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公开(公告)号：TW201921588A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107134134
申请日：2018-09-27
发明人： 姆魯凱森 卡迪克 , MURUKESAN, KARTHICK , 江文智 , CHIANG, WEN-CHIH , 蔡俊琳 , TSAI, CHUN-LIN , 霍克孝 , HUO, KER-HSIAO , 吳國銘 , WU, KUO-MING , 陳柏智 , CHEN, PO-CHIH , 蘇如意 , SU, RU-YI , 林炫政 , LIN, SHIUAN-JENG , 陳益民 , CHEN, YI-MIN , 林宏洲 , LIN, HUNG-CHOU , 邱奕正 , CHIU, YI-CHENG
摘要： 本申請案的各種實施例是關於一種積體電路（IC），其中高壓金氧半導體（HVMOS）裝置與高壓接面終端（HVJT）裝置整合在一起。在一些實施例中，第一漂移井及第二漂移井位於基底中。第一漂移井及第二漂移井以環形圖案毗連且具有第一摻雜類型。周邊井位於基底中且具有與第一摻雜類型相反的第二摻雜類型。周邊井環繞且分隔第一漂移井與第二漂移井。主體井位於基底中且具有第二摻雜類型。另外，主體井上覆第一漂移井且藉由第一漂移井與周邊井分隔。閘電極上覆第一漂移井與主體井之間的接面。
简体摘要： 本申请案的各种实施例是关于一种集成电路（IC），其中高压金属氧化物半导体（HVMOS）设备与高压接面终端（HVJT）设备集成在一起。在一些实施例中，第一漂移井及第二漂移井位于基底中。第一漂移井及第二漂移井以环形图案毗连且具有第一掺杂类型。周边井位于基底中且具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型。周边井环绕且分隔第一漂移井与第二漂移井。主体井位于基底中且具有第二掺杂类型。另外，主体井上覆第一漂移井且借由第一漂移井与周边井分隔。闸电极上覆第一漂移井与主体井之间的接面。
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公开(公告)号：TWI466301B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW100108673
申请日：2011-03-15
发明人： 蘇如意 , SU, RU YI , 楊富智 , YANG, FU CHIH , 蔡俊琳 , TSAI, CHUN LIN , 霍克孝 , HUO, KER HSIAO , 鄭志昌 , CHENG, CHIH CHANG , 柳瑞興 , LIU, RUEY HSIN
IPC分类号： H01L29/788 , H01L23/52
CPC分类号： H01L29/7835 , H01L27/088 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/404 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/7816 , H01L29/861
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公开(公告)号：TWI616982B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW104122488
申请日：2015-07-13
发明人： 霍克孝 , HUO, KER HSIAO , 蔣昕志 , CHIANG, HSIN CHIH , 陳奕寰 , CHEN, YI HUAN , 蔡俊琳 , TSAI, CHUN LIN , 陳益民 , CHEN, YI MIN
IPC分类号： H01L21/8232 , H01L29/772
CPC分类号： H01L27/0629 , H01L21/76202 , H01L28/20 , H01L29/063 , H01L29/0653 , H01L29/0865 , H01L29/0878 , H01L29/0882 , H01L29/1095 , H01L29/404 , H01L29/405 , H01L29/42356 , H01L29/42368 , H01L29/66681 , H01L29/7816
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公开(公告)号：TWI433318B
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW099118403
申请日：2010-06-07
发明人： 蘇如意 , SU, RUYI , 楊富智 , YANG, FUJHI , 蔡俊琳 , TSAI, CHUNLIN , 霍克孝 , HUO, KERHSIAO , 沈佳青 , SHEN, CHIACHIN , 黃柏晟 , HUANG, ERIC , 鄭志昌 , CHENG, CHIHCHANG , 柳瑞興 , LIU, RUEYHSIN , 段孝勤 , TUAN, HSIAOCHIN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/36 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7835 , H01L29/0634 , H01L29/1095 , H01L29/42368 , H01L29/66659 , H01L29/66681 , H01L29/7816
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公开(公告)号：TW201405822A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW102121684
申请日：2013-06-19
发明人： 蘇如意 , SU, RU YI , 楊富智 , YANG, FU CHIH , 蔡俊琳 , TSAI, CHUN LIN , 霍克孝 , HUO, KER HSIAO , 葉人豪 , YEH, JEN HAO , 許竣爲 , HSU, CHUN WEI
CPC分类号： H01L27/0629
摘要： 本發明提供之高電壓半導體元件，其電晶體具有閘極、源極、與汲極。源極與汲極係形成於摻雜的基板中，且源極與汲極之間隔有基板的漂移區。閘極形成於漂移區上，且閘極位於源極與汲極之間。電晶體係用以處理至少幾百伏特的高電壓。介電結構形成於電晶體的源極與汲極之間。介電結構穿入並凸出基板。介電結構的不同部份具有不一致的厚度。高電壓半導體元件之電阻形成於介電結構上。電阻具有多個纏繞部件，且纏繞部件之間具有實質上相同的間距。
简体摘要： 本发明提供之高电压半导体组件，其晶体管具有闸极、源极、与汲极。源极与汲极系形成于掺杂的基板中，且源极与汲极之间隔有基板的漂移区。闸极形成于漂移区上，且闸极位于源极与汲极之间。晶体管系用以处理至少几百伏特的高电压。介电结构形成于晶体管的源极与汲极之间。介电结构穿入并凸出基板。介电结构的不同部份具有不一致的厚度。高电压半导体组件之电阻形成于介电结构上。电阻具有多个缠绕部件，且缠绕部件之间具有实质上相同的间距。
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公开(公告)号：TW201349487A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102116331
申请日：2013-05-08
发明人： 葉人豪 , YEH, JEN HAO , 鄭志昌 , CHENG, CHIH CHANG , 蘇如意 , SU, RU YI , 霍克孝 , HUO, KER HSIAO , 陳柏智 , CHEN, PO CHIH , 楊富智 , YANG, FU CHIH , 蔡俊琳 , TSAI, CHUN LIN
CPC分类号： H01L29/7832 , H01L29/0692 , H01L29/404 , H01L29/41758 , H01L29/42356 , H01L29/66893 , H01L29/66901 , H01L29/808 , H03K17/223
摘要： 一種半導體元件，包括具有一第一導電性之一埋設井區與一第一高壓井區，以及位於該第一高壓井區上之一絕緣區。具有該第一導電性之一汲極區係位於該絕緣區之一第一側以及位於該第一高壓井區之一頂面區內。具有相反於該第一導電性之一第二導電性之一第一井區與一第二井區係位於該絕緣區之該第二側上。具有該第一導電性之一第二高壓井區係位於該第一井區與該第二井區之間，其中該第二高壓井區係連結於該埋設井區。具有該第一導電性之一源極區，位於該第二高壓井區之一頂面區內，其中該源極區、該汲極區以及該埋設井區形成了一接面場效電晶體。
简体摘要： 一种半导体组件，包括具有一第一导电性之一埋设井区与一第一高压井区，以及位于该第一高压井区上之一绝缘区。具有该第一导电性之一汲极区系位于该绝缘区之一第一侧以及位于该第一高压井区之一顶面区内。具有相反于该第一导电性之一第二导电性之一第一井区与一第二井区系位于该绝缘区之该第二侧上。具有该第一导电性之一第二高压井区系位于该第一井区与该第二井区之间，其中该第二高压井区系链接于该埋设井区。具有该第一导电性之一源极区，位于该第二高压井区之一顶面区内，其中该源极区、该汲极区以及该埋设井区形成了一接面场效应管。
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公开(公告)号：TWI700779B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW107134134
申请日：2018-09-27
发明人： 姆魯凱森 卡迪克 , MURUKESAN, KARTHICK , 江文智 , CHIANG, WEN-CHIH , 蔡俊琳 , TSAI, CHUN-LIN , 霍克孝 , HUO, KER-HSIAO , 吳國銘 , WU, KUO-MING , 陳柏智 , CHEN, PO-CHIH , 蘇如意 , SU, RU-YI , 林炫政 , LIN, SHIUAN-JENG , 陳益民 , CHEN, YI-MIN , 林宏洲 , LIN, HUNG-CHOU , 邱奕正 , CHIU, YI-CHENG
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公开(公告)号：TW201633460A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104122488
申请日：2015-07-13
发明人： 霍克孝 , HUO, KER HSIAO , 蔣昕志 , CHIANG, HSIN CHIH , 陳奕寰 , CHEN, YI HUAN , 蔡俊琳 , TSAI, CHUN LIN , 陳益民 , CHEN, YI MIN
IPC分类号： H01L21/8232 , H01L29/772
CPC分类号： H01L27/0629 , H01L21/76202 , H01L28/20 , H01L29/063 , H01L29/0653 , H01L29/0865 , H01L29/0878 , H01L29/0882 , H01L29/1095 , H01L29/404 , H01L29/405 , H01L29/42356 , H01L29/42368 , H01L29/66681 , H01L29/7816
摘要： 高電壓半導體裝置包括：具有第一導電型態的源極與汲極位於基板中；第一介電構件位於源極與汲極之間的基板表面上；漂移區位於基板中，其中漂移區具有第一導電型態；第一掺雜區具有第二導電型態且位於介電構件下的漂移區中，且第二導電型態與第一導電型態相反；具有第二導電型態的第二掺雜區位於漂移區中，其中第二掺雜區至少圍繞源極與汲極中的一者；電阻直接位於介電構件上；以及閘極直接位於介電構件上，其中閘極直接電性耦接至電阻。
简体摘要： 高电压半导体设备包括：具有第一导电型态的源极与汲极位于基板中；第一介电构件位于源极与汲极之间的基板表面上；漂移区位于基板中，其中漂移区具有第一导电型态；第一掺杂区具有第二导电型态且位于介电构件下的漂移区中，且第二导电型态与第一导电型态相反；具有第二导电型态的第二掺杂区位于漂移区中，其中第二掺杂区至少围绕源极与汲极中的一者；电阻直接位于介电构件上；以及闸极直接位于介电构件上，其中闸极直接电性耦接至电阻。
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公开(公告)号：TWI560881B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW102121684
申请日：2013-06-19
发明人： 蘇如意 , SU, RU YI , 楊富智 , YANG, FU CHIH , 蔡俊琳 , TSAI, CHUN LIN , 霍克孝 , HUO, KER HSIAO , 葉人豪 , YEH, JEN HAO , 許竣爲 , HSU, CHUN WEI
CPC分类号： H01L27/0629
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公开(公告)号：TWI488299B
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：TW102116331
申请日：2013-05-08
发明人： 葉人豪 , YEH, JEN HAO , 鄭志昌 , CHENG, CHIH CHANG , 蘇如意 , SU, RU YI , 霍克孝 , HUO, KER HSIAO , 陳柏智 , CHEN, PO CHIH , 楊富智 , YANG, FU CHIH , 蔡俊琳 , TSAI, CHUN LIN
CPC分类号： H01L29/7832 , H01L29/0692 , H01L29/404 , H01L29/41758 , H01L29/42356 , H01L29/66893 , H01L29/66901 , H01L29/808 , H03K17/223
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