与高压金属氧化物半导体（HVMOS）组件和高压接面终端（HVJT）组件集成。在一些实施例中，漂移井在半导体基底中。漂流井具有第一掺杂型并具有环形顶布局。第一切换组件在漂移井上。第二切换组件在半导体基底上，在漂移井的侧壁的凹口处。周边井在半导体基底中，并具有与第一掺杂型相反的第二掺杂型。周边井围绕漂移井、第一切换组件和第二切换组件，并进一步将第二切换组件与漂移井和第一切换组件分开。