公开(公告)号：TW201919234A

公开(公告)日：2019-05-16

申请号：TW107138447

申请日：2018-10-30

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 姆魯凱森 卡迪克 ,  MURUKESAN, KARTHICK ,  江文智 ,  CHIANG, WEN-CHIH ,  鍾久華 ,  CHUNG, CHIU-HUA ,  蔡俊琳 ,  TSAI, CHUN-LIN ,  吳國銘 ,  WU, KUO-MING ,  林炫政 ,  LIN, SHIUAN-JENG ,  林天聲 ,  LIN, TIAN-SHENG ,  陳益民 ,  CHEN, YI-MIN ,  林宏洲 ,  LIN, HUNG-CHOU ,  邱奕正 ,  CHIU, YI-CHENG

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66 ,  H01L21/22

摘要： 本申請的各種實施例關於一種積體電路（IC），其中自舉金屬氧化物半導體（MOS）元件與高壓金屬氧化物半導體（HVMOS）元件和高壓接面終端（HVJT）元件整合。在一些實施例中，漂移井在半導體基底中。漂流井具有第一摻雜型並具有環形頂佈局。第一切換元件在漂移井上。第二切換元件在半導體基底上，在漂移井的側壁的凹口處。周邊井在半導體基底中，並具有與第一摻雜型相反的第二摻雜型。周邊井圍繞漂移井、第一切換元件和第二切換元件，並進一步將第二切換元件與漂移井和第一切換元件分開。

简体摘要： 本申请的各种实施例关于一种集成电路（IC），其中自举金属氧化物半导体（MOS）组件与高压金属氧化物半导体（HVMOS）组件和高压接面终端（HVJT）组件集成。在一些实施例中，漂移井在半导体基底中。漂流井具有第一掺杂型并具有环形顶布局。第一切换组件在漂移井上。第二切换组件在半导体基底上，在漂移井的侧壁的凹口处。周边井在半导体基底中，并具有与第一掺杂型相反的第二掺杂型。周边井围绕漂移井、第一切换组件和第二切换组件，并进一步将第二切换组件与漂移井和第一切换组件分开。

公开(公告)号：TW201742285A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：TW105123929

申请日：2016-07-28

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 程世偉 ,  CHENG, SHYH WEI ,  陳鴻霖 ,  CHEN, HUNG LIN ,  翁睿均 ,  WENG, JUI CHUN ,  林炫政 ,  LIN, SHIUAN JENG ,  林天聲 ,  LIN, TIAN SHENG ,  吳毓瑞 ,  WU, YU JUI ,  潘漢宗 ,  PAN, HAN ZONG ,  孫善勇 ,  SUN, SHAN YUNG

IPC分类号： H01L49/02

CPC分类号： H01L28/75 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32139 ,  H01L23/5223

摘要： 本發明提出一種製作金屬-絕緣層-金屬電容的方法，其中上電極的側壁不會受到損壞。下電極層是以第一材料所形成。電極間介電層是形成在下電極之上。上電極是形成在電極間介電層之上，並且不具有第一材料。第一蝕刻會施加在上電極層與電極間介電層以形成上電極。第二蝕刻會施加在下電極層以形成下電極。本揭露也關於用此方法所製作出的金屬-絕緣層-金屬電容。

简体摘要： 本发明提出一种制作金属-绝缘层-金属电容的方法，其中上电极的侧壁不会受到损坏。下电极层是以第一材料所形成。电极间介电层是形成在下电极之上。上电极是形成在电极间介电层之上，并且不具有第一材料。第一蚀刻会施加在上电极层与电极间介电层以形成上电极。第二蚀刻会施加在下电极层以形成下电极。本揭露也关于用此方法所制作出的金属-绝缘层-金属电容。