公开(公告)号：TW201919234A

公开(公告)日：2019-05-16

申请号：TW107138447

申请日：2018-10-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 姆魯凱森 卡迪克 ,  MURUKESAN, KARTHICK ,  江文智 ,  CHIANG, WEN-CHIH ,  鍾久華 ,  CHUNG, CHIU-HUA ,  蔡俊琳 ,  TSAI, CHUN-LIN ,  吳國銘 ,  WU, KUO-MING ,  林炫政 ,  LIN, SHIUAN-JENG ,  林天聲 ,  LIN, TIAN-SHENG ,  陳益民 ,  CHEN, YI-MIN ,  林宏洲 ,  LIN, HUNG-CHOU ,  邱奕正 ,  CHIU, YI-CHENG

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66 ,  H01L21/22

Abstract: 本申請的各種實施例關於一種積體電路（IC），其中自舉金屬氧化物半導體（MOS）元件與高壓金屬氧化物半導體（HVMOS）元件和高壓接面終端（HVJT）元件整合。在一些實施例中，漂移井在半導體基底中。漂流井具有第一摻雜型並具有環形頂佈局。第一切換元件在漂移井上。第二切換元件在半導體基底上，在漂移井的側壁的凹口處。周邊井在半導體基底中，並具有與第一摻雜型相反的第二摻雜型。周邊井圍繞漂移井、第一切換元件和第二切換元件，並進一步將第二切換元件與漂移井和第一切換元件分開。

Abstract in simplified Chinese: 本申请的各种实施例关于一种集成电路（IC），其中自举金属氧化物半导体（MOS）组件与高压金属氧化物半导体（HVMOS）组件和高压接面终端（HVJT）组件集成。在一些实施例中，漂移井在半导体基底中。漂流井具有第一掺杂型并具有环形顶布局。第一切换组件在漂移井上。第二切换组件在半导体基底上，在漂移井的侧壁的凹口处。周边井在半导体基底中，并具有与第一掺杂型相反的第二掺杂型。周边井围绕漂移井、第一切换组件和第二切换组件，并进一步将第二切换组件与漂移井和第一切换组件分开。

公开(公告)号：TW201727893A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105135014

申请日：2016-10-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 穆克森 卡昔克 ,  MURUKESAN, KARTHICK ,  邱奕正 ,  CHIU, YI-CHENG ,  林宏洲 ,  LIN, HUNG-CHOU ,  詹智元 ,  CHAN, CHIH-YUAN ,  陳益民 ,  CHEN, YI-MIN ,  張震謙 ,  CHANG, CHEN-CHIEN ,  鍾久華 ,  CHUNG, CHIU-HUA ,  楊富智 ,  YANG, FU-CHIH ,  蔡俊琳 ,  TSAI, CHUN LIN

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L23/5225 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402

Abstract: 在某些實施例中，一種半導體裝置包含一電晶體、一隔離組件及一導電層。該電晶體包含一源極區及一汲極區。該隔離組件環繞該源極區。該導電層經組態用於該汲極區之互連。導電組件位於該導電層與該隔離組件之間，經組態以屏蔽該隔離組件以免遭該隔離組件上方之一電場影響。

Abstract in simplified Chinese: 在某些实施例中，一种半导体设备包含一晶体管、一隔离组件及一导电层。该晶体管包含一源极区及一汲极区。该隔离组件环绕该源极区。该导电层经组态用于该汲极区之互连。导电组件位于该导电层与该隔离组件之间，经组态以屏蔽该隔离组件以免遭该隔离组件上方之一电场影响。