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公开(公告)号：TW201724439A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105138975
申请日：2016-11-25
发明人： 余振華 , YU, CHEN-HUA , 陳明發 , CHEN, MING-FA , 葉松峯 , YEH, SUNG-FENG
IPC分类号： H01L23/52 , H01L21/768
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/83 , H01L25/0655 , H01L25/072 , H01L25/165 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2224/838 , H01L2224/83801 , H01L2224/83805 , H01L2224/83895 , H01L2224/83896 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/06572
摘要： 一種半導體結構及一種用於形成該半導體結構之方法。該方法包括：提供一第一半導體工件；將一第二半導體工件接合至該第一半導體工件之一第一表面；形成貫穿該第二半導體工件而到達該第一半導體工件之一第一導電通路；將一第三半導體工件接合至該第一半導體工件之一第二表面，該第二表面與該第一表面對置；及形成貫穿該第一半導體工件及該第三半導體工件而到達該第二半導體工件之一第二導電通路，使得該第一導電通路與該第二導電通路經電連接。
简体摘要： 一种半导体结构及一种用于形成该半导体结构之方法。该方法包括：提供一第一半导体工件；将一第二半导体工件接合至该第一半导体工件之一第一表面；形成贯穿该第二半导体工件而到达该第一半导体工件之一第一导电通路；将一第三半导体工件接合至该第一半导体工件之一第二表面，该第二表面与该第一表面对置；及形成贯穿该第一半导体工件及该第三半导体工件而到达该第二半导体工件之一第二导电通路，使得该第一导电通路与该第二导电通路经电连接。
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公开(公告)号：TW201545252A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW104114194
申请日：2015-05-04
发明人： 威普林格 馬克斯 , WIMPLINGER, MARKUS , 瑞柏翰 柏赫德 , REBHAN, BERNHARD
IPC分类号： H01L21/603 , H01L21/607
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/67092 , H01L21/67144 , H01L24/75 , H01L2224/29147 , H01L2224/75251 , H01L2224/75343 , H01L2224/8303 , H01L2224/83193 , H01L2224/83206 , H01L2224/83207 , H01L2224/83895 , H01L2924/20108
摘要： 本發明係關於一種用於在一接合界面(5)上將一第一基板(1)之一第一層(2)永久接合至一第二基板(1')之一第二層(2')之方法，其特徵在於在該接合之前及/或期間，至少在該接合界面(5)之區域中該第一層(2)及/或該第二層(2')之一差排(4)之一差排密度增加。 此外，本發明係關於一種對應裝置。
简体摘要： 本发明系关于一种用于在一接合界面(5)上将一第一基板(1)之一第一层(2)永久接合至一第二基板(1')之一第二层(2')之方法，其特征在于在该接合之前及/或期间，至少在该接合界面(5)之区域中该第一层(2)及/或该第二层(2')之一差排(4)之一差排密度增加。 此外，本发明系关于一种对应设备。
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公开(公告)号：TWI462198B
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：TW098114800
申请日：2009-05-05
发明人： 法如克 穆克塔G , FAROOQ, MUKTA G. , 漢能 羅伯特 , HANNON, ROBERT , 伊爾 舒博曼尼恩S , IYER, SUBRAMANIAN S. , 寇斯特 斯帝文J , KOESTER, STEVEN J. , 劉菲 , LIU, FEI , 普魯修舍曼 薩姆帕詩 , PURUSHOTHAMAN, SAMPATH , 楊 亞伯特M , YOUNG, ALBERT M. , 俞 洛依R , YU, ROY R.
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/6835 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2221/68377 , H01L2224/0401 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05009 , H01L2224/05024 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05558 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/056 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/33181 , H01L2224/73153 , H01L2224/73253 , H01L2224/83121 , H01L2224/83895 , H01L2224/92242 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06593 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/1431 , H01L2924/1433 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/37001 , H01L2224/83 , H01L2224/11 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
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公开(公告)号：TW201413884A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102130684
申请日：2013-08-27
发明人： 沙達卡 瑪麗姆 , SADAKA, MARIAM
IPC分类号： H01L23/34
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L21/02425 , H01L21/0254 , H01L21/6835 , H01L21/76256 , H01L23/36 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L29/2003 , H01L29/201 , H01L29/205 , H01L29/4175 , H01L29/66462 , H01L29/7781 , H01L29/7788 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/0401 , H01L2224/05025 , H01L2224/131 , H01L2224/16237 , H01L2224/29147 , H01L2224/29184 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32245 , H01L2224/73253 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81815 , H01L2224/83851 , H01L2224/83895 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00
摘要： 形成半導體元件之方法包括，在一第一沉積腔中，於一第一底材上方磊晶生長一III-V族基底層。將該III-V族基底層從該第一底材移轉至一第二底材，當該III-V族基底層被設置在該第二底材上後，在與該第一沉積腔分開之一第二沉積腔中，於該III-V族基底層上磊晶生長至少一層III-V族元件層。該第一底材所表現出之平均熱膨脹係數(CTE)，可較該第二底材所表現出之平均CTE更接近該III-V族基底層所表現出之平均CTE。可應用此等方法加以製作之半導體元件。
简体摘要： 形成半导体组件之方法包括，在一第一沉积腔中，于一第一底材上方磊晶生长一III-V族基底层。将该III-V族基底层从该第一底材移转至一第二底材，当该III-V族基底层被设置在该第二底材上后，在与该第一沉积腔分开之一第二沉积腔中，于该III-V族基底层上磊晶生长至少一层III-V族组件层。该第一底材所表现出之平均热膨胀系数(CTE)，可较该第二底材所表现出之平均CTE更接近该III-V族基底层所表现出之平均CTE。可应用此等方法加以制作之半导体组件。
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5.发明专利
公开(公告)号：TWI339408B
公开(公告)日：2011-03-21
申请号：TW093102781
申请日：2004-02-06
申请人： 增普拓尼克斯公司
发明人： 童勤義 , 安東尼S 羅斯 , 保羅 M. 因昆斯特
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76251 , B23K20/02 , H01L21/481 , H01L24/09 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/16 , H01L24/28 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/89 , H01L24/90 , H01L25/50 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/13011 , H01L2224/13099 , H01L2224/13109 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/32145 , H01L2224/80801 , H01L2224/81011 , H01L2224/81013 , H01L2224/81014 , H01L2224/81136 , H01L2224/81143 , H01L2224/81193 , H01L2224/81208 , H01L2224/8121 , H01L2224/81801 , H01L2224/81815 , H01L2224/8183 , H01L2224/81894 , H01L2224/83095 , H01L2224/8319 , H01L2224/8334 , H01L2224/83801 , H01L2224/8383 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/83894 , H01L2224/83895 , H01L2224/83907 , H01L2224/9202 , H01L2225/06513 , H01L2924/00013 , H01L2924/01003 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/0106 , H01L2924/01072 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/14 , H01L2924/1532 , H01L2924/351 , Y10T29/49126 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/29099 , H01L2224/05644 , H01L2924/00014 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147
摘要： 一結合元件結構，包括一第一基材，其具有一較佳連接至一元件或電路之第一組金屬結合墊，且具有一與第一基材上的金屬結合墊相鄰之第一非金屬區；一第二基材，其具有一對準於第一組金屬結合墊且較佳連接至一元件或電路之第二組金屬結合墊，且具有一與第二基材上的金屬結合墊相鄰之第二非金屬區；及一接觸結合介面，其位於藉由將第一非金屬區接觸結合至第二非金屬區所形成之第一及第二組金屬結合墊之間。第一及第二基材的至少一者可彈性變形。
简体摘要： 一结合组件结构，包括一第一基材，其具有一较佳连接至一组件或电路之第一组金属结合垫，且具有一与第一基材上的金属结合垫相邻之第一非金属区；一第二基材，其具有一对准于第一组金属结合垫且较佳连接至一组件或电路之第二组金属结合垫，且具有一与第二基材上的金属结合垫相邻之第二非金属区；及一接触结合界面，其位于借由将第一非金属区接触结合至第二非金属区所形成之第一及第二组金属结合垫之间。第一及第二基材的至少一者可弹性变形。
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公开(公告)号：TWI541940B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW103145657
申请日：2014-12-26
发明人： 陳貞君 , CHEN, CHEN CHUN , 陳秋鎔 , CHEN, CHIU JUNG , 蔡富村 , TSAI, FU TSUN , 張簡旭珂 , JANGJIAN, SHIU KO , 鄭志成 , JENG, CHI CHERNG , 陳信吉 , CHEN, HSIN CHI
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/02019 , H01L21/0273 , H01L21/268 , H01L21/30604 , H01L21/76256 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/2919 , H01L2224/83201 , H01L2224/838 , H01L2224/83805 , H01L2224/8385 , H01L2224/83895 , H01L2224/83896 , H01L2924/07025
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公开(公告)号：TW201620074A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104125946
申请日：2015-08-10
发明人： 麥可隆尼 保羅 , MCCONNELEE, PAUL ALAN , 格達 艾倫 , GOWDA, ARUN VIRUPAKSHA
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/498 , H01L23/528 , H01L23/538 , H01L25/00
CPC分类号： H01L21/561 , H01L21/486 , H01L21/76802 , H01L21/76897 , H01L23/147 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5221 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/53228 , H01L23/538 , H01L23/5389 , H01L24/03 , H01L24/09 , H01L24/19 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05647 , H01L2224/06181 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2224/291 , H01L2224/29139 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/83192 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/83851 , H01L2224/83862 , H01L2224/83865 , H01L2224/83874 , H01L2224/83895 , H01L2224/83931 , H01L2224/92144 , H01L2224/97 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/15153 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/20 , H01L2924/014 , H01L2224/82 , H01L2224/83 , H01L2924/00012
摘要： 一種電子封裝，包括具有形成穿過本身厚度之第一複數個孔的第一介電質基板、耦接至該第一介電質基板之頂表面的金屬化接觸層、以及定位於形成穿過該第一介電質基板之該厚度的第一晶粒開口中的第一晶粒。金屬化互連形成在該第一介電質基板之底表面且延伸穿過該第一複數個孔以接觸該金屬化接觸層。第二介電質基板係耦接至該第一介電質基板且具有形成穿過本身厚度之第二複數個孔。金屬化互連延伸穿過該第二複數個孔以接觸該第一複數個金屬化互連及該第一晶粒之接觸墊。第一導電元件電性地耦接該第一晶粒至該金屬化接觸層。
简体摘要： 一种电子封装，包括具有形成穿过本身厚度之第一复数个孔的第一介电质基板、耦接至该第一介电质基板之顶表面的金属化接触层、以及定位于形成穿过该第一介电质基板之该厚度的第一晶粒开口中的第一晶粒。金属化互连形成在该第一介电质基板之底表面且延伸穿过该第一复数个孔以接触该金属化接触层。第二介电质基板系耦接至该第一介电质基板且具有形成穿过本身厚度之第二复数个孔。金属化互连延伸穿过该第二复数个孔以接触该第一复数个金属化互连及该第一晶粒之接触垫。第一导电组件电性地耦接该第一晶粒至该金属化接触层。
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公开(公告)号：TW201438146A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW103100418
申请日：2014-01-06
发明人： 鄭田仁 , CHENG, TIEN-JEN , 法洛奎 莫塔G , FAROOQ, MUKTA G. , 費茲西門斯 約翰A , FITZSIMMONS, JOHN A.
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/52
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/481 , H01L23/488 , H01L23/5386 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/32 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/50 , H01L2224/0346 , H01L2224/03464 , H01L2224/038 , H01L2224/03825 , H01L2224/03829 , H01L2224/039 , H01L2224/05005 , H01L2224/05017 , H01L2224/05025 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05147 , H01L2224/05541 , H01L2224/05551 , H01L2224/05557 , H01L2224/0557 , H01L2224/05572 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/08145 , H01L2224/27464 , H01L2224/27831 , H01L2224/32145 , H01L2224/32146 , H01L2224/80203 , H01L2224/80447 , H01L2224/80895 , H01L2224/83895 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/1011 , H01L2924/3511 , H01L2224/80 , H01L2224/05155 , H01L2924/00012 , H01L2924/01046 , H01L2224/03616 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2224/05552
摘要： 本發明提供一種穩定精細紋理化金屬微結構，其構成可用於接合一3D堆疊式晶片之一耐久活化表面。抵抗自退火之一精細顆粒層實現在適度時間及溫度與較寬廣之製程靈活性下的金屬對金屬接合。
简体摘要： 本发明提供一种稳定精细纹理化金属微结构，其构成可用于接合一3D堆栈式芯片之一耐久活化表面。抵抗自退火之一精细颗粒层实现在适度时间及温度与较宽广之制程灵活性下的金属对金属接合。
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公开(公告)号：TW201310501A
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW101106734
申请日：2012-03-01
申请人： 東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人： 遠藤光芳 , ENDO, MITSUYOSHI
IPC分类号： H01L21/08
CPC分类号： H01L24/05 , H01L21/76256 , H01L24/08 , H01L2224/05556 , H01L2224/05559 , H01L2224/05573 , H01L2224/05576 , H01L2224/056 , H01L2224/05686 , H01L2224/08145 , H01L2224/8385 , H01L2224/83895 , H01L2224/83896 , H01L2224/94 , H01L2224/83 , H01L2924/00014 , H01L2924/053 , H01L2924/05442 , H01L2924/049 , H01L2924/05042
摘要： 在其中一個實施形態中，半導體晶圓係具備半導體基板，及形成於前述半導體基板上的配線層。該半導體晶圓中，半導體基板具備第1區域，其係位於半導體基板的外周部，且未被配線層所覆蓋；配線層具備第2區域，該第2區域中配線層的上面幾乎呈平坦；第1區域上形成有第1絕緣膜；第2區域的配線層之上面，與第1絕緣膜之上面，約略為同一面。
简体摘要： 在其中一个实施形态中，半导体晶圆系具备半导体基板，及形成于前述半导体基板上的配线层。该半导体晶圆中，半导体基板具备第1区域，其系位于半导体基板的外周部，且未被配线层所覆盖；配线层具备第2区域，该第2区域中配线层的上面几乎呈平坦；第1区域上形成有第1绝缘膜；第2区域的配线层之上面，与第1绝缘膜之上面，约略为同一面。
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公开(公告)号：TW200507232A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：TW093119860
申请日：2004-06-30
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67092 , B23K20/023 , B23K2201/40 , H01L21/4835 , H01L21/67057 , H01L23/481 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/90 , H01L2224/75 , H01L2224/7501 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/75301 , H01L2224/75501 , H01L2224/75502 , H01L2224/75744 , H01L2224/75821 , H01L2224/80895 , H01L2224/8101 , H01L2224/81011 , H01L2224/81026 , H01L2224/81121 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2224/81894 , H01L2224/83192 , H01L2224/83895 , H01L2224/90 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/30107 , H01L2924/00
摘要： 本發明係關於將第1被接合物和第2被接合物夾壓而接合的接合方法。本發明的接合方法，具備：第1製程，此製程係將前述第1被接合物和第2被接合物，分別保持在第1保持構件和第2保持構件上，而使前述第1被接合物的接合面和前述第2被接合物的接合面互相面對面；第2製程，此製程係在前述第1被接合物和前述第2被接合物被保持在前述第1保持構件和第2保持構件上的狀態下，利用處理液處理前述第1被接合物的前述接合面和前述第2被接合物的前述接合面；及第3製程，此製程係藉由前述第1保持構件和前述第2保持構件，夾壓前述第1被接合物和前述第2被接合物，而使前述接合面之間密著。
简体摘要： 本发明系关于将第1被接合物和第2被接合物夹压而接合的接合方法。本发明的接合方法，具备：第1制程，此制程系将前述第1被接合物和第2被接合物，分别保持在第1保持构件和第2保持构件上，而使前述第1被接合物的接合面和前述第2被接合物的接合面互相面对面；第2制程，此制程系在前述第1被接合物和前述第2被接合物被保持在前述第1保持构件和第2保持构件上的状态下，利用处理液处理前述第1被接合物的前述接合面和前述第2被接合物的前述接合面；及第3制程，此制程系借由前述第1保持构件和前述第2保持构件，夹压前述第1被接合物和前述第2被接合物，而使前述接合面之间密着。
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