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公开(公告)号:TW201919234A
公开(公告)日:2019-05-16
申请号:TW107138447
申请日:2018-10-30
Inventor: 姆魯凱森 卡迪克 , MURUKESAN, KARTHICK , 江文智 , CHIANG, WEN-CHIH , 鍾久華 , CHUNG, CHIU-HUA , 蔡俊琳 , TSAI, CHUN-LIN , 吳國銘 , WU, KUO-MING , 林炫政 , LIN, SHIUAN-JENG , 林天聲 , LIN, TIAN-SHENG , 陳益民 , CHEN, YI-MIN , 林宏洲 , LIN, HUNG-CHOU , 邱奕正 , CHIU, YI-CHENG
Abstract: 本申請的各種實施例關於一種積體電路(IC),其中自舉金屬氧化物半導體(MOS)元件與高壓金屬氧化物半導體(HVMOS)元件和高壓接面終端(HVJT)元件整合。在一些實施例中,漂移井在半導體基底中。漂流井具有第一摻雜型並具有環形頂佈局。第一切換元件在漂移井上。第二切換元件在半導體基底上,在漂移井的側壁的凹口處。周邊井在半導體基底中,並具有與第一摻雜型相反的第二摻雜型。周邊井圍繞漂移井、第一切換元件和第二切換元件,並進一步將第二切換元件與漂移井和第一切換元件分開。
Abstract in simplified Chinese: 本申请的各种实施例关于一种集成电路(IC),其中自举金属氧化物半导体(MOS)组件与高压金属氧化物半导体(HVMOS)组件和高压接面终端(HVJT)组件集成。在一些实施例中,漂移井在半导体基底中。漂流井具有第一掺杂型并具有环形顶布局。第一切换组件在漂移井上。第二切换组件在半导体基底上,在漂移井的侧壁的凹口处。周边井在半导体基底中,并具有与第一掺杂型相反的第二掺杂型。周边井围绕漂移井、第一切换组件和第二切换组件,并进一步将第二切换组件与漂移井和第一切换组件分开。
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公开(公告)号:TW201727893A
公开(公告)日:2017-08-01
申请号:TW105135014
申请日:2016-10-28
Inventor: 穆克森 卡昔克 , MURUKESAN, KARTHICK , 邱奕正 , CHIU, YI-CHENG , 林宏洲 , LIN, HUNG-CHOU , 詹智元 , CHAN, CHIH-YUAN , 陳益民 , CHEN, YI-MIN , 張震謙 , CHANG, CHEN-CHIEN , 鍾久華 , CHUNG, CHIU-HUA , 楊富智 , YANG, FU-CHIH , 蔡俊琳 , TSAI, CHUN LIN
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L23/5225 , H01L29/0692 , H01L29/1083 , H01L29/1095 , H01L29/402
Abstract: 在某些實施例中,一種半導體裝置包含一電晶體、一隔離組件及一導電層。該電晶體包含一源極區及一汲極區。該隔離組件環繞該源極區。該導電層經組態用於該汲極區之互連。導電組件位於該導電層與該隔離組件之間,經組態以屏蔽該隔離組件以免遭該隔離組件上方之一電場影響。
Abstract in simplified Chinese: 在某些实施例中,一种半导体设备包含一晶体管、一隔离组件及一导电层。该晶体管包含一源极区及一汲极区。该隔离组件环绕该源极区。该导电层经组态用于该汲极区之互连。导电组件位于该导电层与该隔离组件之间,经组态以屏蔽该隔离组件以免遭该隔离组件上方之一电场影响。
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