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公开(公告)号：TW201919113A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107115933
申请日：2018-05-10
发明人： 程仲良 , CHENG, CHUNG LIANG , 陳彥羽 , CHEN, YEN YU
摘要： 在此提供具有閘極結構之積體電路及此積體電路形成方法之範例。在一些範例中，一種半導體裝置之形成方法，包含：接收工作件，此工作件包含具有通道區之基板。形成閘極介電質於此通道區之上，且形成含摻質層於此閘極介電質之上。退火工作件以轉移含摻質層之摻質至閘極介電質，以及在退火之後移除此含摻質層。在一些實施例中，在移除此含摻質層之後形成功函數層於閘極介電質之上，以及形成填充材料於此功函數層之上。
简体摘要： 在此提供具有闸极结构之集成电路及此集成电路形成方法之范例。在一些范例中，一种半导体设备之形成方法，包含：接收工作件，此工作件包含具有信道区之基板。形成闸极介电质于此信道区之上，且形成含掺质层于此闸极介电质之上。退火工作件以转移含掺质层之掺质至闸极介电质，以及在退火之后移除此含掺质层。在一些实施例中，在移除此含掺质层之后形成功函数层于闸极介电质之上，以及形成填充材料于此功函数层之上。
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公开(公告)号：TW201814776A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW106126598
申请日：2017-08-07
发明人： 畢詩偉 , BIH, SHIH WEI , 廖漢文 , LIAO, HAN WEN , 顏桓佑 , YAN, XUAN YOU , 陳彥羽 , CHEN, YEN YU , 林群智 , LIN, CHUN CHIH
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/311 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66545 , H01L21/32135 , H01L21/823828 , H01L21/823842 , H01L27/092 , H01L29/42376 , H01L29/517
摘要： 多晶矽層形成在基材上。多晶矽層被蝕刻以形成具有頂部與底部的虛設閘極電極，其中頂部具有第一橫向尺寸且底部具有第二橫向尺寸。第一橫向尺寸大於或等於第二橫向尺寸。虛設閘極電極被取代為金屬閘極電極。
简体摘要： 多晶硅层形成在基材上。多晶硅层被蚀刻以形成具有顶部与底部的虚设闸极电极，其中顶部具有第一横向尺寸且底部具有第二横向尺寸。第一横向尺寸大于或等于第二横向尺寸。虚设闸极电极被取代为金属闸极电极。
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公开(公告)号：TWI693689B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW107137531
申请日：2018-10-24
发明人： 程仲良 , CHENG, CHUNG LIANG , 陳彥羽 , CHEN, YEN YU
IPC分类号： H01L23/525 , H01L23/532 , H01L21/60
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公开(公告)号：TW201919142A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW106138768
申请日：2017-11-09
发明人： 黃煜倫 , HUANG, YU LUN , 陳彥羽 , CHEN, YEN YU , 吳清嘉 , WU, CHING CHIA , 廖維貞 , LIAO, WEI CHEN , 林群智 , LIN, CHUN CHIH
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/683
摘要： 一種半導體製造設備，包含一處理腔室、一影像擷取裝置以及一控制裝置。處理腔室包含有一承載台以及一校正器。承載台是用以承載一半導體元件。校正器是連接於承載台，其中校正器具有複數個指標。影像擷取裝置是用以擷取關於半導體元件以及校正器之一影像，以產生一影像訊號。控制裝置是用以根據些指標以及影像訊號，決定半導體元件之中心是否對位於承載台之中心，並且當半導體元件之中心偏離承載台之中心時，控制裝置決定半導體元件與承載台之間的一偏移位移。
简体摘要： 一种半导体制造设备，包含一处理腔室、一影像截取设备以及一控制设备。处理腔室包含有一承载台以及一校正器。承载台是用以承载一半导体组件。校正器是连接于承载台，其中校正器具有复数个指针。影像截取设备是用以截取关于半导体组件以及校正器之一影像，以产生一影像信号。控制设备是用以根据些指针以及影像信号，决定半导体组件之中心是否对位于承载台之中心，并且当半导体组件之中心偏离承载台之中心时，控制设备决定半导体组件与承载台之间的一偏移位移。
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公开(公告)号：TW201918574A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107116590
申请日：2018-05-16
发明人： 朱玄之 , CHU, HSUAN CHIH , 潘建勳 , PAN, CHIEN HSUN , 陳彥羽 , CHEN, YEN YU , 林群智 , LIN, CHUN CHIH
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/56 , H01L21/203
摘要： 提供一種濺鍍系統及其方法。在一實施例中，濺鍍系統包含接收基板的腔室，位於腔室中的濺鍍靶材，以及位於濺鍍靶材上方的電磁鐵陣列。電磁鐵陣列包含複數個電磁鐵。
简体摘要： 提供一种溅镀系统及其方法。在一实施例中，溅镀系统包含接收基板的腔室，位于腔室中的溅镀靶材，以及位于溅镀靶材上方的电磁铁数组。电磁铁数组包含复数个电磁铁。
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公开(公告)号：TWI648813B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW106138768
申请日：2017-11-09
发明人： 黃煜倫 , HUANG, YU LUN , 陳彥羽 , CHEN, YEN YU , 吳清嘉 , WU, CHING CHIA , 廖維貞 , LIAO, WEI CHEN , 林群智 , LIN, CHUN CHIH
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/683
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公开(公告)号：TWI628705B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106126598
申请日：2017-08-07
发明人： 畢詩偉 , BIH, SHIH WEI , 廖漢文 , LIAO, HAN WEN , 顏桓佑 , YAN, XUAN YOU , 陳彥羽 , CHEN, YEN YU , 林群智 , LIN, CHUN CHIH
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/311 , H01L29/78
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公开(公告)号：TW201919111A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107108079
申请日：2018-03-09
发明人： 程仲良 , CHENG, CHUNG LIANG , 陳韋任 , CHEN, WEI JEN , 陳彥羽 , CHEN, YEN YU , 林明賢 , LIN, MING HSIEN
摘要： 本發明實施例提供調整鰭式場效電晶體裝置的臨界電壓的方法，示範的方法包含形成第一開口於第一閘極結構內及形成第二開口於第二閘極結構內。第一閘極結構設置在第一鰭結構上，且第二閘極結構設置在第二鰭結構上。此方法還包含藉由形成閘極介電層，形成臨界電壓調整層於閘極介電層上，回蝕刻第二開口內的臨界電壓調整層，形成功函數層於臨界電壓調整層上，以及形成金屬填充層於功函數層上，來填充第一開口和第二開口。臨界電壓調整層包含鉭和氮，回蝕刻使用含氯化鎢前驅物。
简体摘要： 本发明实施例提供调整鳍式场效应管设备的临界电压的方法，示范的方法包含形成第一开口于第一闸极结构内及形成第二开口于第二闸极结构内。第一闸极结构设置在第一鳍结构上，且第二闸极结构设置在第二鳍结构上。此方法还包含借由形成闸极介电层，形成临界电压调整层于闸极介电层上，回蚀刻第二开口内的临界电压调整层，形成功函数层于临界电压调整层上，以及形成金属填充层于功函数层上，来填充第一开口和第二开口。临界电压调整层包含钽和氮，回蚀刻使用含氯化钨前驱物。
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公开(公告)号：TW201632660A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104139096
申请日：2015-11-25
发明人： 傅振鑫 , FU, CHEN HSIN , 葉志明 , YEH, CHIH MING , 卓瑞木 , CHO, JUI MU , 沈雍迪 , SHEN, YUNG DI , 羅亦琥 , LO, YI HU , 陳彥羽 , CHEN, YEN YU , 張 偉 , ZHANG, WEI
IPC分类号： C25D21/12 , H01L21/283
摘要： 提供用以電鍍基板之設備與方法。所述設備包括：一電鍍槽，用以容納一電鍍液；一基板托座，用以托持電鍍液中之一基板；一旋轉驅動器，與基板托座耦接、且用以旋轉基板托座；一功率分布組件與旋轉驅動器耦接；一陽極設於電鍍槽內；一電源供應單元電性耦接於陽極與功率分布組件之間，因而形成一電性迴路；以及一電流調結構件，用以對電性迴路提供一預定阻抗值，其中電源供應單元所提供之電壓使得一電流流經所述電性迴路，且所述預定阻抗經選擇使得能將電流變異保持在較小的範圍中，相較於在沒有所述電流調結構件下所測得之電流變異。
简体摘要： 提供用以电镀基板之设备与方法。所述设备包括：一电镀槽，用以容纳一电镀液；一基板托座，用以托持电镀液中之一基板；一旋转驱动器，与基板托座耦接、且用以旋转基板托座；一功率分布组件与旋转驱动器耦接；一阳极设于电镀槽内；一电源供应单元电性耦接于阳极与功率分布组件之间，因而形成一电性回路；以及一电流调结构件，用以对电性回路提供一预定阻抗值，其中电源供应单元所提供之电压使得一电流流经所述电性回路，且所述预定阻抗经选择使得能将电流变异保持在较小的范围中，相较于在没有所述电流调结构件下所测得之电流变异。
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公开(公告)号：TW201526087A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103116788
申请日：2014-05-13
发明人： 程仲良 , CHENG, CHUNG LIANG , 陳彥羽 , CHEN, YEN YU , 陳韋任 , CHEN, WEI JEN , 李昌盛 , LEE, CHANG SHENG , 張偉 , ZHANG, WEI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/306
CPC分类号： H01L29/66795 , H01L29/0673 , H01L29/66545
摘要： 一種用於製造一金屬閘極結構之方法，其包括：在一閘極渠溝中形成一高介電常數(k)介電層；在該高k介電層上形成一蝕刻停止層(etch stop)；藉由以一原子層沈積(ALD)操作於該蝕刻停止層上形成具有一三合層結構的一功函數調整層，該三合層依序具有一晶界操控層、一摻雜層、及一封蓋層，該晶界操控層用以讓一摻雜原子穿透其本身，該摻雜層用以將該摻雜原子提供給該晶界操控層，且該封蓋層用以防止該摻雜層氧化；以及填入金屬以填平該閘極渠溝。該晶界操控層係藉由ALD操作在各種溫度(例如自約攝氏200度至約350度)下製備。
简体摘要： 一种用于制造一金属闸极结构之方法，其包括：在一闸极渠沟中形成一高介电常数(k)介电层；在该高k介电层上形成一蚀刻停止层(etch stop)；借由以一原子层沉积(ALD)操作于该蚀刻停止层上形成具有一三合层结构的一功函数调整层，该三合层依序具有一晶界操控层、一掺杂层、及一封盖层，该晶界操控层用以让一掺杂原子穿透其本身，该掺杂层用以将该掺杂原子提供给该晶界操控层，且该封盖层用以防止该掺杂层氧化；以及填入金属以填平该闸极渠沟。该晶界操控层系借由ALD操作在各种温度(例如自约摄氏200度至约350度)下制备。
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