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公开(公告)号：TWI601207B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105143685
申请日：2016-12-28
Inventor： 沈育仁 , SHEN, YU JEN , 陳盈和 , CHEN, YING HO , 盧永誠 , LU, YUNG CHENG
IPC: H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L21/823828 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/3065 , H01L21/31053 , H01L21/31116 , H01L21/823437 , H01L21/823456 , H01L22/26 , H01L29/66545
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公开(公告)号：TWI578387B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW103146477
申请日：2014-12-31
Inventor： 劉文貴 , LIU, WEN KUEI , 蔡騰群 , TSAI, TENG CHUN , 林國楹 , LIN, KUO YIN , 李勝男 , LEE, SHEN NAN , 周有偉 , CHOU, YU WEI , 連國成 , LIEN, KUO CHENG , 林長生 , LIN, CHANG SHENG , 洪志昌 , HUNG, CHIH CHANG , 盧永誠 , LU, YUNG CHENG
IPC: H01L21/28 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31055 , H01L21/02282 , H01L21/28123 , H01L21/3086 , H01L21/31058 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/32136 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L29/0692 , H01L29/66545 , H01L29/66795
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公开(公告)号：TW201718175A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105137391
申请日：2016-11-16
Inventor： 侯德謙 , HOU, TE CHIEN , 蔡騰群 , TSAI, TENG CHUN , 林國楹 , LIN, KUO YIN , 佘銘軒 , SHE, MING SHIUAN , 蔣青宏 , JIANG, CHING HONG , 李勝男 , LEE, SHEN NAN , 盧永誠 , LU, YUNG CHENG
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
Abstract: 一種對於一晶圓進行化學機械研磨之裝置，包括一研磨頭，其具有一固定環。研磨頭被配置成將晶圓保持在固定環內。固定環包括一第一環以及一第二環。第一環具有一第一硬度。第二環由第一環所環繞，其中第二環具有一第二硬度，小於第一硬度。
Abstract in simplified Chinese: 一种对于一晶圆进行化学机械研磨之设备，包括一研磨头，其具有一固定环。研磨头被配置成将晶圆保持在固定环内。固定环包括一第一环以及一第二环。第一环具有一第一硬度。第二环由第一环所环绕，其中第二环具有一第二硬度，小于第一硬度。
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公开(公告)号：TWI610758B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW103146018
申请日：2014-12-29
Inventor： 李勝男 , LEE, SHEN NAN , 蔡騰群 , TSAI, TENG CHUN , 盧永誠 , LU, YUNG CHENG
IPC: B24B37/005 , B24B37/34 , H01L21/304
CPC classification number: B24B1/04 , B24B37/005 , B24B37/04 , B24B37/044 , B24B37/11 , B24B37/30 , H01L21/02024 , H01L21/32115 , H01L21/3212 , H01L21/67115 , H01L21/67219 , H01L21/7684
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公开(公告)号：TW201801181A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105139837
申请日：2016-12-02
Inventor： 蔡騰群 , TSAI, TENG CHUN , 盧永誠 , LU, YUNG CHENG , 陳盈淙 , CHEN, YING TSUNG , 包天一 , BAO, TIEN I
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/0337 , H01L21/02115 , H01L21/02282 , H01L21/0273 , H01L21/0274 , H01L21/0332 , H01L21/31051 , H01L21/31053 , H01L21/31111
Abstract: 一種半導體裝置之形成方法，包括形成第一絕緣層於基板上，第一絕緣層具有非平坦(non-planar)之頂表面，且第一絕緣層具有第一蝕刻速率。上述方法亦包括形成第二絕緣層於第一絕緣層上，第二絕緣層具有非平坦之頂表面，且第二絕緣層具有第二蝕刻速率，上述第二蝕刻速率大於上述第一蝕刻速率。上述方法亦包括研磨第二絕緣層以移除部分之第二絕緣層，以及非選擇性地凹蝕第一絕緣層及第二絕緣層。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备之形成方法，包括形成第一绝缘层于基板上，第一绝缘层具有非平坦(non-planar)之顶表面，且第一绝缘层具有第一蚀刻速率。上述方法亦包括形成第二绝缘层于第一绝缘层上，第二绝缘层具有非平坦之顶表面，且第二绝缘层具有第二蚀刻速率，上述第二蚀刻速率大于上述第一蚀刻速率。上述方法亦包括研磨第二绝缘层以移除部分之第二绝缘层，以及非选择性地凹蚀第一绝缘层及第二绝缘层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201544243A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW103146018
申请日：2014-12-29
Inventor： 李勝男 , LEE, SHEN NAN , 蔡騰群 , TSAI, TENG CHUN , 盧永誠 , LU, YUNG CHENG
IPC: B24B37/005 , B24B37/34 , H01L21/304
CPC classification number: B24B1/04 , B24B37/005 , B24B37/04 , B24B37/044 , B24B37/11 , B24B37/30 , H01L21/02024 , H01L21/32115 , H01L21/3212 , H01L21/67115 , H01L21/67219 , H01L21/7684
Abstract: 用於執行化學機械式研磨的系統及方法。在一例子中，該系統包括：一個研磨頭，研磨墊，研磨液分配部件和反應物分配部件。研磨頭用於在物件上執行化學機械式研磨。研磨墊用於支撐該物件。研磨液分配部件用於對研磨墊提供研磨液。反應物分配部件用於提供氧化劑材料至研磨墊，以產生多個基，以與物件發生反應。
Abstract in simplified Chinese: 用于运行化学机械式研磨的系统及方法。在一例子中，该系统包括：一个研磨头，研磨垫，研磨液分配部件和反应物分配部件。研磨头用于在对象上运行化学机械式研磨。研磨垫用于支撑该对象。研磨液分配部件用于对研磨垫提供研磨液。反应物分配部件用于提供氧化剂材料至研磨垫，以产生多个基，以与对象发生反应。
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公开(公告)号：TW201722621A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105136314
申请日：2016-11-08
Inventor： 蔡騰群 , TSAI, TENG CHUN , 李勝男 , LEE, SHEN NAN , 盧永誠 , LU, YUNG CHENG , 駱家駉 , LO, CHIA CHIUNG , 鄭雙銘 , JENG, SHWANG MING , 楊育佳 , YEO, YEE-CHIA
IPC: B24B37/07 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/20
Abstract: 一種拋光機包含晶圓載體、拋光頭、移動機構、及旋轉機構。晶圓載體具有支撐面。支撐面經配置以在其上載運晶圓。在晶圓載體上設置拋光頭。拋光頭具有拋光面。拋光頭之拋光面小於晶圓載體之支撐面。移動機構經配置以相對於晶圓載體移動拋光頭。旋轉機構經配置以相對於晶圓載體旋轉拋光頭。
Abstract in simplified Chinese: 一种抛光机包含晶圆载体、抛光头、移动机构、及旋转机构。晶圆载体具有支撑面。支撑面经配置以在其上载运晶圆。在晶圆载体上设置抛光头。抛光头具有抛光面。抛光头之抛光面小于晶圆载体之支撑面。移动机构经配置以相对于晶圆载体移动抛光头。旋转机构经配置以相对于晶圆载体旋转抛光头。
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公开(公告)号：TW201543553A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW103146477
申请日：2014-12-31
Inventor： 劉文貴 , LIU, WEN KUEI , 蔡騰群 , TSAI, TENG CHUN , 林國楹 , LIN, KUO YIN , 李勝男 , LEE, SHEN NAN , 周有偉 , CHOU, YU WEI , 連國成 , LIEN, KUO CHENG , 林長生 , LIN, CHANG SHENG , 洪志昌 , HUNG, CHIH CHANG , 盧永誠 , LU, YUNG CHENG
IPC: H01L21/28 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31055 , H01L21/02282 , H01L21/28123 , H01L21/3086 , H01L21/31058 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/32136 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L29/0692 , H01L29/66545 , H01L29/66795
Abstract: 用於對材料進行平面凹蝕的IC裝置製程，其中該材料最初在基板上具有不同的高度。該方法包含形成一底抗反射塗層，烘烤該底抗反射塗層導致該底抗反射塗層進行交聯反應、化學機械研磨(CMP)以移除該底抗反射塗層之一第一部份、以及形成一平坦表面、接著電漿蝕刻導致對該底抗反射塗層之平面凹蝕。該電漿蝕刻對於該底抗反射塗層以及該材料間具有一低蝕刻選擇性，其中該底抗反射塗層以及該材料係同時被凹蝕。在某一特定高定下的任何材料係被移除。實質上低於該材料層某一特定高度的結構可實質被保持完整並被保護以不受污染。當在化學機械研磨(CMP)時所用使磨蝕物(abrasive)與該底抗反射塗層形成酯鍵(ester linkages)時，利用該方法則特別有效。
Abstract in simplified Chinese: 用于对材料进行平面凹蚀的IC设备制程，其中该材料最初在基板上具有不同的高度。该方法包含形成一底抗反射涂层，烘烤该底抗反射涂层导致该底抗反射涂层进行交联反应、化学机械研磨(CMP)以移除该底抗反射涂层之一第一部份、以及形成一平坦表面、接着等离子蚀刻导致对该底抗反射涂层之平面凹蚀。该等离子蚀刻对于该底抗反射涂层以及该材料间具有一低蚀刻选择性，其中该底抗反射涂层以及该材料系同时被凹蚀。在某一特定高定下的任何材料系被移除。实质上低于该材料层某一特定高度的结构可实质被保持完整并被保护以不受污染。当在化学机械研磨(CMP)时所用使磨蚀物(abrasive)与该底抗反射涂层形成酯键(ester linkages)时，利用该方法则特别有效。
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公开(公告)号：TWI573265B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW104112171
申请日：2015-04-16
Inventor： 彭治棠 , PENG, CHIH TANG , 黃泰鈞 , HUANG, TAI CHUN , 蔡騰群 , TSAI, TENG CHUN , 林正堂 , LIN, CHENG TUNG , 陳德芳 , CHEN, DE FANG , 王立廷 , WANG, LI TING , 王建勛 , WANG, CHIEN HSUN , 林煥哲 , LIN, HUAN JUST , 盧永誠 , LU, YUNG CHENG , 李資良 , LEE, TZE LIANG
CPC classification number: H01L29/42392 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L23/291 , H01L23/3171 , H01L23/564 , H01L27/088 , H01L29/0676 , H01L29/42356 , H01L29/66272 , H01L29/66439 , H01L29/66666 , H01L29/775 , H01L29/7827 , H01L29/7889 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201546908A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104106170
申请日：2015-02-26
Inventor： 蔡騰群 , TSAI, TENG CHUN , 王立廷 , WANG, LI TING , 陳德芳 , CHEN, DE FANG , 林正堂 , LIN, CHENG TUNG , 彭治棠 , PENG, CHIH TANG , 王建勛 , WANG, CHIEN HSUN , 陳炳宏 , CHEN, BING HUNG , 林煥哲 , LIN, HUAN JUST , 盧永誠 , LU, YUNG CHENG
IPC: H01L21/336 , H01L21/762 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/762 , B82Y10/00 , H01L21/31053 , H01L21/31055 , H01L21/31116 , H01L21/76224 , H01L21/823842 , H01L21/823885 , H01L29/0676 , H01L29/413 , H01L29/42372 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/775
Abstract: 本發明提供了一種形成隔離層的方法。該方法包括以下步驟：提供一基板；提供一在基板上方具有第一層的垂直結構；在第一層上提供一第一層間介電質；在第一層間介電質進行化學機械研磨；最後回蝕第一層間介電質和前述第一層，以形成一對應於垂直結構之源極的絕緣層。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供了一种形成隔离层的方法。该方法包括以下步骤：提供一基板；提供一在基板上方具有第一层的垂直结构；在第一层上提供一第一层间介电质；在第一层间介电质进行化学机械研磨；最后回蚀第一层间介电质和前述第一层，以形成一对应于垂直结构之源极的绝缘层。
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